Bundespatentgericht, Urteil vom 16.05.2019, Az. 6 Ni 66/16 (EP)

 Die [X.]eklagte ist eingetragene Inhaberin des aufgrund der internationalen Anmeldung PCT/[X.]/053342 vom 4. April 2007, die als [X.] 2007/113325 am 11. Oktober 2007 veröffentlicht wurde, unter Inanspruchnahme der Priorität aus der [X.] Anmeldung 10 2006 016 260 vom 6. April 2006 in der [X.] erteilten [X.] Patents 2 004 542 ([X.]).

 Das beim [X.] unter dem Aktenzeichen 50 2007 013 188 geführte [X.] trägt die [X.]ezeichnung

  „[X.] GEHÄ[X.]UNG MIT MINDESTENS ZWEI KAVITÄTEN MIT UNTERSCHIEDLICHEM [X.] UND/ODER [X.] SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG“

 und umfasst in der erteilten Fassung 9 Patentansprüche, die mit der am 5. September 2016 erhobenen Nichtigkeitsklage in vollem Umfang angegriffen werden.

 Die angegriffenen erteilten nebengeordneten Patentansprüche 1 und 7 lauten wie folgt:

 1. In der Mikrosystemtechnik einsetzbares [X.]auteil mit einem Substrat und einer Kappenstruktur, die so miteinander verbunden sind, dass sie mindestens einen ersten und einen zweiten Hohlraum umschließen, die gegeneinander und gegen die Außenumgebung abgedichtet sind, wobei wenigstens in dem ersten Hohlraum (5) ein Drehratensensor, [X.]eschleunigungssensor, Aktuator, Resonator, Display, digitaler Mikrospiegel, [X.]olometer und/oder [X.] angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass der erste der beiden Hohlräume mit einem  [X.]  versehen ist und aufgrund dieses  [X.] einen anderen Innendruck und/oder eine andere Gaszusammensetzung aufweist als der zweite Hohlraum.

 7. Verfahren zum Herstellen eines [X.]auteils wie in einem der Ansprüche 1 bis 6 definiert, umfassend die folgenden Schritte:

 a) [X.]ereitstellen eines in den [X.]ereichen des ersten Hohlraums mit einem ersten  [X.]  beschichteten flächigen Substrats oder einer solchen, ggf. flächig ausgebildeten Kappenstruktur,

 b) Justieren des flächigen Substrats oder der Kappenstruktur zu einem entsprechenden [X.] oder Substrat-Gegenstück,

 c) Einbringen des Paars aus flächigem Substrat und ggf. flächig ausgebildeter Kappenstruktur in eine Prozesskammer,

 d) Fluten der Prozesskammer mit einem [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer [X.], die von dem oder einem ersten  [X.]  absorbiert werden kann, und ggf. einer [X.], die von diesem  [X.]  nicht oder in substantiell geringerem Ausmaß absorbiert werden kann, wobei die [X.] mit dem Partialdruck PA und [X.] mit dem Partialdruck P[X.] vorliegt,

 e) In-Kontakt-[X.]ringen von Kappenstruktur und Substrat und Verbinden dieser beiden Teile mit Hilfe einer geeigneten Verbindungstechnik,

 f) Aktivieren des ersten  [X.] derart, dass es Moleküle der [X.] absorbiert.

 Die ebenfalls angegriffenen erteilten Patentansprüche 2 bis 6 sind auf Anspruch 1, die erteilten Patentansprüche 8 und 9 auf den vorangehenden nebengeordneten Patentanspruch 7 rückbezogen, welcher wiederum auf die Ansprüche 1 bis 6 rückbezogen ist.

 Die Klägerin ist der Ansicht, dass das [X.] mangels Patentfähigkeit für nichtig zu erklären sei. Dies stützt sie u. a. auf die Druckschriften (Nummerierung und Kurzzeichen nach Klageschriftsatz):

 E3: [X.] 6 713 828 [X.]1 und

 [X.]: [X.] , [X.], [X.] , [X.] und [X.] : Q-Factor Enhancement for  MEMS  Devices: the Role of the Getter Film. In: [X.], 2005.

 Die Klägerin beantragt,

 das Patent EP 2 004 542 mit Wirkung für die [X.] für nichtig zu erklären.

 Die [X.]eklagte beantragt,

 die Klage abzuweisen, soweit sie das Patent mit den Anträgen aus dem Schriftsatz vom 14. März 2018 verteidigt, hilfsweise, soweit sie das Patent mit dem Hilfsantrag aus dem Schriftsatz vom 14. Mai 2018 verteidigt.

 Die Patentansprüche nach dem Hauptantrag vom 14. März 2018 lauten (Änderungen gegenüber der erteilten Fassung unterstrichen):

 1. In der Mikrosystemtechnik einsetzbares [X.]auteil mit einem Substrat und einer Kappenstruktur, die so durch einen hermetisch schließenden [X.]ondrahmen miteinander verbunden sind, dass sie mindestens einen ersten und einen zweiten Hohlraum umschließen, die gegeneinander und gegen die Außenumgebung abgedichtet sind, wobei wenigstens in dem ersten Hohlraum (5) ein Drehratensensor, [X.]eschleunigungssensor, Aktuator, Resonator, Display, digitaler Mikrospiegel, [X.]olometer und/oder [X.] und in dem zweiten Hohlraum ein [X.]eschleunigungssensor angeordnet ist und wobei der erste Hohlraum einen anderen Innendruck aufweist als der zweite Hohlraum, dadurch gekennzeichnet, dass der erste der beiden Hohlräume mit einem  [X.]  versehen ist und dass sein Innendruck aufgrund dieses  [X.] anders ist einen anderen  [X.]  und/oder eine andere Gaszusammensetzung aufweist als der Innendruck des zweiten Hohlraums.

 2. [X.]auteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Hohlraum aufgrund dieses  [X.] auch eine andere Gaszusammensetzung aufweist als der zweite Hohlraum.

 23. [X.]auteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite der beiden Hohlraume kein  [X.]  enthält.

 34. [X.]auteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite der beiden Hohlraume ein zweites  [X.]  enthält, dessen Gasabsorptionseigenschaften sich von denen des  [X.] in dem ersten Hohlraum unterscheidet.

 45. [X.]auteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite der beiden Hohlraume dasselbe  [X.]  wie der erste Hohlraum enthalt, jedoch in einer geringeren Menge bzw. Fläche, bezogen auf das Volumen des Hohlraums.

 56. [X.]auteil nach einem der Anspruche 1 bis 45, dadurch gekennzeichnet, dass das  [X.]  zumindest in Teilbereichen strukturiert vorliegt ist.

 6. [X.]auteil nach einem der Anspruche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat und die Kappenstruktur durch einen hermetisch schließenden [X.]ondrahmen miteinander verbunden sind.

 7. Verfahren zum Herstellen eines [X.]auteils wie in einem der Ansprüche 1 bis 6 definiert, umfassend die folgenden Schritte:

 a) [X.]ereitstellen eines in den [X.]ereichen des ersten Hohlraums mit einem ersten  [X.]  beschichteten flächigen Substrats oder einer solchen, ggf. flächig ausgebildeten Kappenstruktur,

 b) Justieren des flächigen Substrats oder der Kappenstruktur zu einem entsprechenden [X.] oder Substratgegenstück,

 c) Einbringen des Paars aus flächigem Substrat und ggf. flächig ausgebildeter Kappenstruktur in eine Prozesskammer,

 d) Fluten der Prozesskammer mit einem [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer [X.], die von dem oder einem ersten  [X.]  absorbiert werden kann, und ggf. einer [X.], die von diesem  [X.]  nicht oder in substantiell geringerem Ausmaß absorbiert werden kann, wobei die [X.] mit dem Partialdruck PA und [X.] mit dem Partialdruck P[X.] vorliegt,

 e) In-Kontakt-[X.]ringen von Kappenstruktur und Substrat und Verbinden dieser beiden Teile mit Hilfe einer geeigneten Verbindungstechnik,

 f) Aktivieren des ersten  [X.] derart, dass es Moleküle der [X.] absorbiert.

 8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Verhältnis der Partialdrucke der in Schritt (d) eingesetzten [X.]n A und [X.] zwischen 1:99 und 99:1, vorzugsweise zwischen 1:95 und 95:1 beträgt.

 98. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8 zum Herstellen eines [X.]auteils mit mehr als zwei Hohlräumen und  [X.] zumindest in den beiden ersten Hohlräumen, wobei das [X.] zusätzlich eine weitere [X.] aufweist und das  [X.]  im ersten Hohlraum eine gegenüber der Gasmischung erste Absorptionseigenschaft und das  [X.]  im zweiten Hohlraum eine gegenüber der Gasmischung zweite Absorptionseigenschaft hat, die von einem zweiten oder einem dritten  [X.]  nicht oder in substantiell geringerem Ausmaßabsorbiert werden kann, wobei die [X.] mit dem Partialdruck PA, die [X.] mit dem Partialdruck P[X.] und die [X.] mit dem Partialdruck PC vorliegt.

 Der Hilfsantrag vom 14. Mai 2018 unterscheidet sich vom Hauptantrag lediglich in Anspruch 1, der nach dem Hilfsantrag wie folgt lautet (Änderungen gegenüber dem Hauptantrag gekennzeichnet):

 1. In der Mikrosystemtechnik einsetzbares [X.]auteil mit einem Substrat und einer Kappenstruktur,

 die so durch einen hermetisch schließenden [X.]ondrahmen miteinander verbunden sind, dass sie mindestens einen ersten und einen zweiten Hohlraum umschließen, die gegeneinander und gegen die Außenumgebung abgedichtet sind,

 wobei in dem ersten Hohlraum ein Drehratensensor und in dem zweiten Hohlraum ein [X.]eschleunigungssensor angeordnet ist, und

 wobei der erste Hohlraum einen von dem Drehratensensor benötigten anderen Innendruck (erster Innendruck) aufweist als und der zweite Hohlraum einen vom [X.]eschleunigungssensor benötigten Innendruck (zweiter Innendruck) aufweist, wobei sich die Innendrücke unterscheiden,

 dadurch gekennzeichnet, dass

 der erste der beiden Hohlräume mit einem  [X.]  versehen ist und dass durch das sein Innendruck aufgrund dieses  [X.] der Unterschied zwischen den Innendrücken eingestellt ist, und zwar dadurch, dass das  [X.]  aus einem in die Hohlräume gefüllten und dort eingeschlossenen [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer ersten [X.] besteht, diese erste [X.] vollständig oder im Wesentlichen vollständig oder zumindest teilweise absorbiert anders ist als der Innendruck des zweiten Hohlraums.

 Die [X.]eklagte tritt der Argumentation der Klägerin entgegen und hält den Gegenstand des [X.]s in den beschränkt verteidigten Fassungen für schutzfähig.

 Der Senat hat den Parteien einen ihnen jeweils am 12. Februar 2018 zugestellten Hinweis nach § 83 [X.] vom 7. Februar 2018 zukommen lassen, in dem den Parteien eine Frist zur Stellungnahme auf den Hinweis bis zum 14. März 2018 und eine weitere Stellungnahmefrist auf das Vorbringen der jeweiligen Gegenseite bis zum 18. April 2018 gesetzt worden ist.

Die zulässige Klage ist begründet. Nachdem die [X.]eklagte das St[X.]itpatent nur noch beschränkt verteidigt, ist es in der erteilten Fassung schon aus diesem Grund ohne Sachprüfung für nichtig zu erklä[X.]n. Aber auch soweit die [X.]eklagte das St[X.]itpatent beschränkt verteidigt, hat die Klage Erfolg, denn der beschränkten Verteidigung nach dem Hauptantrag steht sowohl als geschlossener Anspruchsfassung als auch hinsichtlich der von der [X.]eklagten ausdrücklich gesondert verteidigten einzelnen Ansprüche jeweils zumindest der [X.] mangelnder Patentfähigkeit gemäß Artikel II § 6 Absatz 1 Nr. 1 IntPatÜG, Art. 138 Abs. 1 [X.]uchst. a) EPÜ i. V. m. Art. 52, 56 EPÜ entgegen, und die weite[X.] beschränkte Verteidigung des St[X.]itpatents mit dem Hilfsantrag vom 14. Mai 2018 ist verspätet.

I. Zum Gegenstand des St[X.]itpatents

1. Das vorliegende St[X.]itpatent betrifft ein in der Mikrosystemtechnik einsetzba[X.]s [X.]auteil, welches sich als kombinierte [X.] von [X.]n Systemen eignet, die jeweils einen unterschiedlichen [X.]etriebsdruck benötigen, sowie ein Verfah[X.]n zu seiner Herstellung (vgl. [X.], Abs. (0001). Nach Absatz 0001 der [X.] könne im g[X.]ichen Arbeitsschritt die se[X.]ktive [X.]efüllung einer Kavität 1 mit definiertem Gasdruck [X.] und einer Kavität 2 mit Gasdruck [X.] erfolgen, wobei die Gasdrücke [X.] und [X.] voneinander unabhängig gewählt werden könnten. Dabei ließen sich unterschiedliche [X.] Systeme in einem [X.]auteil kombinie[X.]n und der Integrationsgrad solcher Systeme erheblich steigern.

Absatz 0002 der [X.] verweist hierzu auf mit Hilfe der Mikrosystemtechnik gefertigte [X.]autei[X.] (MEMS), die seit länge[X.]m für die miniaturisierte und kostengünstige Herstellung von Senso[X.]n und Akto[X.]n etabliert seien. Die Mikrosystemtechnik ([X.]) sei ein [X.]lativ junger Technologiezweig, der sich in großen Tei[X.]n die [X.]istungsfähigen Produktionsprozesse der Halb[X.]iterindustrie zu eigen mache, um mit diesen mikrotechnischen Verfah[X.]n, die auf den Grundwerkstoff Silizium zugeschnitten seien, makroskopische Technologiesysteme in die Mikrowelt zu übertragen; hierdurch werde die stetige Miniaturisierung und Leistungssteigerung von technischen Produkten unterstützt. Die mittels Mikrostrukturtechnik hergestellten Produkte fänden branchenüberg[X.]ifend Anwendung in der Mikroe[X.]ktronik, der Industrieautomation, der Kommunikations- und Medizintechnik, in der Automobilindustrie oder auch bei [X.]. Dabei erforderten die fortsch[X.]itende Miniaturisierung sowie die kontinuierliche Erhöhung der technologischen Integrationsdichte von [X.] eine anhaltende Entwicklung und Verbesserung von bestehenden Produktionsprozessen.

