Bundespatentgericht, Urteil vom 30.01.2014, Az. 4 Ni 38/11 (EP)

Nitride semiconductor laser device. Das in der [X.] veröffentlichte [X.], das beim [X.] unter der Nummer [X.] 2005 011 881.0 geführt wird, betrifft eine „Nitrid-Halbleiterlaservorrichtung“. Es umfasst 13 Ansprüche, welche sämtlich angegriffen sind. Der einzige unabhängige Patentanspruch 1 hat folgenden Wortlaut:

1. A nitride semiconductor laser device comprising, on a principal face of a nitride semiconductor substrate (101):

a nitride semiconductor layer (203) having a first conductivity type;

an [X.] (205) and;

a nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity type that is different from said first conductivity type, and on the surface of which is formed a stripe ridge (209);

a (θ_a) in a direction substantially perpendicular to the M plane (1-100); characterized in that said principal face further has an off angle b (θ_b) in a direction substantially parallel to the M plane (1-100), and satisfying the relationship | θ_a |>|θ_bl>0.

In [X.] lautet Patentanspruch 1 wie folgt:

1. [X.], umfassend auf einer Hauptfläche eines [X.] (101):

eine [X.] (203) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;

eine aktive Schicht (205) und

eine Nitrid-Halbleiter-Schicht (208) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der sich von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet, und auf dessen Oberfläche ein [X.] (209) hergestellt worden ist;

a (θ_a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1-100) hat, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptfläche zudem einen Fehlwinkel b (θ_b) in im Wesentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100) hat und der Beziehung | θ_a | > | θ_b | >0 genügt.

Mit ihrer Nichtigkeitsklage macht die Klägerin geltend, der Gegenstand des [X.]s sei nicht patentfähig, da er nicht neu sei und sich im Übrigen für den Fachmann in naheliegender Weise aus dem Stand der Technik ergebe.

Patentanspruch 1 fehle sowohl gegenüber den [X.], [X.] und [X.] die Neuheit. Die Klägerin befinde sich ferner im Besitz eines IMM-Lasers, der bereits im Jahr 2003 von der Klägerin an den benannten [X.] übergeben worden sei und Patentanspruch 1 vorwegnehme. Dieser sei schließlich auch nicht erfinderisch, da er sich aus einer Kombination der Druckschrift D1 entweder mit der Druckschrift [X.], [X.] oder [X.] ergebe. Für die abhängigen Ansprüche 2 bis 13 gelte Nämliches.

Sie beruft sich hierzu auf folgende vorveröffentlichte Druckschriften:

D1 JP 11-233391A ([X.] Übersetzung [X.]; [X.] Übersetzung D1b)

[X.]  [X.] 2003/0001238 A1 ([X.] Übersetzung [X.]a)

[X.] JP 2003-133649A ([X.] Übersetzung [X.]a; [X.] Übersetzung [X.]b)

[X.] JP 2003-204122A ([X.] Übersetzung [X.]a; [X.] Übersetzung [X.]b)

D5 JP 2001-144378A ([X.] Übersetzung [X.]; [X.] Übersetzung D5b)

D6 EP 0 966 047 [X.] ([X.] Übersetzung D6a)

[X.] JP 2001-160539A ([X.] Übersetzung [X.]a; [X.] Übersetzung [X.]b und [X.]c)

D8 Auszug aus dem Buch „[X.]“, veröff. 1978

D9 Auszug aus dem Buch „Physics of Semiconductor devices“, 2. Auflage, veröff. 1981

D10 EP 0 852 416 A1

D10a DE 696 22 277 T2 (Übersetzung der EP 0 852 416 B1)

[X.] EP 2 264 794 [X.]

D12 Sanyo Electric Co., Ltd. „Structure Analysis Report“ 21.09.2011 (nachveröffentlicht)

[X.] [X.], [X.] (100) [X.], [X.] (1999), 19ff

D14 R. Hey, Morphological instabilities on exactly oriented and on vicinal [X.] (001) surfaces during molecular beam epitaxy, [X.] (1995), 1ff

D15 Kazumasa, [X.] growth of GaN on a misoriented sapphire substrate, [X.] (1991), 1ff

[X.] [X.] et al: Continuous-wave operation of

InGaN/GaN/[X.] laser diodes grown on GaN

substrates, [X.], [X.], Nr. 16,

S. 2014-2016, 20. April 1998

D17 [X.] et al: Room-Temperature Pulsed

[X.] Diodes on a-Face Sapphire Substrate Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical

Vapor Deposition, [X.]. Phys. Vol. 37 (1998),

pp. L 1231- L 1233

D18 WO 03/038957 A1

Die Klägerin beantragt,

das [X.] Patent 1 583 190 mit Wirkung für das Hoheitsgebiet der [X.] in vollem Umfang für nichtig zu erklären.