In der Automobilbranche, aber auch im Maschinenbau bestehe [X.]edarf an komp[X.]xen, integriert aufgebauten Mikrosystembautei[X.]n, die vielfältigste Mess- und Regelfunktionen autonom und mit geringem Energiebedarf durchführten. Die unterschiedlichen Sensorsysteme erforderten je nach Aus[X.]gung einen entsp[X.]chenden Arbeitsdruck. So benötigten [X.]sonante Systeme oftmals eine hohe Güte. Daher müsse die mechanische Dämpfung durch [X.] durch einen entsp[X.]chenden geringen Arbeitsdruck in der Kavität, in der sich das jeweilige Sensorsystem befinde, minimiert werden. [X.] zum [X.]eispiel würden typischerweise mit einem Arbeitsdruck von einem mbar bis einigen mbar betrieben. [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n müssten hingegen teilweise stark gedämpft werden, sodass hier der [X.]etriebsdruck in der Regel bei einigen hundert mbar liege (Absatz 0003 der [X.]).

Absatz0004 der [X.] verweist für den typischen Aufbau eines mikrosystemtechnisch hergestellten [X.]sonanten [X.] auf die [X.]ur 2:

Der unten liegende, oberflächen[X.] Sensor enthalte die aktive Sensorstruktur ([X.]). Durch einen spezifischen Ätzschritt, bei der eine Opferschicht entfernt werde, könnten f[X.]itragende Struktu[X.]n hergestellt werden. Für die kapazitive Detektion von [X.]ewegungen aus [X.] seien in einem Abstand von 1,5 mm Gegene[X.]ktroden imp[X.]mentiert. Die [X.]ewegungsrichtung [X.]r Systeme sei somit nicht nur auf [X.]ewegungen in [X.] ([X.]) beschränkt, sondern es könnten auch [X.] plane [X.]ewegungen ange[X.]gt und detektiert werden. In dem obe[X.]n [X.] ([X.]) sei über der Sensorstruktur eine 60 mm tiefe Kavität eingebracht, in welcher [X.] zur Absorption und chemischen [X.]indung von Gasmo[X.]kü[X.]n abgeschieden ist. Die feste Verbindung von Sensor- und Kappenwafer auf Wafer-Ebene, das sogenannte [X.], werde hier durch ein [X.] bewirkt. Der [X.]ondrahmen aus [X.] sorge für eine hermetische Kapselung, so dass der beim eutektischen Verbindungsprozess eingestellte Druck erhalten b[X.]ibe. Durch die in der Kavität eingebrachte Getterschicht werde sichergestellt, dass ein minima[X.]r Kavitätsinnendruck von bis zu 10-6 bar eingestellt und über die gesamte Lebensdauer des [X.]aue[X.]ments erhalten werden könne.

lm [X.]e[X.]ich der Mikrosystemtechnik sei die [X.] von [X.] eines der am wenigsten entwickelten, jedoch g[X.]ichzeitig eines der wichtigsten und herausforderndsten Technologiefelder. [X.]esonders die [X.]e[X.]itstellung einer hermetischen [X.] sei eine Schlüsseltechnologie für vie[X.] [X.] Komponenten. Durch die hermetische Verkapselung würden [X.] vor schädlichen Umwelteinflüssen [X.], mechanischer oder chemischer Schädigung) abgeschirmt und so ih[X.] zuverlässige Funktion und Lebensdauer entscheidend verlängert. Darüber hinaus benötigten moderne [X.]sonant betriebene [X.] ein spezifisches Arbeitsgas oder einen definiert eingestellten Umgebungsdruck in der Gehäusekavität, um die geforderte Funktionalität zu erfül[X.]n (Absatz 0005 der [X.]).

Nach nähe[X.]r Darstellung des [X.] ([X.]) in Absätzen 0006 bis 0008 der [X.] und der in den [X.]tzten Jahrzehnten entwickelten [X.]ien (Absatz 0009 der [X.]) sowie einer Würdigung der Druckschriften EP 0 794 558 [X.] (= [X.]), [X.] 2005/0023629 [X.] (= [X.]), der [X.] 2005/050751 [X.] (= [X.]) und der [X.] 2004/0183214 [X.] (= [X.]) bezeichnet es Absatz 0014 der [X.] als Aufgabe der Erfindung, für die Mikrosystemtechnik vorgesehene [X.]autei[X.] (MEMS) mit mindestens zwei Kavitäten oder Hohlräumen, wie sie in der nachstehenden, ein solches [X.]auteil darstel[X.]nden [X.]ur 1 der [X.] mit den Ziffern I und ll bezeichnet sind, be[X.]itzustel[X.]n, de[X.]n Gasräume unterschiedliche Drücke und/oder unterschiedliche Gaszusammensetzungen aufweisen.

Zudem sol[X.] die Erfindung auch [X.] (z. [X.]. Wafer) mit einem Substrat und einer Kappenstruktur be[X.]itstel[X.]n, aus denen sich die genannten [X.]autei[X.] durch T[X.]nnen (Sägen oder dgl.) herstel[X.]n ließen. Schließlich sol[X.] die Erfindung Verfah[X.]n be[X.]itstel[X.]n, mit denen sich die genannten [X.]autei[X.] sowie die [X.], aus denen sie u .a. gefertigt werden könnten, herstel[X.]n ließen.

Zur Lösung dieser Aufgaben schlägt das St[X.]itpatent ein [X.]auteil nach Anspruch 1 sowie ein Verfah[X.]n zu dessen Herstellung nach Anspruch 7 vor.

Danach sei ein erster der beiden Hohlraume eines (MEMS-)[X.]auteils mit einem (ersten) [X.] versehen und das [X.] von Substrat und Kappe erfolge in einer Gasatmosphä[X.], die mindestens eine [X.] aufweise, die vom ersten [X.] absorbiert werden könne, so dass aufgrund der Absorptionseigenschaften des [X.] gegenüber dieser [X.] nach der Aktivierung des [X.] der erste der beiden Hohlräume einen ande[X.]n Innendruck und/oder eine ande[X.] Gaszusammensetzung aufweise als ein zweiter Hohlraum. In bevorzugter Weise weise die Gasatmosphä[X.] zwei [X.]n A und [X.] auf, die gegenüber dem (ersten) [X.] unterschiedliche Absorptionseigenschaften besäßen. Der zweite Hohlraum enthalte entweder kein [X.], oder er enthalte ein zweites [X.] mit ande[X.]n Absorptionseigenschaften, oder er enthalte das erste oder ein zweites [X.] in einer Menge, aufgrund der – nach Aktivierung des [X.] – ein ande[X.]s Verhältnis der beiden [X.]n in diesem zweiten Hohlraum entstehe als im ersten Hohlraum.

2. Die mit dem neuen Hauptantrag nur noch beschränkt verteidigten nebengeordneten Ansprüche 1 und 7 lassen sich wie folgt gliedern:

Anspruch 1:

In der Mikrosystemtechnik einsetzba[X.]s [X.]auteil

1.1 mit einem Substrat und einer Kappenstruktur, die so durch einen hermetisch schließenden [X.]ondrahmen miteinander verbunden sind, dass

1.1.1 sie mindestens einen ersten und einen zweiten Hohlraum umschließen,

1.1.2 die gegeneinander und gegen die Außenumgebung abgedichtet sind,

1.2 wobei in dem ersten Hohlraum ein D[X.]hratensensor und in dem zweiten Hohlraum ein [X.]esch[X.]unigungssensor angeordnet ist und

1.3 wobei der erste Hohlraum einen ande[X.]n Innendruck aufweist als der zweite Hohlraum

dadurch gekennzeichnet, dass

1.4 der erste der beiden Hohlräume mit einem [X.] versehen ist und

1.5 dass sein Innendruck aufgrund dieses [X.] anders ist als der Innendruck des zweiten Hohlraums.

Anspruch 7:

Verfah[X.]n zum Herstel[X.]n eines [X.]auteils wie in einem der Ansprüche 1 bis 6 definiert, umfassend die folgenden Schritte:

a) [X.]e[X.]itstel[X.]n eines in den [X.]e[X.]ichen des ersten Hohlraums mit einem ersten [X.] beschichteten flächigen Substrats oder einer solchen, ggf. flächig ausgebildeten Kappenstruktur,

b) Justie[X.]n des flächigen Substrats oder der Kappenstruktur zu einem entsp[X.]chenden [X.] oder [X.],

c) Einbringen des Paa[X.]s aus flächigem Substrat und ggf. flächig ausgebildeter Kappenstruktur in eine [X.],

d) Fluten der [X.] mit einem [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer [X.] A, die von dem oder einem ersten [X.] absorbiert werden kann, und ggf. einer [X.] [X.], die von diesem [X.] nicht oder in substantiell geringe[X.]m Ausmaß absorbiert werden kann, wobei die [X.] A mit dem Partialdruck PA und [X.] [X.] mit dem Partialdruck P[X.] vorliegt,

e) In-Kontakt-[X.]ringen von Kappenstruktur und Substrat und Verbinden dieser beiden Tei[X.] mit Hilfe einer geeigneten Verbindungstechnik,

f) Aktivie[X.]n des ersten [X.] derart, dass es Mo[X.]kü[X.] der [X.] A absorbiert.

3. Der zuständige Fachmann, ein Physiker oder ein Ingenieur der E[X.]ktrotechnik, Schwerpunkt Mikrosystemtechnik, der mehrjährige Erfahrung auf dem Gebiet der Entwicklung von [X.]n bzw. mikroe[X.]ktromechanischen [X.]autei[X.]n aufweist, wird die erfindungsgemäßen Gegenstände und die in den vorgenannten Ansprüchen verwendeten [X.]egriffe wie folgt verstehen:

[X.] betrifft gemäß den unabhängigen Patentansprüchen 1 und 7 ein Mikrosystem-[X.]auteil sowie ein Verfah[X.]n zu dessen Herstellung. Das [X.]auteil weist ein Substrat auf, welches gemäß [X.]ur 3 (vgl. eingefügte [X.]ur unten) und der zugehörigen [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents als [X.] 1 ausgeführt sein kann. Über dem Substrat bzw. dem [X.] ist eine Kappenstruktur 2 ausgebildet, wobei das Substrat und die Kappenstruktur miteinander durch einen hermetisch schließenden [X.]ondrahmen verbunden sind (vgl. Merkmal 1.1). Die Verbindung von Substrat und Kappenstruktur durch den [X.]ondrahmen kann laut [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents mit einem „[X.]ondprozess“ erfolgen (vgl. Abs. 0016 auf [X.], [X.] 23-27). Das Substrat 1 und die Kappenstruktur 2 sind dabei so miteinander verbunden, dass sie mindestens einen ersten Hohlraum 5 und einen zweiten Hohlraum 6 umschließen (vgl. Merkmal 1.1.1). Diese Hohlräume (bzw. Kavitäten) sol[X.]n gegeneinander und gegen die Außenumgebung abgedichtet sein (Merkmal 1.1.2).

Im ersten Hohlraum 5 soll ein D[X.]hratensensor angeordnet sein, wäh[X.]nd in dem zweiten Hohlraum 6 ein [X.]esch[X.]unigungssensor angeordnet sein soll (vgl. Merkmal 1.2 sowie [X.]. 3, [X.]ezugszeichen 3 und 4). Der erste Hohlraum 5 soll dabei einen ande[X.]n Innendruck aufweisen als der zweite Hohlraum 6 (vgl. Merkmal 1.3).

Gemäß Merkmal 1.4 im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 ist der erste Hohlraum mit einem [X.] (vgl. [X.]ezugszeichen 8 in [X.]. 3) versehen. Unter einem [X.] versteht der Fachmann – im Einklang mit der [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents – ein Material, welches Gasmo[X.]kü[X.] absorbiert bzw. chemisch bindet (vgl. Abs. 0004). Gemäß Absatz 0009 der [X.] eignet sich dabei u. a. das Metall [X.]tan ([X.]) als [X.]. Aufgrund des [X.] in dem ersten Hohlraum 5 soll dieser Hohlraum einen ande[X.]n Innendruck aufweisen als der zweite Hohlraum 6 (vgl. Merkmal 1.4 sowie Merkmal 1.5). Gemäß [X.] kann das [X.] in beliebiger Form (z. [X.]. als St[X.]ifen oder Fläche) in dem Hohlraum (Kavität) angeordnet sein und sich auf der Kappenseite oder der [X.] befinden (vgl. Abs. 0024).

[X.]ei der Herstellung des [X.]aue[X.]ments soll gemäß nebengeordnetem Anspruch 7 ein flächiges Substrat bzw. eine flächige Kappenstruktur be[X.]itgestellt werden, wobei das Substrat oder die Kappenstruktur in den [X.]e[X.]ichen des ersten Hohlraums mit dem vorstehend bezüglich Anspruch 1 genannten [X.] beschichtet sein soll (Verfah[X.]nsschritt a). Das flächige Substrat oder die Kappenstruktur soll dann in einem Verfah[X.]nsschritt b so justiert werden, dass ein entsp[X.]chendes [X.] oder [X.] entsteht. Anschließend soll das Paar aus flächigem Substrat und Kappenstruktur in eine [X.] eingebracht werden (Verfah[X.]nsschritt c). Die [X.] wird sodann mit einem [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer [X.] A, die von dem [X.] absorbiert werden kann, und ggf. einer [X.] [X.] geflutet, die von dem [X.] nicht oder in substantiell geringe[X.]m Ausmaß absorbiert werden kann, wobei die [X.] A mit einem Partialdruck PA und die [X.] [X.] mit einem zugehörigen Partialdruck P[X.] vorliegen soll (Verfah[X.]nsschritt d). Als [X.]eispie[X.] für die erste [X.] A führt das [X.], [X.], C[X.] oder [X.] oder eine beliebige Mischung davon auf, für die [X.] [X.] dagegen ein Inert- bzw. Edelgas wie Argon oder [X.] (vgl. Abs. 0019). Der nächste Verfah[X.]nsschritt (e) beinhaltet ein In-Kontakt-[X.]ringen von Kappenstruktur und Substrat und Verbinden dieser beiden Tei[X.] mit Hilfe einer geeigneten Verbindungstechnik, was in der [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents als [X.]ondprozess aufgeführt ist (vgl. u. a. Abs. 0016 auf [X.], [X.] 23-27). Schließlich ist das Aktivie[X.]n des ersten [X.] vorgesehen, wobei das [X.] Mo[X.]kü[X.] der [X.] A absorbiert (Verfah[X.]nsschritt f). Gemäß [X.] kann eine solche Aktivierung durch ein Erhitzen bzw. einen [X.] erfolgen (vgl. Abs. 0009 und 0019).

II. Zur beschränkten Verteidigung nach Hauptantrag

1. Ob, wie die Klägerin geltend macht, der beschränkten Verteidigung des St[X.]itpatents mit der neuen Fassung des Anspruchs 1 be[X.]its entgegensteht, dass diese unklar, unzulässig erweitert oder nicht ausführbar ist, kann dahinstehen; denn jedenfalls erweist sich die neue Anspruchsfassung in Anspruch 1 gegenüber der unst[X.]itig vorveröffentlichten Entgegenhaltung [X.] als nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit [X.] Art. 52, 56 EPÜ beruhend.

Druckschrift [X.] besch[X.]ibt ein mikroe[X.]ktromechanisches System (MEMS), welches entsp[X.]chend dem ein[X.]itenden Merkmal des Anspruchs 1 als [X.]auteil in der Mikrosystemtechnik einsetzbar ist (vgl. Abstract und [X.]. 1, [X.] 17-21 sowie die [X.]u[X.]n 4 und 15 mitsamt zugehörigem Text in [X.]. 4, [X.] 62, bis [X.]. 5, [X.] 3, und [X.]. 10, [X.] 5-38, sowie [X.]. 12, [X.] 4-17).

Das mikroe[X.]ktromechanische [X.]auteil weist ein flächiges Substrat (substrate 24) und eine darüber liegende flächige Kappenstruktur mit einer Abdichtungsschicht (sealing layer) auf (vgl. Abstract und [X.]. 15, [X.]ezugszeichen 78 sowie 62, 66 und 74, die [X.]estandtei[X.] der Kappenstruktur darstel[X.]n), wobei darauf hingewiesen wird, dass ein solches [X.]auteil mittels eines anodischen [X.]ond-Prozesses ([X.]) und eines hermetischen Transfers ([X.]) hergestellt wird (vgl. Abstract, [X.]. 2, [X.] 51-56, [X.]. 2, 4 und 15 sowie [X.]. 10, [X.] 33-38 u. [X.] 59-64). Dies bedeutet, dass das Substrat und die Kappenstruktur mit der Abdichtungsschicht im Zusammenhang mit dem anodischen [X.]ond-Prozess sowie dem hermetischen Transfer miteinander durch einen hermetisch abschließenden [X.]ondrahmen verbunden sind (Merkmal 1.1). Das Substrat und die abdichtende Kappenstruktur umschließen einen ersten Hohlraum (cavity 36) und einen zweiten Hohlraum (cavity 54) entsp[X.]chend Merkmal 1.1.1, wobei die beiden Hohlräume durch die Kappenstruktur und die zugehörige Abdichtungsschicht (sealing layer) auch gegeneinander und hermetisch gegen die Außenumgebung (ambient environment) abgedichtet sind (vgl. Abstract, [X.]. 4, [X.]. 4, [X.] 62-64 i. V. m. [X.]. 5, [X.] 14-20 und [X.]. 15 / Merkmal 1.1.2). Des Weite[X.]n wird in Druckschrift [X.] darauf hingewiesen, dass in solchermaßen abgedichteten Hohlräumen sowohl D[X.]hratensenso[X.]n (gyroscopes) als auch [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n (acce[X.]rometers) angeordnet werden können (vgl. [X.]. 2, [X.] 43-46, [X.]. 8, [X.] 7-11, [X.]. 10, [X.] 59-64, [X.]. 12, [X.] 14-17, und [X.]. 13, Claims 8, 9). Aufgrund dieses Hinweises bezüglich einer Anordnung von D[X.]hraten- bzw. [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n in den beiden abgedichteten Hohlräumen liegt es für den Fachmann nahe, in einem der beiden Hohlräume wie dem ersten Hohlraum (cavity 36) einen D[X.]hratensensor (gyroscope / gyro) und in dem ande[X.]n der beiden Hohlräume, d. h. dem zweiten Hohlraum (cavity 54), entsp[X.]chend Merkmal 1.2 einen [X.]esch[X.]unigungssensor (acce[X.]rometer) anzuordnen. Dabei wird bezüglich verschiedener Senso[X.]n wie den genannten D[X.]hraten- bzw. [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n be[X.]its darauf hingewiesen, dass diese zu ih[X.]m [X.]etrieb jeweils einen bestimmten Druck benötigen (vgl. [X.]. 10, [X.] 59-64: […] devices which need control[X.]d p[X.]ssu[X.] damping for operation […] gyroscopes and acce[X.]rometers […]). Daraus, dass jeder der verschiedenen Senso[X.]n einen bestimmten Druck zu seinem [X.]etrieb benötigt, folgt für den Fachmann auch ohne weite[X.]s, dass der erste Hohlraum für den erstgenannten Sensor dementsp[X.]chend einen ande[X.]n Innendruck für dessen [X.]etrieb aufweist als der zweite Hohlraum für den [X.]etrieb des ande[X.]n Sensors (Merkmal 1.3).

Des Weite[X.]n offenbart Druckschrift [X.], dass eine [X.]eschichtung, die [X.]tan ([X.]) beinhaltet ([X.]tanium-Platinum-Gold ([X.]/Pt/Au) layers) auf dem Substrat (substrate 24 / glass side) aufgebracht ist (vgl. [X.]. 6, [X.] 51-55 und [X.]. 6, [X.] 67, bis [X.]. 7, [X.] 5, sowie [X.]. 10, [X.] 33-35). Eine solche [X.]eschichtung wird im Zusammenhang mit [X.]ur 15 und dem ersten Hohlraum (cavity 36) als [X.] ([X.]/Pt/[X.]) zum Auffangen (gettering) von stö[X.]ndem Gas in Form von Sauerstoff (oxygen) beschrieben, welches aus dem Substrat ausdiffundie[X.]n kann und sich damit im Hohlraum befindet (vgl. [X.]. 10, [X.] 33-35, i. V. m. [X.]. 10, [X.] 59-64). Somit handelt es sich bei der [X.], mit welcher der erste Hohlraum (cavity 36) versehen ist, auch um ein [X.] entsp[X.]chend Merkmal 1.4, welches in g[X.]icher Weise wie das in der [X.] in Absatz 0009 in Verbindung mit Absatz 0024 aufgeführte [X.] auf [X.]tan basiert. Der Innendruck in einem Hohlraum hängt dabei zwangsläufig vom [X.] und dessen [X.]eschichtungsfläche im Verhältnis zum Hohlraumvolumen ab, da die Menge des durch das [X.] aufgefangenen bzw. [X.] die Gasmenge im Hohlraum beeinflusst, wobei der Innendruck von der [X.]tztendlich verbliebenen Gasmenge im gegebenen Hohlraumvolumen abhängt. Aus [X.]ur 15 ist dabei ersichtlich, dass das [X.] in Form der [X.] ([X.]/Pt/[X.]) das Substrat und damit auch die Grundfläche des ersten Hohlraums (cavity 36) fast vollständig bedeckt. Folglich wird hier auch eine entsp[X.]chende Menge an Gas bzw. Sauerstoff absorbiert, wäh[X.]nd der Fachmann davon ausgeht, dass in dem zweiten Hohlraum (cavity 54) aufgrund dessen verschiedener Ausformung mit einem ande[X.]n Hohlraumvolumen auch eine ande[X.] verbliebende Gasmenge vorhanden ist. Insgesamt bedeutet dies für den Fachmann, dass der Innendruck des ersten Hohlraums aufgrund des in der Druckschrift [X.] aufgeführten erforderlichen unterschiedlichen [X.]etriebsdrucks für verschiedene Senso[X.]n (vgl. vorstehende Ausführungen) und des zuvor genannten [X.] im ersten der jeweiligen Hohlräume (cavity 36 / cavity 54) zwangsläufig anders sein muss, als der Innendruck im zweiten, davon verschiedenen Hohlraum (Merkmal 1.5).

Der von der [X.]eklagten in der mündlichen Verhandlung vert[X.]tenen Auffassung, dass der Stand der Technik gemäß Druckschrift [X.] und der dortigen [X.]ur 15 einen ersten Hohlraum mit einem vollständigen/absoluten Vakuum sowie ein [X.] [X.]h[X.], welches den aus dem Substrat ausdiffundie[X.]nden Sauerstoff als stö[X.]ndes Gas di[X.]kt auffange, wäh[X.]nd das St[X.]itpatent kein Vakuum, sondern einen Gas-Innendruck im Hohlraum vorsehe, kann nicht beiget[X.]ten werden. Entgegen der von der [X.]eklagten vert[X.]tenen Auffassung geht der Fachmann davon aus, dass in solchen Hohlräumen in der Praxis stets verb[X.]ibende Gasmo[X.]kü[X.] vorhanden sind, die einem absoluten Vakuum entgegenstehen und die für einen Partialdruck [X.] bzw. Innendruck sorgen, wie es auch im St[X.]itpatent im Zusammenhang mit dem [X.] und einem „Partialdruck von angenähert null“ aufgeführt wird. Der [X.]egriff „Vakuum“ wird im St[X.]itpatent zudem insoweit [X.]lativiert, dass [X.]diglich ein „mehr oder weniger stark dem Absolutwert angenähertes Vakuum“ vorliege (vgl. [X.], Abs. 0021). Dabei werden sowohl in Druckschrift [X.] wie auch im St[X.]itpatent jeweils [X.]tan ([X.]) als metallisches [X.] für Gasmo[X.]kü[X.] aufgeführt (vgl. [X.], Abs. 0009, bzw. [X.], [X.]. 10, [X.] 33-36: The [X.] is used […] to enab[X.] gettering). Dementsp[X.]chend ist ein Unterschied hinsichtlich eines Innendruckes im ersten Hohlraum, wie ihn die [X.]eklagte in [X.]ezug auf Druckschrift [X.] geltend macht, weder den Merkma[X.]n des Anspruchs 1 noch der [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents zu entnehmen. Aus dem Anspruch 1 geht auch nicht hervor, dass – entsp[X.]chend der Argumentation der [X.]eklagten – beim St[X.]itpatent vorgesehen sei, ein Gas gezielt in einen Hohlraum einzufüh[X.]n, um es danach kontrolliert mittels eines [X.] zu absorbie[X.]n und damit einen bestimmten Innendruck einzustel[X.]n. Da sich eine solche Maßnahme nicht im [X.] wiederfindet, kann – was die Klägerin angezweifelt hat – diesbezüglich auch dahinstehen, ob ein [X.] überhaupt in der Lage ist, nicht nur [X.], sondern auch hin[X.]ichend vie[X.] Mo[X.]kü[X.] [X.] aufzufangen, um einen bestimmten Innendruck in einem Hohlraum einzustel[X.]n.

Entgegen der Auffassung der [X.]eklagten gelangt der Fachmann damit in Kenntnis der Druckschrift [X.] in naheliegender Weise zu einem in der Mikrosystemtechnik einsetzba[X.]n [X.]auteil mit sämtlichen Merkma[X.]n 1.1 bis 1.5 des Anspruchs 1 inklusive den entsp[X.]chenden D[X.]hraten- bzw. [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n in den verschiedenen Hohlräumen, ohne erfinderisch tätig werden zu müssen.

2. Auch die [X.] bis 5 und 8 in der beschränkt verteidigten Fassung enthalten nichts selbständig Patentfähiges. Solches hat auch die [X.]eklagte nicht dargetan.

III. Zur gesonderten Verteidigung mit den Ansprüchen 2, 6 und 7

Die [X.]eklagte kann das St[X.]itpatent auch nicht mit den von ihr hierzu genannten Ansprüchen 2, 6 und 7 gesondert verteidigen, da den jeweiligen Gegenständen dieser Ansprüche ebenfalls der [X.] der feh[X.]nden Patentfähigkeit (Art. II § 6 Abs. 1 Nr. 1 IntPatÜG i. V. m. Art. 138 Abs. 1 [X.]uchst. a), Art. 52 bis 57 EPÜ) entgegensteht.

1. Anspruch 2

Auch die im ausdrücklich verteidigten Anspruch 2 genannte Maßnahme bezüglich einer unterschiedlichen Gaszusammensetzung in den verschiedenen Hohlräumen kann eine erfinderische Tätigkeit nicht begründen.