Die Beklagte beantragt,

die Klage abzuweisen, soweit das [X.] mit den Patentansprüchen 1-3 nach Hauptantrag vom 24. Juni 2013 verteidigt wird;

NK5 vorgelegten gutachterlichen Äußerung des Prof. Dr. [X.] vom 11. Januar 2013 zur Offenbarung von erfindungsgemäßen Fehlwinkeln in der [X.]. Sie bestreitet ferner die behauptete Vorbenutzung und macht geltend, dass diese bereits in tatsächlicher Hinsicht unsubstantiiert sei und ins [X.]aue hinein erfolge.

Patentansprüche 1-3 nach Hauptantrag vom 24. Juni 2013 lauten in der [X.] (Änderungen zum Patentanspruch erteilter Fassung sind doppelt unterstrichen):

1. 1. A nitride semiconductor laser device comprising, on a principal face of a nitride semiconductor substrate (101):

a nitride semiconductor layer (203) having a first conductivity type;

an [X.] (205) and;

a nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity type that is different from said first conductivity type, and on the surface of which is formed a stripe ridge (209);

a (θ_a) in a direction substantially perpendicular to the M plane (1-100) and substantially parallel to said stripe ridge (209);

characterized in that said principal face further has an off angle b (θ_b) in a direction substantially parallel to the M plane (1-100) and substantially orthogonal to said stripe ridge (209), and satisfying the relationship | θ_a |>|θ_bl>0.

_a| ≤0,7° is satisfied.

3. The device of claim 1, wherein said principal face of said nitride semiconductor substrate (101) comprises a low dislocation density region comprising the C face (0001) and a high density dislocation region having higher dislocation density than that of the low dislocation density region and at least a crystal growth face different from that of said low dislocation density region.

In [X.]:

1. [X.], umfassend auf einer Hauptfläche eines [X.] (101):

eine [X.] (203) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;

eine aktive Schicht (205) und

eine Nitrid-Halbleiter-Schicht (208) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der sich von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet, und auf deren Oberfläche ein [X.] (209) hergestellt worden ist;

a (θ_a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1 -100) und im Wesentlichen paralleler Richtung zum [X.] (209) hat, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptfläche zudem einen Fehlwinkel b (θ_b) in im Wesentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100) und im Wesentlichen senkrechter Richtung zum [X.] (209) hat und der Beziehung |θ_a| > |θ_b| > 0 genügt.

_a| ≤0,7° erfüllt ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Hauptfläche des [X.] (101) eine Region mit kleiner Dislokationsdichte umfasst, welche die C-Fläche (0001) umfasst, und eine Region mit großer Dislokationsdichte, deren Dislokationsdichte größer ist als die der Region mit kleiner Dislokationsdichte, und mindesten eine Kristallwachstumsfläche, die von jener der Region mit kleiner Dislokationsdichte verschieden ist.

Bezüglich der weiteren abhängigen Ansprüche 4 bis 13 wird auf Anlage BR5a zum Schriftsatz vom 24. Juni 2013 verwiesen.

Hilfsanträgen 1 bis 8 lauten:

Hilfsantrag 1:

Patentansprüche 1 und 2 wie Hauptantrag

low dislocation density first region comprising the C face (0001) and a high density dislocation second region having higher dislocation density than that of the low dislocation density region and at least a crystal growth face different from that of said low dislocation density first region.

In [X.]r Übersetzung

erste Region mit kleiner Dislokationsdichte umfasst, welche die C-Fläche (0001) umfasst, und eine zweite Region mit großer Dislokationsdichte, deren Dislokationsdichte größer ist als die der Region mit kleiner Dislokationsdichte, und mindestens einer Kristallwachstumsfläche, die von jener der ersten Region mit kleiner Dislokationsdichte verschieden ist.