Wie zuvor im Hinblick auf Anspruch 1, auf den Anspruch 2 rückbezogen ist, darge[X.]gt, liegt es für den Fachmann in Kenntnis der Druckschrift [X.] nahe, einen D[X.]hratensensor in einem ersten Hohlraum und einen [X.]esch[X.]unigungssensor in einem zweiten Hohlraum eines in der Mikrosystemtechnik einsetzba[X.]n [X.]auteils entsp[X.]chend den Merkma[X.]n 1.1 bis 1.5 anzuordnen. Dabei wird in Druckschrift [X.] – wie vorstehend ausgeführt – auch darauf hingewiesen, dass die verschiedenen Senso[X.]n zu ih[X.]m [X.]etrieb jeweils einen bestimmten verminderten Innendruck im Hohlraum benötigen, der in bestimmter Weise eingestellt ist, wobei ein [X.] zum Auffangen von Gas/Sauerstoff genannt wird (vgl. vorstehende Ausführungen zum Anspruch 1 mit Zitatstel[X.]n a. a. O.). Details zu einzelnen benötigten [X.]n in solchen Hohlräumen sind Druckschrift [X.] jedoch nicht zu entnehmen. Der Fachmann, der ein solches [X.]auteil mit D[X.]hraten- und [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n konk[X.]t [X.]alisie[X.]n will, hat daher Veranlassung, sich über Druckschrift [X.] hinaus im Stand der Technik über entsp[X.]chende Einzelheiten zu informie[X.]n. Solche Informationen findet der Fachmann in der vorveröffentlichten Druckschrift [X.], die sich mit konk[X.]ten [X.]n und geeigneten Gaszusammensetzungen in abgeschlossenen Hohlräumen zwischen einem Substrat (substrate) und einer Kappenstruktur (cap wafer) im Zusammenhang mit D[X.]hratensenso[X.]n (angular rate sensors / gyrometers) und [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n (acce[X.]rometers) sowie einem [X.] ([X.] (NEG)) zum Auffangen von Gas/Sauerstoff ([X.]) befasst (vgl. Abstract, S. 801, li. [X.]., und [X.], li. [X.]. zweiter Abs. u. [X.]. [X.]. erster Abs., [X.], li. [X.]. zweiter und [X.]. Abs., sowie [X.]. 1 auf [X.]).

Dabei [X.]hrt Druckschrift [X.] den Einsatz einer Edelgasumgebung (nob[X.] gas environment) mit unterschiedlichen [X.]n im Millibar-[X.]e[X.]ich (mbar), wobei dies in Druckschrift [X.] auch als [X.] (Vacuum [X.]vel) bezeichnet wird (vgl. S. 801, Tabel[X.] 1, insbes. erste, zweite und vierte Zei[X.]). In Tabel[X.] 1 wird konk[X.]t ein Druckbe[X.]ich von 300 bis 700 mbar für [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n (acce[X.]rometers) und ein davon verschiedener Druckbe[X.]ich von 10-1 bis 10-4 mbar für D[X.]hratensenso[X.]n ([X.]sonator (angular rate)) angegeben (vgl. S. 801, li. u. [X.]. [X.].). Es wird zudem darauf hingewiesen, dass mit dem [X.] angest[X.]bt wird, neben Sauerstoff ([X.]) auch ande[X.] aktive Gase wie Stickstoff ([X.]) aufzufangen bzw. zu absorbie[X.]n, welche in einer Edelgasumgebung (nob[X.] gas environment) enthalten sind (vgl. [X.], [X.]. [X.]. zw. Abs. [X.], li. [X.]. [X.]. Abs.: The use of [X.] (NEG) […]. [X.] sorb [X.], including [X.], CO, C[X.], [X.], [X.] […]). Da die Menge [X.] in einem Hohlraum mit dessen Innendruck kor[X.]liert, bestimmt der Einsatz eines [X.] zwangsläufig auch die Gaszusammensetzung in einem Hohlraum mit einem Edelgas (nob[X.] gas) und noch darin enthaltenen aktiven Gasen (u. a. [X.], [X.]). Eine Zusammenschau der Druckschriften [X.] und [X.] [X.]hrt den Fachmann folglich, dass ein erster Hohlraum mit einem geeigneten Innendruck für einen bestimmten Sensor – wie einem D[X.]hratensensor – entsp[X.]chend Anspruch 2 aufgrund des Einsatzes eines [X.] eine ande[X.] Gaszusammensetzung mit einem Edelgas und einem aktiven Gas aufzuweisen hat als ein zweiter Hohlraum mit einem davon verschiedenen Innendruck für einen ande[X.]n Sensor.

Der Gegenstand des Anspruchs 2, der auf Anspruch 1 rückbezogen ist, ergibt sich damit für den Fachmann in naheliegender Weise aus einer Kenntnis der Druckschriften [X.] und [X.].

2. Anspruch 6

Auch die in Anspruch 6 im Zusammenhang mit den Merkma[X.]n des Anspruchs 1 bzw. des Anspruchs 2 genannte Maßnahme, dass das [X.] zumindest in Teilbe[X.]ichen strukturiert vorliegen soll, kann eine Patentfähigkeit nicht begründen. Denn in Druckschrift [X.] wird auch be[X.]its darauf hingewiesen, dass eine strukturierte Aufbringung von [X.] ([X.] getter material) und eine poröse Struktur des [X.] (structu[X.] of the thin getter film is porous) dessen Absorptionseigenschaften verbessert (vgl. [X.], li. [X.]. [X.]. und [X.]. Abs., sowie [X.]. [X.]. erster Abs.). Damit ist das in Anspruch 6 explizit aufgeführte Merkmal, dass das [X.] zumindest in Teilbe[X.]ichen strukturiert ist, auch be[X.]its aus Druckschrift [X.] bekannt. Zu den Merkma[X.]n des Anspruchs 1 bzw. den Merkma[X.]n des Anspruchs 2, auf die Anspruch 6 rückbezogen ist, wird auf die entsp[X.]chenden vorherigen Ausführungen zur Druckschrift [X.] und [X.] verwiesen.

Damit ergibt sich der Gegenstand des Anspruchs 6 ebenfalls in naheliegender Weise aus einer Kenntnis der Druckschriften [X.] und [X.].

3. Anspruch 7

Auch der Gegenstand des gesondert verteidigten Anspruchs 7 des [X.] beruht nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit. Wie vorstehend im Hinblick auf die Ansprüche 1, 2 und 6 darge[X.]gt, offenba[X.]n sowohl Druckschrift [X.] als auch Druckschrift [X.] jeweils ein in den [X.]e[X.]ichen eines Hohlraumes mit einem [X.] beschichtetes Substrat bzw. eine zugehörige flächig ausgebildete Kappenstruktur, was dessen [X.]e[X.]itstellung entsp[X.]chend Merkmal a des Verfah[X.]nsanspruch 7 mit umfasst (vgl. [X.] und [X.] a. a. O. sowie die vorstehenden Ausführungen zu einer Zusammenschau der beiden Druckschriften). Dabei besch[X.]ibt Druckschrift [X.] mit den [X.]u[X.]n 4 und 15 ein [X.]auteil, bei dem das flächige Substrat (substrate 24) und die flächige Kappenstruktur mitsamt einer Abdichtungsschicht (sealing layer) auch so aufeinander angeordnet und somit derart justiert sind, dass sie ein [X.] bzw. [X.] bilden, wie es in Merkmal b aufgeführt ist. Dies gilt in g[X.]icher Weise für das im Stand der Technik gemäß Druckschrift [X.] beschriebene [X.]auteil mit einer [X.] und einer Substratstruktur, die zueinander justiert sind und ein [X.]auteil-Paar aus [X.] und [X.] bilden (vgl. u. a. [X.]. 1 auf [X.] sowie die vorstehenden Ausführungen zu [X.]). Des Weite[X.]n [X.]hrt Druckschrift [X.] auch, dass das [X.]auteil-Paar aus Substrat und Kappenstruktur im Rahmen der Herstellung eines Sensor-Hohlraumes zunächst in eine Vakuum-[X.] (vacuum chamber) eingebracht wird (vgl. [X.], li. [X.]. zw. Abs. / Merkmal c). Die Vakuum-[X.] wird anschließend mit einem [X.] in Form eines als [X.] dienenden Edelgases (nob[X.] gas / inert gas) geflutet, welches als Verun[X.]inigung bzw. Kontamination zusätzlich ein [X.] ([X.], CO, C[X.], [X.], [X.] […])) enthält, wobei das [X.] der im Anspruch 7 des St[X.]itpatents aufgeführten [X.] A entspricht (vgl. [X.], li. [X.]. [X.]tzter Abs. sowie [X.], li. [X.]. [X.]. Abs. und [X.]. [X.]. erster Abs.: […] a control[X.]d gas-filling procedu[X.] has to be established. [X.] inert gases […]; vgl. zudem [X.], Tabel[X.]n 3 und 4). Das [X.] entspricht dabei der im Anspruch 7 des St[X.]itpatents angegebenen [X.] [X.] und wird als Edelgas aufgrund seiner geringen [X.]indungsneigung zwangsläufig nicht bzw. nur in substantiell geringem Ausmaß vom [X.] absorbiert (vgl. [X.], [X.]. [X.]. zw. Abs.). Damit liegt in der Gasmischung, mit der die [X.] geflutet wird, auch jede der beiden genannten [X.]n zwangsläufig mit einem zugehörigen Teildruck bzw. Partialdruck vor, wie es in Merkmal d des Anspruchs 7 aufgeführt ist. Druckschrift [X.] [X.]hrt darüber hinaus das In-Kontakt-[X.]ringen und Verbinden von Kappenstruktur und Substrat mit Hilfe eines [X.]onding-Prozesses (bonding process / eutectic bonding) entsp[X.]chend dem Merkmal e (vgl. [X.]. 1, [X.], li. [X.]. [X.]tzter u. [X.]tzter Abs., sowie [X.], li. [X.]. [X.]tzter Abs.). Entgegen der von der [X.]eklagten vert[X.]tenen Auffassung [X.]hrt Druckschrift [X.] dabei ebenfalls, dass das [X.] nicht nur zur Entfernung von Ausgasungen aus den Oberflächen des Hohlraumes, sondern auch zum Auffangen des mit dem [X.] (nob[X.] gas) eingebrachten [X.]es [X.]) dient (vgl. [X.], [X.]. [X.]. zweiter vollständiger Satz, [X.], [X.]. [X.]. zweiter Abs., sowie [X.], li. [X.]. erster Abs.). Dabei muss das [X.] laut Druckschrift [X.] zunächst aktiviert werden, bevor es entsp[X.]chende Gasmo[X.]kü[X.] absorbie[X.]n kann (vgl. [X.], li. [X.]. [X.]tzter Abs. und [X.], [X.]. [X.]. zweiter Abs.: getter film […] needs to be activated […] to activate the thin getter film so that it can start absorbing gases after the MEMS vacuum bonding at wafer [X.]vel). Das bedeutet für den Fachmann nichts ande[X.]s, als dass das [X.] derart zu aktivie[X.]n ist, dass es die vorstehend genannten Gasmo[X.]kü[X.] (u. a. [X.], [X.]) des [X.]es [X.]), welches der [X.] A entspricht, entsp[X.]chend Merkmal f absorbiert.

Der Fachmann gelangt somit in Kenntnis des Stands der Technik gemäß Druckschrift [X.] in Verbindung mit Druckschrift [X.], welche eine detaillierte [X.]esch[X.]ibung der konk[X.]ten Herstellung eines mikroe[X.]ktromechanischen Systems mit Hohlraumsenso[X.]n liefert, auch in naheliegender Weise zum Herstellungsverfah[X.]n gemäß Anspruch 7, ohne dazu in erfinderischer Weise tätig werden zu müssen.

IV. Zum Hilfsantrag vom 14. Mai 2018

Der erst mit Schriftsatz vom 14. Mai 2018, also zwei Tage vor der mündlichen Verhandlung, einge[X.]ichte Hilfsantrag ist nach § 83 Abs. 4 [X.] als verspätet zurückzuweisen. Denn die Zulassung dieses erst nach Ablauf der mit dem Hinweis des Senats vom 7. Februar 2018 gesetzten [X.]tzten Frist (18. April 2018), über de[X.]n Versäumnisfolgen die Parteien be[X.]hrt worden wa[X.]n (§ 83 Abs. 4 Satz 1 Nr. 3 [X.]), ohne hin[X.]ichende Entschuldigung (§ 83 Abs. 4 Satz 1 Nr. 2 [X.]) seitens der [X.]eklagten einge[X.]ichten [X.] hätte eine Vertagung der mündlichen Verhandlung erforderlich gemacht (§ 83 Abs. 4 Satz 1 Nr. 1 [X.]).

Der Hilfsantrag unterscheidet sich vom Hauptantrag durch Änderungen der Merkma[X.] 1.3 und 1.5, die nunmehr lauten

1.3 wobei der erste Hohlraum einen von dem D[X.]hratensensor benötigten ande[X.]n Innendruck (erster Innendruck) aufweist als und der zweite Hohlraum einen vom [X.]esch[X.]unigungssensor benötigten Innendruck (zweiter Innendruck) aufweist, wobei sich die [X.] unterscheiden,

1.5 dass durch das sein Innendruck aufgrund dieses [X.] der Unterschied zwischen den [X.]n eingestellt ist, und zwar dadurch, dass das [X.] aus einem in die Hohlräume gefüllten und dort eingeschlossenen [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer ersten [X.] besteht, diese erste [X.] vollständig oder im Wesentlichen vollständig oder zumindest teilweise absorbiert anders ist als der Innendruck des zweiten Hohlraums.

Die [X.]eklagte hat die geänderten Merkma[X.] nach eigener Darstellung den Ausführungen in der [X.]esch[X.]ibung der [X.] entnommen. Zusammen mit den übrigen Merkma[X.]n betrifft der Hilfsantrag damit einen Gegenstand, welchen die [X.]eklagte bislang weder mit den erteilten Ansprüchen noch mit ih[X.]r beschränkten Verteidigung nach dem Hauptantrag beansprucht hatte. Da der St[X.]itgegenstand im Nichtigkeitsverfah[X.]n al[X.]in der vom Patentinhaber mit den Patentansprüchen konk[X.]t begehrte Schutz (Art. 84 Satz 1 EPÜA.

Die zulässige Klage ist begründet. Nachdem die [X.]eklagte das St[X.]itpatent nur noch beschränkt verteidigt, ist es in der erteilten Fassung schon aus diesem Grund ohne Sachprüfung für nichtig zu erklä[X.]n. Aber auch soweit die [X.]eklagte das St[X.]itpatent beschränkt verteidigt, hat die Klage Erfolg, denn der beschränkten Verteidigung nach dem Hauptantrag steht sowohl als geschlossener Anspruchsfassung als auch hinsichtlich der von der [X.]eklagten ausdrücklich gesondert verteidigten einzelnen Ansprüche jeweils zumindest der [X.] mangelnder Patentfähigkeit gemäß Artikel II § 6 Absatz 1 Nr. 1 IntPatÜG, Art. 138 Abs. 1 [X.]uchst. a) EPÜ i. V. m. Art. 52, 56 EPÜ entgegen, und die weite[X.] beschränkte Verteidigung des St[X.]itpatents mit dem Hilfsantrag vom 14. Mai 2018 ist verspätet.

I. Zum Gegenstand des St[X.]itpatents

1. Das vorliegende St[X.]itpatent betrifft ein in der Mikrosystemtechnik einsetzba[X.]s [X.]auteil, welches sich als kombinierte [X.] von [X.]n Systemen eignet, die jeweils einen unterschiedlichen [X.]etriebsdruck benötigen, sowie ein Verfah[X.]n zu seiner Herstellung (vgl. [X.], Abs. (0001). Nach Absatz 0001 der [X.] könne im g[X.]ichen Arbeitsschritt die se[X.]ktive [X.]efüllung einer Kavität 1 mit definiertem Gasdruck [X.] und einer Kavität 2 mit Gasdruck [X.] erfolgen, wobei die Gasdrücke [X.] und [X.] voneinander unabhängig gewählt werden könnten. Dabei ließen sich unterschiedliche [X.] Systeme in einem [X.]auteil kombinie[X.]n und der Integrationsgrad solcher Systeme erheblich steigern.

Absatz 0002 der [X.] verweist hierzu auf mit Hilfe der Mikrosystemtechnik gefertigte [X.]autei[X.] (MEMS), die seit länge[X.]m für die miniaturisierte und kostengünstige Herstellung von Senso[X.]n und Akto[X.]n etabliert seien. Die Mikrosystemtechnik ([X.]) sei ein [X.]lativ junger Technologiezweig, der sich in großen Tei[X.]n die [X.]istungsfähigen Produktionsprozesse der Halb[X.]iterindustrie zu eigen mache, um mit diesen mikrotechnischen Verfah[X.]n, die auf den Grundwerkstoff Silizium zugeschnitten seien, makroskopische Technologiesysteme in die Mikrowelt zu übertragen; hierdurch werde die stetige Miniaturisierung und Leistungssteigerung von technischen Produkten unterstützt. Die mittels Mikrostrukturtechnik hergestellten Produkte fänden branchenüberg[X.]ifend Anwendung in der Mikroe[X.]ktronik, der Industrieautomation, der Kommunikations- und Medizintechnik, in der Automobilindustrie oder auch bei [X.]. Dabei erforderten die fortsch[X.]itende Miniaturisierung sowie die kontinuierliche Erhöhung der technologischen Integrationsdichte von [X.] eine anhaltende Entwicklung und Verbesserung von bestehenden Produktionsprozessen.

In der Automobilbranche, aber auch im Maschinenbau bestehe [X.]edarf an komp[X.]xen, integriert aufgebauten Mikrosystembautei[X.]n, die vielfältigste Mess- und Regelfunktionen autonom und mit geringem Energiebedarf durchführten. Die unterschiedlichen Sensorsysteme erforderten je nach Aus[X.]gung einen entsp[X.]chenden Arbeitsdruck. So benötigten [X.]sonante Systeme oftmals eine hohe Güte. Daher müsse die mechanische Dämpfung durch [X.] durch einen entsp[X.]chenden geringen Arbeitsdruck in der Kavität, in der sich das jeweilige Sensorsystem befinde, minimiert werden. [X.] zum [X.]eispiel würden typischerweise mit einem Arbeitsdruck von einem mbar bis einigen mbar betrieben. [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n müssten hingegen teilweise stark gedämpft werden, sodass hier der [X.]etriebsdruck in der Regel bei einigen hundert mbar liege (Absatz 0003 der [X.]).

Absatz0004 der [X.] verweist für den typischen Aufbau eines mikrosystemtechnisch hergestellten [X.]sonanten [X.] auf die [X.]ur 2:

Der unten liegende, oberflächen[X.] Sensor enthalte die aktive Sensorstruktur ([X.]). Durch einen spezifischen Ätzschritt, bei der eine Opferschicht entfernt werde, könnten f[X.]itragende Struktu[X.]n hergestellt werden. Für die kapazitive Detektion von [X.]ewegungen aus [X.] seien in einem Abstand von 1,5 mm Gegene[X.]ktroden imp[X.]mentiert. Die [X.]ewegungsrichtung [X.]r Systeme sei somit nicht nur auf [X.]ewegungen in [X.] ([X.]) beschränkt, sondern es könnten auch [X.] plane [X.]ewegungen ange[X.]gt und detektiert werden. In dem obe[X.]n [X.] ([X.]) sei über der Sensorstruktur eine 60 mm tiefe Kavität eingebracht, in welcher [X.] zur Absorption und chemischen [X.]indung von Gasmo[X.]kü[X.]n abgeschieden ist. Die feste Verbindung von Sensor- und Kappenwafer auf Wafer-Ebene, das sogenannte [X.], werde hier durch ein [X.] bewirkt. Der [X.]ondrahmen aus [X.] sorge für eine hermetische Kapselung, so dass der beim eutektischen Verbindungsprozess eingestellte Druck erhalten b[X.]ibe. Durch die in der Kavität eingebrachte Getterschicht werde sichergestellt, dass ein minima[X.]r Kavitätsinnendruck von bis zu 10-6 bar eingestellt und über die gesamte Lebensdauer des [X.]aue[X.]ments erhalten werden könne.

lm [X.]e[X.]ich der Mikrosystemtechnik sei die [X.] von [X.] eines der am wenigsten entwickelten, jedoch g[X.]ichzeitig eines der wichtigsten und herausforderndsten Technologiefelder. [X.]esonders die [X.]e[X.]itstellung einer hermetischen [X.] sei eine Schlüsseltechnologie für vie[X.] [X.] Komponenten. Durch die hermetische Verkapselung würden [X.] vor schädlichen Umwelteinflüssen [X.], mechanischer oder chemischer Schädigung) abgeschirmt und so ih[X.] zuverlässige Funktion und Lebensdauer entscheidend verlängert. Darüber hinaus benötigten moderne [X.]sonant betriebene [X.] ein spezifisches Arbeitsgas oder einen definiert eingestellten Umgebungsdruck in der Gehäusekavität, um die geforderte Funktionalität zu erfül[X.]n (Absatz 0005 der [X.]).

Nach nähe[X.]r Darstellung des [X.] ([X.]) in Absätzen 0006 bis 0008 der [X.] und der in den [X.]tzten Jahrzehnten entwickelten [X.]ien (Absatz 0009 der [X.]) sowie einer Würdigung der Druckschriften EP 0 794 558 [X.] (= [X.]), [X.] 2005/0023629 [X.] (= [X.]), der [X.] 2005/050751 [X.] (= [X.]) und der [X.] 2004/0183214 [X.] (= [X.]) bezeichnet es Absatz 0014 der [X.] als Aufgabe der Erfindung, für die Mikrosystemtechnik vorgesehene [X.]autei[X.] (MEMS) mit mindestens zwei Kavitäten oder Hohlräumen, wie sie in der nachstehenden, ein solches [X.]auteil darstel[X.]nden [X.]ur 1 der [X.] mit den Ziffern I und ll bezeichnet sind, be[X.]itzustel[X.]n, de[X.]n Gasräume unterschiedliche Drücke und/oder unterschiedliche Gaszusammensetzungen aufweisen.

Zudem sol[X.] die Erfindung auch [X.] (z. [X.]. Wafer) mit einem Substrat und einer Kappenstruktur be[X.]itstel[X.]n, aus denen sich die genannten [X.]autei[X.] durch T[X.]nnen (Sägen oder dgl.) herstel[X.]n ließen. Schließlich sol[X.] die Erfindung Verfah[X.]n be[X.]itstel[X.]n, mit denen sich die genannten [X.]autei[X.] sowie die [X.], aus denen sie u .a. gefertigt werden könnten, herstel[X.]n ließen.

Zur Lösung dieser Aufgaben schlägt das St[X.]itpatent ein [X.]auteil nach Anspruch 1 sowie ein Verfah[X.]n zu dessen Herstellung nach Anspruch 7 vor.

Danach sei ein erster der beiden Hohlraume eines (MEMS-)[X.]auteils mit einem (ersten) [X.] versehen und das [X.] von Substrat und Kappe erfolge in einer Gasatmosphä[X.], die mindestens eine [X.] aufweise, die vom ersten [X.] absorbiert werden könne, so dass aufgrund der Absorptionseigenschaften des [X.] gegenüber dieser [X.] nach der Aktivierung des [X.] der erste der beiden Hohlräume einen ande[X.]n Innendruck und/oder eine ande[X.] Gaszusammensetzung aufweise als ein zweiter Hohlraum. In bevorzugter Weise weise die Gasatmosphä[X.] zwei [X.]n A und [X.] auf, die gegenüber dem (ersten) [X.] unterschiedliche Absorptionseigenschaften besäßen. Der zweite Hohlraum enthalte entweder kein [X.], oder er enthalte ein zweites [X.] mit ande[X.]n Absorptionseigenschaften, oder er enthalte das erste oder ein zweites [X.] in einer Menge, aufgrund der – nach Aktivierung des [X.] – ein ande[X.]s Verhältnis der beiden [X.]n in diesem zweiten Hohlraum entstehe als im ersten Hohlraum.

2. Die mit dem neuen Hauptantrag nur noch beschränkt verteidigten nebengeordneten Ansprüche 1 und 7 lassen sich wie folgt gliedern:

Anspruch 1:

In der Mikrosystemtechnik einsetzba[X.]s [X.]auteil

1.1 mit einem Substrat und einer Kappenstruktur, die so durch einen hermetisch schließenden [X.]ondrahmen miteinander verbunden sind, dass

1.1.1 sie mindestens einen ersten und einen zweiten Hohlraum umschließen,

1.1.2 die gegeneinander und gegen die Außenumgebung abgedichtet sind,

1.2 wobei in dem ersten Hohlraum ein D[X.]hratensensor und in dem zweiten Hohlraum ein [X.]esch[X.]unigungssensor angeordnet ist und

1.3 wobei der erste Hohlraum einen ande[X.]n Innendruck aufweist als der zweite Hohlraum

dadurch gekennzeichnet, dass

1.4 der erste der beiden Hohlräume mit einem [X.] versehen ist und

1.5 dass sein Innendruck aufgrund dieses [X.] anders ist als der Innendruck des zweiten Hohlraums.

Anspruch 7:

Verfah[X.]n zum Herstel[X.]n eines [X.]auteils wie in einem der Ansprüche 1 bis 6 definiert, umfassend die folgenden Schritte:

a) [X.]e[X.]itstel[X.]n eines in den [X.]e[X.]ichen des ersten Hohlraums mit einem ersten [X.] beschichteten flächigen Substrats oder einer solchen, ggf. flächig ausgebildeten Kappenstruktur,

b) Justie[X.]n des flächigen Substrats oder der Kappenstruktur zu einem entsp[X.]chenden [X.] oder [X.],

c) Einbringen des Paa[X.]s aus flächigem Substrat und ggf. flächig ausgebildeter Kappenstruktur in eine [X.],

d) Fluten der [X.] mit einem [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer [X.] A, die von dem oder einem ersten [X.] absorbiert werden kann, und ggf. einer [X.] [X.], die von diesem [X.] nicht oder in substantiell geringe[X.]m Ausmaß absorbiert werden kann, wobei die [X.] A mit dem Partialdruck PA und [X.] [X.] mit dem Partialdruck P[X.] vorliegt,

e) In-Kontakt-[X.]ringen von Kappenstruktur und Substrat und Verbinden dieser beiden Tei[X.] mit Hilfe einer geeigneten Verbindungstechnik,

f) Aktivie[X.]n des ersten [X.] derart, dass es Mo[X.]kü[X.] der [X.] A absorbiert.

3. Der zuständige Fachmann, ein Physiker oder ein Ingenieur der E[X.]ktrotechnik, Schwerpunkt Mikrosystemtechnik, der mehrjährige Erfahrung auf dem Gebiet der Entwicklung von [X.]n bzw. mikroe[X.]ktromechanischen [X.]autei[X.]n aufweist, wird die erfindungsgemäßen Gegenstände und die in den vorgenannten Ansprüchen verwendeten [X.]egriffe wie folgt verstehen:

[X.] betrifft gemäß den unabhängigen Patentansprüchen 1 und 7 ein Mikrosystem-[X.]auteil sowie ein Verfah[X.]n zu dessen Herstellung. Das [X.]auteil weist ein Substrat auf, welches gemäß [X.]ur 3 (vgl. eingefügte [X.]ur unten) und der zugehörigen [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents als [X.] 1 ausgeführt sein kann. Über dem Substrat bzw. dem [X.] ist eine Kappenstruktur 2 ausgebildet, wobei das Substrat und die Kappenstruktur miteinander durch einen hermetisch schließenden [X.]ondrahmen verbunden sind (vgl. Merkmal 1.1). Die Verbindung von Substrat und Kappenstruktur durch den [X.]ondrahmen kann laut [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents mit einem „[X.]ondprozess“ erfolgen (vgl. Abs. 0016 auf [X.], [X.] 23-27). Das Substrat 1 und die Kappenstruktur 2 sind dabei so miteinander verbunden, dass sie mindestens einen ersten Hohlraum 5 und einen zweiten Hohlraum 6 umschließen (vgl. Merkmal 1.1.1). Diese Hohlräume (bzw. Kavitäten) sol[X.]n gegeneinander und gegen die Außenumgebung abgedichtet sein (Merkmal 1.1.2).