Bezüglich der weiteren abhängigen Ansprüche 4 bis 12 wird auf Anlage [X.] zum Protokoll vom 05. November 2013 verwiesen.)

Hilfsantrag 2:

Patentanspruch 1 und 2 wie Hauptantrag; sämtliche weiteren abhängigen Patentansprüche sind gestrichen;

Hilfsantrag 3:

Patentanspruch 1 und 2 werden zusammengefasst als Patentanspruch 1; die abhängigen Ansprüche 2 bis 12 entsprechen den abhängigen Ansprüchen 3 bis 13 aus dem Hauptantrag vom 24.06.2013;

Hilfsantrag 4:

Patentanspruch 1 und 2 werden zusammengefasst als Patentanspruch 1; die abhängigen Ansprüche 2 bis 11 entsprechen den abhängigen Ansprüchen 3 bis 12 aus dem Hilfsantrag 1 (Anlage [X.])

Hilfsantrag 5:

Patentanspruch 1 und 2 werden zusammengefasst als Patentanspruch 1; sämtliche weiteren Ansprüche werden gestrichen;

Hilfsantrag 6:

Patentansprüche 1, 2, 3 und 5 werden zusammengefasst als Patentanspruch 1; die abhängigen Ansprüche 2 bis 10 entsprechen den abhängigen Ansprüchen 4 bis 13 aus dem Hauptantrag vom 24. Juni 2013;

Hilfsantrag 7:

1. A nitride semiconductor laser device comprising, on a principal face of a nitride semiconductor substrate (101):

a nitride semiconductor layer (203) having a first conductivity type;

an [X.] (205) and;

a nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity type that is different from said first conductivity type, and on the surface of which is formed a stripe ridge (209);

a (θ_a) in a direction substantially perpendicular to the M plane (1-100) and substantially parallel to said stripe ridge (209);

characterized in that said principal face further has an off angle b (θ_b) in a direction substantially parallel to the M plane (1-100) and substantially orthogonal to said stripe ridge (209), and satisfying the relationship | θ_a |>|θ_bl>0

wherein 0,1 °≤ | θ _a | ≤0,7° is satisfied

low dislocation density first region comprising the C face (0001) and a high density dislocation second region having higher dislocation density than that of the low dislocation density region and at least a crystal growth face different from that of said low dislocation density first region, wherein the low dislocation density first region and the high dislocation density second region are formed as stripes having alternating have polarities separated as stripes.

In [X.]r Übersetzung:

1. [X.], umfassend auf einer Hauptfläche eines Nitrid-

Halbleiter-Substrats (101):

eine [X.] (203) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;

eine aktive Schicht (205) und

eine Nitrid-Halbleiter-Schicht (208) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der sich von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet, und auf deren Oberfläche ein [X.] (209) hergestellt worden ist;

a (θ_a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1 -100) und im Wesentlichen paralleler Richtung zum [X.] (209) hat, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptfläche zudem einen Fehlwinkel b (θ_b) in im Wesentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100) und im Wesentlichen senkrechter Richtung zum [X.] (209) hat und der Beziehung |θ_a| > |θ_b| > 0 genügt,

wobei 0,1 °≤ |θ _a | ≤0,7° erfüllt ist, und

erste Region mit kleiner Dislokationsdichte umfasst, welche die C-Fläche (0001) umfasst, und eine zweite Region mit großer Dislokationsdichte, deren Dislokationsdichte größer ist als die der Region mit kleiner Dislokationsdichte, und mindestens einer Kristallwachstumsfläche hat, die von jener der ersten Region mit kleiner Dislokationsdichte verschieden ist, wobei die erste Region mit kleiner Dislokationsdichte

zweite Region mit großer Dislokationsdichte als Streifen mit abwechselnden getrennte Polaritäten gebildet sind haben.

Die abhängigen Ansprüche 2 bis 9 entsprechen den abhängigen Ansprüchen 4 bis 11 aus Hilfsantrag 4 (BR14a);

Hilfsantrag 8:

Patentanspruch 1 wie Hilfsantrag 7 unter Streichung sämtlicher weiteren abhängigen Ansprüche.