Im ersten Hohlraum 5 soll ein D[X.]hratensensor angeordnet sein, wäh[X.]nd in dem zweiten Hohlraum 6 ein [X.]esch[X.]unigungssensor angeordnet sein soll (vgl. Merkmal 1.2 sowie [X.]. 3, [X.]ezugszeichen 3 und 4). Der erste Hohlraum 5 soll dabei einen ande[X.]n Innendruck aufweisen als der zweite Hohlraum 6 (vgl. Merkmal 1.3).

Gemäß Merkmal 1.4 im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 ist der erste Hohlraum mit einem [X.] (vgl. [X.]ezugszeichen 8 in [X.]. 3) versehen. Unter einem [X.] versteht der Fachmann – im Einklang mit der [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents – ein Material, welches Gasmo[X.]kü[X.] absorbiert bzw. chemisch bindet (vgl. Abs. 0004). Gemäß Absatz 0009 der [X.] eignet sich dabei u. a. das Metall [X.]tan ([X.]) als [X.]. Aufgrund des [X.] in dem ersten Hohlraum 5 soll dieser Hohlraum einen ande[X.]n Innendruck aufweisen als der zweite Hohlraum 6 (vgl. Merkmal 1.4 sowie Merkmal 1.5). Gemäß [X.] kann das [X.] in beliebiger Form (z. [X.]. als St[X.]ifen oder Fläche) in dem Hohlraum (Kavität) angeordnet sein und sich auf der Kappenseite oder der [X.] befinden (vgl. Abs. 0024).

[X.]ei der Herstellung des [X.]aue[X.]ments soll gemäß nebengeordnetem Anspruch 7 ein flächiges Substrat bzw. eine flächige Kappenstruktur be[X.]itgestellt werden, wobei das Substrat oder die Kappenstruktur in den [X.]e[X.]ichen des ersten Hohlraums mit dem vorstehend bezüglich Anspruch 1 genannten [X.] beschichtet sein soll (Verfah[X.]nsschritt a). Das flächige Substrat oder die Kappenstruktur soll dann in einem Verfah[X.]nsschritt b so justiert werden, dass ein entsp[X.]chendes [X.] oder [X.] entsteht. Anschließend soll das Paar aus flächigem Substrat und Kappenstruktur in eine [X.] eingebracht werden (Verfah[X.]nsschritt c). Die [X.] wird sodann mit einem [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer [X.] A, die von dem [X.] absorbiert werden kann, und ggf. einer [X.] [X.] geflutet, die von dem [X.] nicht oder in substantiell geringe[X.]m Ausmaß absorbiert werden kann, wobei die [X.] A mit einem Partialdruck PA und die [X.] [X.] mit einem zugehörigen Partialdruck P[X.] vorliegen soll (Verfah[X.]nsschritt d). Als [X.]eispie[X.] für die erste [X.] A führt das [X.], [X.], C[X.] oder [X.] oder eine beliebige Mischung davon auf, für die [X.] [X.] dagegen ein Inert- bzw. Edelgas wie Argon oder [X.] (vgl. Abs. 0019). Der nächste Verfah[X.]nsschritt (e) beinhaltet ein In-Kontakt-[X.]ringen von Kappenstruktur und Substrat und Verbinden dieser beiden Tei[X.] mit Hilfe einer geeigneten Verbindungstechnik, was in der [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents als [X.]ondprozess aufgeführt ist (vgl. u. a. Abs. 0016 auf [X.], [X.] 23-27). Schließlich ist das Aktivie[X.]n des ersten [X.] vorgesehen, wobei das [X.] Mo[X.]kü[X.] der [X.] A absorbiert (Verfah[X.]nsschritt f). Gemäß [X.] kann eine solche Aktivierung durch ein Erhitzen bzw. einen [X.] erfolgen (vgl. Abs. 0009 und 0019).

II. Zur beschränkten Verteidigung nach Hauptantrag

1. Ob, wie die Klägerin geltend macht, der beschränkten Verteidigung des St[X.]itpatents mit der neuen Fassung des Anspruchs 1 be[X.]its entgegensteht, dass diese unklar, unzulässig erweitert oder nicht ausführbar ist, kann dahinstehen; denn jedenfalls erweist sich die neue Anspruchsfassung in Anspruch 1 gegenüber der unst[X.]itig vorveröffentlichten Entgegenhaltung [X.] als nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit [X.] Art. 52, 56 EPÜ beruhend.

Druckschrift [X.] besch[X.]ibt ein mikroe[X.]ktromechanisches System (MEMS), welches entsp[X.]chend dem ein[X.]itenden Merkmal des Anspruchs 1 als [X.]auteil in der Mikrosystemtechnik einsetzbar ist (vgl. Abstract und [X.]. 1, [X.] 17-21 sowie die [X.]u[X.]n 4 und 15 mitsamt zugehörigem Text in [X.]. 4, [X.] 62, bis [X.]. 5, [X.] 3, und [X.]. 10, [X.] 5-38, sowie [X.]. 12, [X.] 4-17).

Das mikroe[X.]ktromechanische [X.]auteil weist ein flächiges Substrat (substrate 24) und eine darüber liegende flächige Kappenstruktur mit einer Abdichtungsschicht (sealing layer) auf (vgl. Abstract und [X.]. 15, [X.]ezugszeichen 78 sowie 62, 66 und 74, die [X.]estandtei[X.] der Kappenstruktur darstel[X.]n), wobei darauf hingewiesen wird, dass ein solches [X.]auteil mittels eines anodischen [X.]ond-Prozesses ([X.]) und eines hermetischen Transfers ([X.]) hergestellt wird (vgl. Abstract, [X.]. 2, [X.] 51-56, [X.]. 2, 4 und 15 sowie [X.]. 10, [X.] 33-38 u. [X.] 59-64). Dies bedeutet, dass das Substrat und die Kappenstruktur mit der Abdichtungsschicht im Zusammenhang mit dem anodischen [X.]ond-Prozess sowie dem hermetischen Transfer miteinander durch einen hermetisch abschließenden [X.]ondrahmen verbunden sind (Merkmal 1.1). Das Substrat und die abdichtende Kappenstruktur umschließen einen ersten Hohlraum (cavity 36) und einen zweiten Hohlraum (cavity 54) entsp[X.]chend Merkmal 1.1.1, wobei die beiden Hohlräume durch die Kappenstruktur und die zugehörige Abdichtungsschicht (sealing layer) auch gegeneinander und hermetisch gegen die Außenumgebung (ambient environment) abgedichtet sind (vgl. Abstract, [X.]. 4, [X.]. 4, [X.] 62-64 i. V. m. [X.]. 5, [X.] 14-20 und [X.]. 15 / Merkmal 1.1.2). Des Weite[X.]n wird in Druckschrift [X.] darauf hingewiesen, dass in solchermaßen abgedichteten Hohlräumen sowohl D[X.]hratensenso[X.]n (gyroscopes) als auch [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n (acce[X.]rometers) angeordnet werden können (vgl. [X.]. 2, [X.] 43-46, [X.]. 8, [X.] 7-11, [X.]. 10, [X.] 59-64, [X.]. 12, [X.] 14-17, und [X.]. 13, Claims 8, 9). Aufgrund dieses Hinweises bezüglich einer Anordnung von D[X.]hraten- bzw. [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n in den beiden abgedichteten Hohlräumen liegt es für den Fachmann nahe, in einem der beiden Hohlräume wie dem ersten Hohlraum (cavity 36) einen D[X.]hratensensor (gyroscope / gyro) und in dem ande[X.]n der beiden Hohlräume, d. h. dem zweiten Hohlraum (cavity 54), entsp[X.]chend Merkmal 1.2 einen [X.]esch[X.]unigungssensor (acce[X.]rometer) anzuordnen. Dabei wird bezüglich verschiedener Senso[X.]n wie den genannten D[X.]hraten- bzw. [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n be[X.]its darauf hingewiesen, dass diese zu ih[X.]m [X.]etrieb jeweils einen bestimmten Druck benötigen (vgl. [X.]. 10, [X.] 59-64: […] devices which need control[X.]d p[X.]ssu[X.] damping for operation […] gyroscopes and acce[X.]rometers […]). Daraus, dass jeder der verschiedenen Senso[X.]n einen bestimmten Druck zu seinem [X.]etrieb benötigt, folgt für den Fachmann auch ohne weite[X.]s, dass der erste Hohlraum für den erstgenannten Sensor dementsp[X.]chend einen ande[X.]n Innendruck für dessen [X.]etrieb aufweist als der zweite Hohlraum für den [X.]etrieb des ande[X.]n Sensors (Merkmal 1.3).

Des Weite[X.]n offenbart Druckschrift [X.], dass eine [X.]eschichtung, die [X.]tan ([X.]) beinhaltet ([X.]tanium-Platinum-Gold ([X.]/Pt/Au) layers) auf dem Substrat (substrate 24 / glass side) aufgebracht ist (vgl. [X.]. 6, [X.] 51-55 und [X.]. 6, [X.] 67, bis [X.]. 7, [X.] 5, sowie [X.]. 10, [X.] 33-35). Eine solche [X.]eschichtung wird im Zusammenhang mit [X.]ur 15 und dem ersten Hohlraum (cavity 36) als [X.] ([X.]/Pt/[X.]) zum Auffangen (gettering) von stö[X.]ndem Gas in Form von Sauerstoff (oxygen) beschrieben, welches aus dem Substrat ausdiffundie[X.]n kann und sich damit im Hohlraum befindet (vgl. [X.]. 10, [X.] 33-35, i. V. m. [X.]. 10, [X.] 59-64). Somit handelt es sich bei der [X.], mit welcher der erste Hohlraum (cavity 36) versehen ist, auch um ein [X.] entsp[X.]chend Merkmal 1.4, welches in g[X.]icher Weise wie das in der [X.] in Absatz 0009 in Verbindung mit Absatz 0024 aufgeführte [X.] auf [X.]tan basiert. Der Innendruck in einem Hohlraum hängt dabei zwangsläufig vom [X.] und dessen [X.]eschichtungsfläche im Verhältnis zum Hohlraumvolumen ab, da die Menge des durch das [X.] aufgefangenen bzw. [X.] die Gasmenge im Hohlraum beeinflusst, wobei der Innendruck von der [X.]tztendlich verbliebenen Gasmenge im gegebenen Hohlraumvolumen abhängt. Aus [X.]ur 15 ist dabei ersichtlich, dass das [X.] in Form der [X.] ([X.]/Pt/[X.]) das Substrat und damit auch die Grundfläche des ersten Hohlraums (cavity 36) fast vollständig bedeckt. Folglich wird hier auch eine entsp[X.]chende Menge an Gas bzw. Sauerstoff absorbiert, wäh[X.]nd der Fachmann davon ausgeht, dass in dem zweiten Hohlraum (cavity 54) aufgrund dessen verschiedener Ausformung mit einem ande[X.]n Hohlraumvolumen auch eine ande[X.] verbliebende Gasmenge vorhanden ist. Insgesamt bedeutet dies für den Fachmann, dass der Innendruck des ersten Hohlraums aufgrund des in der Druckschrift [X.] aufgeführten erforderlichen unterschiedlichen [X.]etriebsdrucks für verschiedene Senso[X.]n (vgl. vorstehende Ausführungen) und des zuvor genannten [X.] im ersten der jeweiligen Hohlräume (cavity 36 / cavity 54) zwangsläufig anders sein muss, als der Innendruck im zweiten, davon verschiedenen Hohlraum (Merkmal 1.5).

Der von der [X.]eklagten in der mündlichen Verhandlung vert[X.]tenen Auffassung, dass der Stand der Technik gemäß Druckschrift [X.] und der dortigen [X.]ur 15 einen ersten Hohlraum mit einem vollständigen/absoluten Vakuum sowie ein [X.] [X.]h[X.], welches den aus dem Substrat ausdiffundie[X.]nden Sauerstoff als stö[X.]ndes Gas di[X.]kt auffange, wäh[X.]nd das St[X.]itpatent kein Vakuum, sondern einen Gas-Innendruck im Hohlraum vorsehe, kann nicht beiget[X.]ten werden. Entgegen der von der [X.]eklagten vert[X.]tenen Auffassung geht der Fachmann davon aus, dass in solchen Hohlräumen in der Praxis stets verb[X.]ibende Gasmo[X.]kü[X.] vorhanden sind, die einem absoluten Vakuum entgegenstehen und die für einen Partialdruck [X.] bzw. Innendruck sorgen, wie es auch im St[X.]itpatent im Zusammenhang mit dem [X.] und einem „Partialdruck von angenähert null“ aufgeführt wird. Der [X.]egriff „Vakuum“ wird im St[X.]itpatent zudem insoweit [X.]lativiert, dass [X.]diglich ein „mehr oder weniger stark dem Absolutwert angenähertes Vakuum“ vorliege (vgl. [X.], Abs. 0021). Dabei werden sowohl in Druckschrift [X.] wie auch im St[X.]itpatent jeweils [X.]tan ([X.]) als metallisches [X.] für Gasmo[X.]kü[X.] aufgeführt (vgl. [X.], Abs. 0009, bzw. [X.], [X.]. 10, [X.] 33-36: The [X.] is used […] to enab[X.] gettering). Dementsp[X.]chend ist ein Unterschied hinsichtlich eines Innendruckes im ersten Hohlraum, wie ihn die [X.]eklagte in [X.]ezug auf Druckschrift [X.] geltend macht, weder den Merkma[X.]n des Anspruchs 1 noch der [X.]esch[X.]ibung des St[X.]itpatents zu entnehmen. Aus dem Anspruch 1 geht auch nicht hervor, dass – entsp[X.]chend der Argumentation der [X.]eklagten – beim St[X.]itpatent vorgesehen sei, ein Gas gezielt in einen Hohlraum einzufüh[X.]n, um es danach kontrolliert mittels eines [X.] zu absorbie[X.]n und damit einen bestimmten Innendruck einzustel[X.]n. Da sich eine solche Maßnahme nicht im [X.] wiederfindet, kann – was die Klägerin angezweifelt hat – diesbezüglich auch dahinstehen, ob ein [X.] überhaupt in der Lage ist, nicht nur [X.], sondern auch hin[X.]ichend vie[X.] Mo[X.]kü[X.] [X.] aufzufangen, um einen bestimmten Innendruck in einem Hohlraum einzustel[X.]n.