Der Senat hat den Parteien einen frühen gerichtlichen Hinweis nach § 83 Abs. 1 [X.] zugeleitet. Auf den Hinweis vom 23. April 2013 wird Bezug genommen ([X.]. 404 d. A.).

Im Übrigen wird auf die gewechselten Schriftsätze der Parteien samt Anlagen und das Protokoll der mündlichen Verhandlung Bezug genommen.

Die Klage, mit welcher der [X.] der mangelnden Patentfähigkeit der erteilten wie auch geändert verteidigten Fassung des [X.] nach Artikel II § 6 Absatz 1 Nr. 1[X.], Artikel 138 Absatz 1 lit a) EPÜ i. V. m. Artikel 54 Absatz 1, 2 und Artikel 56 EPÜ geltend gemacht wird, ist zulässig und in vollem Umfang begründet.

Die [X.]eklagte hat das Streitpatent ausschließlich nach Haupt- und [X.] in beschränkter Fassung verteidigt. Insoweit macht die Klägerin die unzulässige Änderung der geltenden Patentansprüche geltend, insbesondere die unzulässige Erweiterung des Inhalts der Anmeldung nach Artikel II § 6 Absatz 1 Nr. 3 [X.], Artikel 138 Absatz 1 lit. c) EPÜ in [X.]ezug auf Patentanspruch 3 nach Hauptantrag, die Patentansprüche 2 bis 12 nach Hilfsantrag 3 und Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag 6.

Vorliegend kann letztlich offen bleiben, ob der Gegenstand des ausschließlich in eingeschränkter Fassung verteidigten [X.] über den Inhalt der Anmeldung hinausgeht und sich die Änderungen als unzulässig erweisen, weil der nach sämtlichen Anträgen verteidigte Gegenstand gegenüber dem im Verfahren befindlichen Stand der Technik nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit beruht.

1. [X.] ist zunächst schon ohne Sachprüfung insoweit für nichtig zu erklären, als es über die von der [X.] in zulässiger Weise nur noch beschränkt verteidigte Fassung gemäß Hauptantrag vom 24. Juni 2013 hinausgeht ([X.], [X.]. v. 30.01.2008 – [X.], [X.], 597 – Rn. 7 – [X.]; [X.]. v. 14.09.2004 – [X.], [X.], 145, 146 - elektronisches Modul; [X.], [X.]. v. 29.04.2008 – 3 Ni 48/06 ([X.]), [X.], 46, 47 – Ionenaustauschverfahren; vgl. [X.]/[X.], [X.], 10. Aufl., § 22 Rn. 50 m. w. N.; [X.]usse/Keukenschrijver, [X.], 7. Auflage, § 82 Rn. 90). Die weitergehende Klage hat Erfolg, weil der mit ihr angegriffene Patentgegenstand in den von der [X.] verteidigten Fassungen nicht patentfähig ist.

2. Der Entscheidung sind auch die von der [X.] in der mündlichen Verhandlung übergebenen [X.] 1 bis 8 zugrunde zu legen, da das diesbezügliche Vorbringen der [X.] und die Verteidigung geänderter Fassungen des Patents trotz der Rüge der Klägerin nicht wegen Verspätung nach § 83 Abs. 4 [X.] zurückzuweisen ist.

kumulativ voraus, dass die nach Abs. 2 gesetzte Frist versäumt wurde, der bereits anberaumte Termin verlegt werden müsste, das Vorbringen der [X.] nicht ausreichend entschuldigt ist und die betroffene [X.] über die Fristsetzung belehrt wurde ([X.]usse/Keukenschrijver, [X.], 7. Auflage, § 83 Rn. 18).