Entgegen der Auffassung der [X.]eklagten gelangt der Fachmann damit in Kenntnis der Druckschrift [X.] in naheliegender Weise zu einem in der Mikrosystemtechnik einsetzba[X.]n [X.]auteil mit sämtlichen Merkma[X.]n 1.1 bis 1.5 des Anspruchs 1 inklusive den entsp[X.]chenden D[X.]hraten- bzw. [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n in den verschiedenen Hohlräumen, ohne erfinderisch tätig werden zu müssen.

2. Auch die [X.] bis 5 und 8 in der beschränkt verteidigten Fassung enthalten nichts selbständig Patentfähiges. Solches hat auch die [X.]eklagte nicht dargetan.

III. Zur gesonderten Verteidigung mit den Ansprüchen 2, 6 und 7

Die [X.]eklagte kann das St[X.]itpatent auch nicht mit den von ihr hierzu genannten Ansprüchen 2, 6 und 7 gesondert verteidigen, da den jeweiligen Gegenständen dieser Ansprüche ebenfalls der [X.] der feh[X.]nden Patentfähigkeit (Art. II § 6 Abs. 1 Nr. 1 IntPatÜG i. V. m. Art. 138 Abs. 1 [X.]uchst. a), Art. 52 bis 57 EPÜ) entgegensteht.

1. Anspruch 2

Auch die im ausdrücklich verteidigten Anspruch 2 genannte Maßnahme bezüglich einer unterschiedlichen Gaszusammensetzung in den verschiedenen Hohlräumen kann eine erfinderische Tätigkeit nicht begründen.

Wie zuvor im Hinblick auf Anspruch 1, auf den Anspruch 2 rückbezogen ist, darge[X.]gt, liegt es für den Fachmann in Kenntnis der Druckschrift [X.] nahe, einen D[X.]hratensensor in einem ersten Hohlraum und einen [X.]esch[X.]unigungssensor in einem zweiten Hohlraum eines in der Mikrosystemtechnik einsetzba[X.]n [X.]auteils entsp[X.]chend den Merkma[X.]n 1.1 bis 1.5 anzuordnen. Dabei wird in Druckschrift [X.] – wie vorstehend ausgeführt – auch darauf hingewiesen, dass die verschiedenen Senso[X.]n zu ih[X.]m [X.]etrieb jeweils einen bestimmten verminderten Innendruck im Hohlraum benötigen, der in bestimmter Weise eingestellt ist, wobei ein [X.] zum Auffangen von Gas/Sauerstoff genannt wird (vgl. vorstehende Ausführungen zum Anspruch 1 mit Zitatstel[X.]n a. a. O.). Details zu einzelnen benötigten [X.]n in solchen Hohlräumen sind Druckschrift [X.] jedoch nicht zu entnehmen. Der Fachmann, der ein solches [X.]auteil mit D[X.]hraten- und [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n konk[X.]t [X.]alisie[X.]n will, hat daher Veranlassung, sich über Druckschrift [X.] hinaus im Stand der Technik über entsp[X.]chende Einzelheiten zu informie[X.]n. Solche Informationen findet der Fachmann in der vorveröffentlichten Druckschrift [X.], die sich mit konk[X.]ten [X.]n und geeigneten Gaszusammensetzungen in abgeschlossenen Hohlräumen zwischen einem Substrat (substrate) und einer Kappenstruktur (cap wafer) im Zusammenhang mit D[X.]hratensenso[X.]n (angular rate sensors / gyrometers) und [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n (acce[X.]rometers) sowie einem [X.] ([X.] (NEG)) zum Auffangen von Gas/Sauerstoff ([X.]) befasst (vgl. Abstract, S. 801, li. [X.]., und [X.], li. [X.]. zweiter Abs. u. [X.]. [X.]. erster Abs., [X.], li. [X.]. zweiter und [X.]. Abs., sowie [X.]. 1 auf [X.]).

Dabei [X.]hrt Druckschrift [X.] den Einsatz einer Edelgasumgebung (nob[X.] gas environment) mit unterschiedlichen [X.]n im Millibar-[X.]e[X.]ich (mbar), wobei dies in Druckschrift [X.] auch als [X.] (Vacuum [X.]vel) bezeichnet wird (vgl. S. 801, Tabel[X.] 1, insbes. erste, zweite und vierte Zei[X.]). In Tabel[X.] 1 wird konk[X.]t ein Druckbe[X.]ich von 300 bis 700 mbar für [X.]esch[X.]unigungssenso[X.]n (acce[X.]rometers) und ein davon verschiedener Druckbe[X.]ich von 10-1 bis 10-4 mbar für D[X.]hratensenso[X.]n ([X.]sonator (angular rate)) angegeben (vgl. S. 801, li. u. [X.]. [X.].). Es wird zudem darauf hingewiesen, dass mit dem [X.] angest[X.]bt wird, neben Sauerstoff ([X.]) auch ande[X.] aktive Gase wie Stickstoff ([X.]) aufzufangen bzw. zu absorbie[X.]n, welche in einer Edelgasumgebung (nob[X.] gas environment) enthalten sind (vgl. [X.], [X.]. [X.]. zw. Abs. [X.], li. [X.]. [X.]. Abs.: The use of [X.] (NEG) […]. [X.] sorb [X.], including [X.], CO, C[X.], [X.], [X.] […]). Da die Menge [X.] in einem Hohlraum mit dessen Innendruck kor[X.]liert, bestimmt der Einsatz eines [X.] zwangsläufig auch die Gaszusammensetzung in einem Hohlraum mit einem Edelgas (nob[X.] gas) und noch darin enthaltenen aktiven Gasen (u. a. [X.], [X.]). Eine Zusammenschau der Druckschriften [X.] und [X.] [X.]hrt den Fachmann folglich, dass ein erster Hohlraum mit einem geeigneten Innendruck für einen bestimmten Sensor – wie einem D[X.]hratensensor – entsp[X.]chend Anspruch 2 aufgrund des Einsatzes eines [X.] eine ande[X.] Gaszusammensetzung mit einem Edelgas und einem aktiven Gas aufzuweisen hat als ein zweiter Hohlraum mit einem davon verschiedenen Innendruck für einen ande[X.]n Sensor.

Der Gegenstand des Anspruchs 2, der auf Anspruch 1 rückbezogen ist, ergibt sich damit für den Fachmann in naheliegender Weise aus einer Kenntnis der Druckschriften [X.] und [X.].

2. Anspruch 6

Auch die in Anspruch 6 im Zusammenhang mit den Merkma[X.]n des Anspruchs 1 bzw. des Anspruchs 2 genannte Maßnahme, dass das [X.] zumindest in Teilbe[X.]ichen strukturiert vorliegen soll, kann eine Patentfähigkeit nicht begründen. Denn in Druckschrift [X.] wird auch be[X.]its darauf hingewiesen, dass eine strukturierte Aufbringung von [X.] ([X.] getter material) und eine poröse Struktur des [X.] (structu[X.] of the thin getter film is porous) dessen Absorptionseigenschaften verbessert (vgl. [X.], li. [X.]. [X.]. und [X.]. Abs., sowie [X.]. [X.]. erster Abs.). Damit ist das in Anspruch 6 explizit aufgeführte Merkmal, dass das [X.] zumindest in Teilbe[X.]ichen strukturiert ist, auch be[X.]its aus Druckschrift [X.] bekannt. Zu den Merkma[X.]n des Anspruchs 1 bzw. den Merkma[X.]n des Anspruchs 2, auf die Anspruch 6 rückbezogen ist, wird auf die entsp[X.]chenden vorherigen Ausführungen zur Druckschrift [X.] und [X.] verwiesen.

Damit ergibt sich der Gegenstand des Anspruchs 6 ebenfalls in naheliegender Weise aus einer Kenntnis der Druckschriften [X.] und [X.].

3. Anspruch 7

Auch der Gegenstand des gesondert verteidigten Anspruchs 7 des [X.] beruht nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit. Wie vorstehend im Hinblick auf die Ansprüche 1, 2 und 6 darge[X.]gt, offenba[X.]n sowohl Druckschrift [X.] als auch Druckschrift [X.] jeweils ein in den [X.]e[X.]ichen eines Hohlraumes mit einem [X.] beschichtetes Substrat bzw. eine zugehörige flächig ausgebildete Kappenstruktur, was dessen [X.]e[X.]itstellung entsp[X.]chend Merkmal a des Verfah[X.]nsanspruch 7 mit umfasst (vgl. [X.] und [X.] a. a. O. sowie die vorstehenden Ausführungen zu einer Zusammenschau der beiden Druckschriften). Dabei besch[X.]ibt Druckschrift [X.] mit den [X.]u[X.]n 4 und 15 ein [X.]auteil, bei dem das flächige Substrat (substrate 24) und die flächige Kappenstruktur mitsamt einer Abdichtungsschicht (sealing layer) auch so aufeinander angeordnet und somit derart justiert sind, dass sie ein [X.] bzw. [X.] bilden, wie es in Merkmal b aufgeführt ist. Dies gilt in g[X.]icher Weise für das im Stand der Technik gemäß Druckschrift [X.] beschriebene [X.]auteil mit einer [X.] und einer Substratstruktur, die zueinander justiert sind und ein [X.]auteil-Paar aus [X.] und [X.] bilden (vgl. u. a. [X.]. 1 auf [X.] sowie die vorstehenden Ausführungen zu [X.]). Des Weite[X.]n [X.]hrt Druckschrift [X.] auch, dass das [X.]auteil-Paar aus Substrat und Kappenstruktur im Rahmen der Herstellung eines Sensor-Hohlraumes zunächst in eine Vakuum-[X.] (vacuum chamber) eingebracht wird (vgl. [X.], li. [X.]. zw. Abs. / Merkmal c). Die Vakuum-[X.] wird anschließend mit einem [X.] in Form eines als [X.] dienenden Edelgases (nob[X.] gas / inert gas) geflutet, welches als Verun[X.]inigung bzw. Kontamination zusätzlich ein [X.] ([X.], CO, C[X.], [X.], [X.] […])) enthält, wobei das [X.] der im Anspruch 7 des St[X.]itpatents aufgeführten [X.] A entspricht (vgl. [X.], li. [X.]. [X.]tzter Abs. sowie [X.], li. [X.]. [X.]. Abs. und [X.]. [X.]. erster Abs.: […] a control[X.]d gas-filling procedu[X.] has to be established. [X.] inert gases […]; vgl. zudem [X.], Tabel[X.]n 3 und 4). Das [X.] entspricht dabei der im Anspruch 7 des St[X.]itpatents angegebenen [X.] [X.] und wird als Edelgas aufgrund seiner geringen [X.]indungsneigung zwangsläufig nicht bzw. nur in substantiell geringem Ausmaß vom [X.] absorbiert (vgl. [X.], [X.]. [X.]. zw. Abs.). Damit liegt in der Gasmischung, mit der die [X.] geflutet wird, auch jede der beiden genannten [X.]n zwangsläufig mit einem zugehörigen Teildruck bzw. Partialdruck vor, wie es in Merkmal d des Anspruchs 7 aufgeführt ist. Druckschrift [X.] [X.]hrt darüber hinaus das In-Kontakt-[X.]ringen und Verbinden von Kappenstruktur und Substrat mit Hilfe eines [X.]onding-Prozesses (bonding process / eutectic bonding) entsp[X.]chend dem Merkmal e (vgl. [X.]. 1, [X.], li. [X.]. [X.]tzter u. [X.]tzter Abs., sowie [X.], li. [X.]. [X.]tzter Abs.). Entgegen der von der [X.]eklagten vert[X.]tenen Auffassung [X.]hrt Druckschrift [X.] dabei ebenfalls, dass das [X.] nicht nur zur Entfernung von Ausgasungen aus den Oberflächen des Hohlraumes, sondern auch zum Auffangen des mit dem [X.] (nob[X.] gas) eingebrachten [X.]es [X.]) dient (vgl. [X.], [X.]. [X.]. zweiter vollständiger Satz, [X.], [X.]. [X.]. zweiter Abs., sowie [X.], li. [X.]. erster Abs.). Dabei muss das [X.] laut Druckschrift [X.] zunächst aktiviert werden, bevor es entsp[X.]chende Gasmo[X.]kü[X.] absorbie[X.]n kann (vgl. [X.], li. [X.]. [X.]tzter Abs. und [X.], [X.]. [X.]. zweiter Abs.: getter film […] needs to be activated […] to activate the thin getter film so that it can start absorbing gases after the MEMS vacuum bonding at wafer [X.]vel). Das bedeutet für den Fachmann nichts ande[X.]s, als dass das [X.] derart zu aktivie[X.]n ist, dass es die vorstehend genannten Gasmo[X.]kü[X.] (u. a. [X.], [X.]) des [X.]es [X.]), welches der [X.] A entspricht, entsp[X.]chend Merkmal f absorbiert.

Der Fachmann gelangt somit in Kenntnis des Stands der Technik gemäß Druckschrift [X.] in Verbindung mit Druckschrift [X.], welche eine detaillierte [X.]esch[X.]ibung der konk[X.]ten Herstellung eines mikroe[X.]ktromechanischen Systems mit Hohlraumsenso[X.]n liefert, auch in naheliegender Weise zum Herstellungsverfah[X.]n gemäß Anspruch 7, ohne dazu in erfinderischer Weise tätig werden zu müssen.

IV. Zum Hilfsantrag vom 14. Mai 2018

Der erst mit Schriftsatz vom 14. Mai 2018, also zwei Tage vor der mündlichen Verhandlung, einge[X.]ichte Hilfsantrag ist nach § 83 Abs. 4 [X.] als verspätet zurückzuweisen. Denn die Zulassung dieses erst nach Ablauf der mit dem Hinweis des Senats vom 7. Februar 2018 gesetzten [X.]tzten Frist (18. April 2018), über de[X.]n Versäumnisfolgen die Parteien be[X.]hrt worden wa[X.]n (§ 83 Abs. 4 Satz 1 Nr. 3 [X.]), ohne hin[X.]ichende Entschuldigung (§ 83 Abs. 4 Satz 1 Nr. 2 [X.]) seitens der [X.]eklagten einge[X.]ichten [X.] hätte eine Vertagung der mündlichen Verhandlung erforderlich gemacht (§ 83 Abs. 4 Satz 1 Nr. 1 [X.]).