Für eine Zurückweisung als verspätet i. S. v. § 83 Abs. 4 [X.] fehlt es vorliegend - im Hinblick auf den neuen Hauptantrag - an einer Verfristung der [X.]. Der mit Schriftsatz vom 24. Juni 2013 von der [X.] vorgelegte Hauptantrag mit zwei weiteren [X.] ist innerhalb der nach dem qualifizierten Hinweis eingeräumten Frist zur Stellungnahme bei Gericht eingegangen, was von der Klägerin nicht bestritten wird. Die Änderung der [X.] durch Vorlage neuer [X.] 1 bis 8 unter Verzicht auf die mit Schriftsatz vom 24. Juni 2013 eingereichten [X.] ist ausreichend entschuldigt. Sie war eine Folge der Vorlage des von der Klägerin erst mit Schriftsatz vom 09. September 2013 eingereichten [X.] ihres Privatgutachters Prof. Dr. Scholz (Anlage [X.]) und des daraufhin nach der Vorberatung durch den Senat erfolgten weiteren Hinweises vom 04. November 2013, dass und inwiefern die Frage der unzulässigen Erweiterung zu diskutieren sei. Aus dem qualifizierten Hinweis des Senats ergaben sich naturgemäß noch keine Anhaltspunkte darauf, dass insoweit [X.]eschränkungen erforderlich sein könnten.

1. [X.] betrifft eine [X.] mit einer aktiven Schicht wie [X.]en und Laserdioden, Leuchtdioden, Photodetektoren, Hochfrequenz-Transistoren und Hochspannungs-Transistoren (vgl. Absatz [0001] der [X.]chrift).

Wie in der [X.]eschreibungseinleitung ausgeführt wird, werden Nitrid-Halbleiter für Laserdioden – wie GaN (Galliumnitrid-) Halbleiter – hergestellt, indem mehrere Schichten von Nitrid-Halbleitermaterial mittels epitaktischen Wachstum [X.]) auf ein Substrat gewachsen werden (vgl. Absatz [0002] der [X.]chrift). Dabei entsteht nach der [X.]chrift eine [X.] mit einer geringen Dislokationsdichte und guten kristallinen Eigenschaften (vgl. Absatz [0003] der [X.]chrift).

Die [X.]eschreibung gibt weiter an, dass zur Verbesserung der Eigenschaften im Stand der Technik Substrate mit einem [X.] bekannt sind, um das Aufwachsen der Schichten auf dem Substrat zu verbessern. Aus den im Stand der Technik vorgeschlagenen breiten [X.]ereichen für Richtung und Größe der [X.] resultieren jedoch Nachteile in der Zusammensetzung der Schichten (ungleichmäßige Zusammensetzung bei Indium, Aluminium o.ä. und/oder ungleichmäßige Verteilung von Verunreinigungen) und dadurch verschlechterte [X.] wie ein Anstieg des Schwellenstroms und ein verringerter Emissions-[X.]ereich (vgl. die Absätze [0004] bis [0006] der [X.]chrift).

Kleine [X.] sind im Stand der Technik ebenfalls dargestellt, jedoch verursachen diese Aufwand in der Herstellung von Substraten mit großem Durchmesser (vgl. [X.]chrift Abs. [0006]).

2. Ausgehend hiervon stellte sich dem Fachmann, wie auch in der [X.]chrift genannt, als Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung mit gleichmäßigen kristallinen Eigenschaften zu schaffen, die eine erhöhte Lebensdauer und verbesserte Eigenschaften über einen weiten Wellenlängenbereich aufweist (vgl. [X.] [0009]).

_a) bzw. b (θ_b) in im Wesentlichen senkrechter bzw. paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100) und im Wesentlichen paralleler bzw. senkrechter Richtung zum [X.] [X.]09) aufweist, wobei |θ_a| > |θ_b| > 0 gilt.

Die nachfolgend gezeigte Figur 2a aus der [X.]chrift zeigt schematisch den Aufbau der [X.] mit [X.] (101), [X.] [X.]03) [n-Typ], aktive Schicht [X.]05), [X.] [X.]08) [p-Typ] und [X.] [X.]09):

_a) und b (θ_b) betreffen Winkel an der Oberfläche des Substrats (101). Diese sind nach dem Patentanspruch 1 in [X.]ezug zur M-Ebene (1-100) und zum [X.] und definiert.

Die Vorrichtung nach Patentanspruch 1 in der mit Hauptantrag verteidigten Fassung weist folgende Merkmale auf (Fassung nach der [X.] Übersetzung, Gliederung hinzugefügt):

M1 [X.], umfassend auf einer Hauptfläche eines [X.]s (101):

M1.1 eine [X.] [X.]03) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;

[X.] eine aktive Schicht [X.]05) und

M1.3 eine [X.] [X.]08) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der sich von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet,

M1.4 und auf deren Oberfläche ein [X.] [X.]09) hergestellt worden ist,

[X.] wobei die Hauptfläche des [X.] (101) einen [X.] a(θ_a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1-100)

[X.]a und im Wesentlichen paralleler Richtung zum [X.] [X.]09) hat,

 dadurch gekennzeichnet, dass

[X.] die Hauptfläche zudem einen [X.] b(θ_b) in im Wesentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100)

[X.]a und im Wesentlichen senkrechter Richtung zum [X.] [X.]09) hat

[X.] und der [X.]eziehung │θ_a │> │ θ_b │> 0 genügt.