Der Hilfsantrag unterscheidet sich vom Hauptantrag durch Änderungen der Merkma[X.] 1.3 und 1.5, die nunmehr lauten

1.3 wobei der erste Hohlraum einen von dem D[X.]hratensensor benötigten ande[X.]n Innendruck (erster Innendruck) aufweist als und der zweite Hohlraum einen vom [X.]esch[X.]unigungssensor benötigten Innendruck (zweiter Innendruck) aufweist, wobei sich die [X.] unterscheiden,

1.5 dass durch das sein Innendruck aufgrund dieses [X.] der Unterschied zwischen den [X.]n eingestellt ist, und zwar dadurch, dass das [X.] aus einem in die Hohlräume gefüllten und dort eingeschlossenen [X.], enthaltend eine oder bestehend aus einer ersten [X.] besteht, diese erste [X.] vollständig oder im Wesentlichen vollständig oder zumindest teilweise absorbiert anders ist als der Innendruck des zweiten Hohlraums.

Die [X.]eklagte hat die geänderten Merkma[X.] nach eigener Darstellung den Ausführungen in der [X.]esch[X.]ibung der [X.] entnommen. Zusammen mit den übrigen Merkma[X.]n betrifft der Hilfsantrag damit einen Gegenstand, welchen die [X.]eklagte bislang weder mit den erteilten Ansprüchen noch mit ih[X.]r beschränkten Verteidigung nach dem Hauptantrag beansprucht hatte. Da der St[X.]itgegenstand im Nichtigkeitsverfah[X.]n al[X.]in der vom Patentinhaber mit den Patentansprüchen konk[X.]t begehrte Schutz (Art. 84 Satz 1 EPÜ) ist, handelt es sich bei der mit dem Hilfsantrag begehrten Anspruchsfassung mithin um ein neues Verteidigungsmittel der [X.]eklagten [X.] § 83 Abs. 4 Satz 1 [X.], denn die mit ihm nunmehr beanspruchte Merkmalskombination war zuvor zu keinem Zeitpunkt st[X.]itgegenständlich. Daher musste sich die Klägerin, die in der mündlichen Verhandlung dementsp[X.]chend auch die Verspätung dieser Hilfsanträge gerügt hat, bislang auf sie und den mit ihr nunmehr begehrten Patentschutz mit einer solchen Merkmalskombination nicht einstel[X.]n. Da es gerade das [X.]est[X.]ben der [X.]eklagten ist, sich mit dem Hilfsantrag von dem be[X.]its im Verfah[X.]n befindlichen Stand der Technik abzusetzen, kann auch nicht erwartet werden, dass die Klägerin al[X.]in anhand des vorhandenen Standes der Technik eine abschließende [X.]ewertung der Schutzfähigkeit der neuen Anspruchsfassung vornimmt. Vielmehr wä[X.] der Klägerin insbesonde[X.] dazu Ge[X.]genheit zu geben gewesen, hinsichtlich der Frage der Patentfähigkeit der neuen Anspruchsfassung eine neue Recherche durchfüh[X.]n zu können, zu der sie bislang wie be[X.]its ausgeführt mangels St[X.]itgegenständlichkeit dieser neuen Anspruchsfassungen keine Veranlassung hatte. Mit einem bloßen Schriftsatznachlass (§ 99 Abs. 1 [X.] i. V. m. § 283 ZPO) könnte diesem be[X.]chtigten [X.]egeh[X.]n der Klägerin nicht Rechnung getragen werden, denn zu einem (zu unterstel[X.]nden) neuen Vorbringen der Klägerin in einem nachgelassenen Schriftsatz müsste dann wiederum der [X.]eklagten [X.]chtliches Gehör gewährt werden, was nur mittels einer neu anzusetzenden mündlichen Verhandlung möglich wä[X.]. Die Zulassung des neuen [X.] würde daher eine Vertagung der mündlichen Verhandlung unumgänglich machen, was das Gesetz aber mit der Regelung nach § 83 Abs. 4 [X.] gerade ausdrücklich ausschließt.

Die [X.]eklagte hat die Vorlage des neuen [X.] erst in der mündlichen Verhandlung auch nicht genügend entschuldigt (§ 83 Abs. 4 Satz 1 Nr. 2 [X.]). Die vorgesehenen Änderungen sind weder durch entsp[X.]chende Ausführungen des Senats in der mündlichen Verhandlung noch durch das Vorbringen der Klägerin in ih[X.]r Stellungnahme auf den Hinweis des Senats veranlasst. Die [X.]eklagte hat zur Entschuldigung in der mündlichen Verhandlung angeführt, es hande[X.] sich um eine „Konk[X.]tisierung“ des [X.], um damit einem möglicherweise unzut[X.]ffenden Verständnis des St[X.]itpatents zu begegnen, der sich nach ih[X.]m Eindruck aufgrund der Einwendungen der Klägerin gegen den Hauptantrag in de[X.]m Schriftsatz vom 18. April 2018 ergeben könnte. Soweit sie damit [X.]diglich klarstel[X.]n möchte, was aus ih[X.]r Sicht ohnehin be[X.]its mit dem neuen Hauptantrag beansprucht ist, wä[X.] der Hilfsantrag an sich von vornhe[X.]in mangels [X.]eschränkung des St[X.]itpatents unzulässig. In der mündlichen Verhandlung hat sie daher geltend gemacht, die „Konk[X.]tisierung“ ginge über eine bloße Klarstellung hinaus und schränke das St[X.]itpatent weiter gegenüber dem be[X.]its zuvor im Verfah[X.]n befindlichen Stand der Technik ein. Dann kann die neue Anspruchsfassung nach dem Hilfsantrag aber nicht mehr al[X.]in von den Ausführungen der Klägerin in de[X.]m Schriftsatz vom 18. April 2018 veranlasst worden sein, die sich neben den Fragen der unzulässigen Erweiterung und der Ausführbarkeit der neuen Anspruchsfassung vor al[X.]m mit der Frage befassen, ob der neue Hauptantrag gegenüber dem vorhandenen Stand der Technik als neu und auf einer erfinderischen Tätigkeit beruhend angesehen werden könne. Vielmehr soll nach der Darstellung der [X.]eklagten der beanspruchte Gegenstand mit dem Hilfsantrag über die mit dem Hauptantrag be[X.]its beabsichtigte [X.]eschränkung des St[X.]itpatents hinaus noch weiter vom vorhandenen Stand der Technik abgeg[X.]nzt werden. Weshalb dann aber eine solche, nicht durch die Einwendungen der Klägerin gegen den neuen Hauptantrag, sondern vielmehr durch den be[X.]its seit länge[X.]m im Verfah[X.]n befindlichen und vom Senat in seinem Hinweis vom 9. Februar 2018 be[X.]its gewürdigten Stand der Technik bedingte weite[X.] [X.]eschränkung des St[X.]itpatents nicht be[X.]its früher (z. [X.]. als Hilfsantrag zum neuen, mit Schriftsatz vom 13. März 2018 be[X.]its einge[X.]ichten neuen Hauptantrag) hätte einge[X.]icht werden können, ist weder seitens der [X.]eklagten dargetan worden noch anderweitig ersichtlich.

Da somit sämtliche Voraussetzungen nach § 83 Abs. 4 Satz 1 [X.] bestehen, war der Hilfsantrag vom 14. Mai 2018 als verspätet zurückzuweisen.

[X.]. Nebenentscheidungen

Die Kostenentscheidung beruht auf § 84 Abs. 2 [X.] i. V. m. § 91 Abs. 1 ZPO, die Entscheidung über die vorläufige Vollst[X.]ckbarkeit auf § 99 Abs. 1 [X.] i. V. m. § 709 ZPO.

) ist, handelt es sich bei der mit dem Hilfsantrag begehrten Anspruchsfassung mithin um ein neues Verteidigungsmittel der [X.]eklagten [X.] § 83 Abs. 4 Satz 1 [X.], denn die mit ihm nunmehr beanspruchte Merkmalskombination war zuvor zu keinem Zeitpunkt st[X.]itgegenständlich. Daher musste sich die Klägerin, die in der mündlichen Verhandlung dementsp[X.]chend auch die Verspätung dieser Hilfsanträge gerügt hat, bislang auf sie und den mit ihr nunmehr begehrten Patentschutz mit einer solchen Merkmalskombination nicht einstel[X.]n. Da es gerade das [X.]est[X.]ben der [X.]eklagten ist, sich mit dem Hilfsantrag von dem be[X.]its im Verfah[X.]n befindlichen Stand der Technik abzusetzen, kann auch nicht erwartet werden, dass die Klägerin al[X.]in anhand des vorhandenen Standes der Technik eine abschließende [X.]ewertung der Schutzfähigkeit der neuen Anspruchsfassung vornimmt. Vielmehr wä[X.] der Klägerin insbesonde[X.] dazu Ge[X.]genheit zu geben gewesen, hinsichtlich der Frage der Patentfähigkeit der neuen Anspruchsfassung eine neue Recherche durchfüh[X.]n zu können, zu der sie bislang wie be[X.]its ausgeführt mangels St[X.]itgegenständlichkeit dieser neuen Anspruchsfassungen keine Veranlassung hatte. Mit einem bloßen Schriftsatznachlass (§ 99 Abs. 1 [X.] i. V. m. § 283 ZPO) könnte diesem be[X.]chtigten [X.]egeh[X.]n der Klägerin nicht Rechnung getragen werden, denn zu einem (zu unterstel[X.]nden) neuen Vorbringen der Klägerin in einem nachgelassenen Schriftsatz müsste dann wiederum der [X.]eklagten [X.]chtliches Gehör gewährt werden, was nur mittels einer neu anzusetzenden mündlichen Verhandlung möglich wä[X.]. Die Zulassung des neuen [X.] würde daher eine Vertagung der mündlichen Verhandlung unumgänglich machen, was das Gesetz aber mit der Regelung nach § 83 Abs. 4 [X.] gerade ausdrücklich ausschließt.

Die [X.]eklagte hat die Vorlage des neuen [X.] erst in der mündlichen Verhandlung auch nicht genügend entschuldigt (§ 83 Abs. 4 Satz 1 Nr. 2 [X.]). Die vorgesehenen Änderungen sind weder durch entsp[X.]chende Ausführungen des Senats in der mündlichen Verhandlung noch durch das Vorbringen der Klägerin in ih[X.]r Stellungnahme auf den Hinweis des Senats veranlasst. Die [X.]eklagte hat zur Entschuldigung in der mündlichen Verhandlung angeführt, es hande[X.] sich um eine „Konk[X.]tisierung“ des [X.], um damit einem möglicherweise unzut[X.]ffenden Verständnis des St[X.]itpatents zu begegnen, der sich nach ih[X.]m Eindruck aufgrund der Einwendungen der Klägerin gegen den Hauptantrag in de[X.]m Schriftsatz vom 18. April 2018 ergeben könnte. Soweit sie damit [X.]diglich klarstel[X.]n möchte, was aus ih[X.]r Sicht ohnehin be[X.]its mit dem neuen Hauptantrag beansprucht ist, wä[X.] der Hilfsantrag an sich von vornhe[X.]in mangels [X.]eschränkung des St[X.]itpatents unzulässig. In der mündlichen Verhandlung hat sie daher geltend gemacht, die „Konk[X.]tisierung“ ginge über eine bloße Klarstellung hinaus und schränke das St[X.]itpatent weiter gegenüber dem be[X.]its zuvor im Verfah[X.]n befindlichen Stand der Technik ein. Dann kann die neue Anspruchsfassung nach dem Hilfsantrag aber nicht mehr al[X.]in von den Ausführungen der Klägerin in de[X.]m Schriftsatz vom 18. April 2018 veranlasst worden sein, die sich neben den Fragen der unzulässigen Erweiterung und der Ausführbarkeit der neuen Anspruchsfassung vor al[X.]m mit der Frage befassen, ob der neue Hauptantrag gegenüber dem vorhandenen Stand der Technik als neu und auf einer erfinderischen Tätigkeit beruhend angesehen werden könne. Vielmehr soll nach der Darstellung der [X.]eklagten der beanspruchte Gegenstand mit dem Hilfsantrag über die mit dem Hauptantrag be[X.]its beabsichtigte [X.]eschränkung des St[X.]itpatents hinaus noch weiter vom vorhandenen Stand der Technik abgeg[X.]nzt werden. Weshalb dann aber eine solche, nicht durch die Einwendungen der Klägerin gegen den neuen Hauptantrag, sondern vielmehr durch den be[X.]its seit länge[X.]m im Verfah[X.]n befindlichen und vom Senat in seinem Hinweis vom 9. Februar 2018 be[X.]its gewürdigten Stand der Technik bedingte weite[X.] [X.]eschränkung des St[X.]itpatents nicht be[X.]its früher (z. [X.]. als Hilfsantrag zum neuen, mit Schriftsatz vom 13. März 2018 be[X.]its einge[X.]ichten neuen Hauptantrag) hätte einge[X.]icht werden können, ist weder seitens der [X.]eklagten dargetan worden noch anderweitig ersichtlich.

Da somit sämtliche Voraussetzungen nach § 83 Abs. 4 Satz 1 [X.] bestehen, war der Hilfsantrag vom 14. Mai 2018 als verspätet zurückzuweisen.

[X.]. Nebenentscheidungen

Die Kostenentscheidung beruht auf § 84 Abs. 2 [X.] i. V. m. § 91 Abs. 1 ZPO, die Entscheidung über die vorläufige Vollst[X.]ckbarkeit auf § 99 Abs. 1 [X.] i. V. m. § 709 ZPO.