Hilfsanträgen 1 und 2 verteidigten Fassung entspricht dem Patentanspruch 1 nach Hauptantrag.

Hilfsanträgen 3 bis 5 verteidigten Fassung wurde gegenüber dem Hauptantrag folgendes Merkmal hinzugefügt (Fassung nach der [X.] Übersetzung, Merkmalsgliederung hinzugefügt):

[X.] wobei 0,1° ≤ │θ_a │ ≤ 0,7° erfüllt ist.

Nach Patentanspruch 1 in der mit dem Hilfsantrag 6 verteidigten Fassung weist die Vorrichtung gegenüber der Vorrichtung nach den Hilfsanträgen 3 bis 5 folgende zusätzlichen Merkmale auf (Fassung nach der [X.] Übersetzung , Merkmalsgliederung hinzugefügt):

[X.] wobei die Hauptfläche des [X.]s (101) eine Region mit kleiner Dislokationsdichte umfasst,

[X.]a welche die C-Fläche (0001) umfasst,

[[X.]] und eine Region mit großer Dislokationsdichte,

[X.]b deren Dislokationsdichte größer ist als die der Region mit kleiner Dislokationsdichte und

[X.]c die mindestens eine Kristallwachstumsfläche hat,

[X.]d die von jener der Region mit kleiner Dislokationsdichte verschieden ist,

[X.] wobei die Region mit kleiner Dislokationsdichte und die Region mit großer Dislokationsdichte als Streifen mit abwechselnden Polaritäten gebildet sind.

Patentanspruch 1 in der mit den Hilfsanträgen 7 und 8 verteidigten Fassung wurde gegenüber dem Hauptantrag folgendes Merkmal hinzugefügt (Merkmalsgliederung hinzugefügt, Unterschiede zu Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag 6 durch Unterstreichung/Streichen gekennzeichnet):

[X.] wobei 0,1° ≤ │θ _a │ ≤ 0,7° erfüllt ist.

[X.]' wobei die Hauptfläche des [X.]s (101) eine erste Region mit kleiner Dislokationsdichte umfasst,

[X.]a welche die C-Fläche (0001) umfasst,

[[X.]'] und eine zweite Region mit großer Dislokationsdichte,

[X.]b deren Dislokationsdichte größer ist als die der Region mit kleiner Dislokationsdichte und die

[X.]c mindestens einer Kristallwachstumsfläche hat,

[X.]d' die von jener der ersten Region mit kleiner Dislokationsdichte verschieden ist,

[X.] wobei die Region mit kleiner Dislokationsdichte und die Region mit großer Dislokationsdichte als Streifen mit abwechselnden Polaritäten gebildet sind.

[X.]‘ wobei die erste Region mit kleiner Dislokationsdichte und die zweite Region mit großer Dislokationsdichte als Streifen mit abwechselnden getrennte Polaritäten gebildet sind haben.

4. Als zuständigen Fachmann sieht der Senat ein Team an, bestehend aus Physikern, Chemikern und Materialwissenschaftlern mit Universitäts- oder Hochschulabschluss, dessen Mitglieder auf dem [X.] und Halbleitersubstrate für Laser mehrere Jahre [X.]erufserfahrung und umfangreiche Erfahrungen aufweisen. ([X.], [X.]. v. 19.12.2006 – [X.], [X.], 404, 406 - Carvedilol II; [X.]. [X.] X ZR 126/09 - [X.]. 19 - [X.]). Das Fachwissen dieses Teams ist aufgrund der Anforderungen im Fachgebiet und der erforderlichen Spezialisierung hoch anzusetzen und beinhaltet sowohl die spezielle Fachkenntnis auf dem [X.] zur Herstellung der [X.], insbesondere epitaktische Wachstumsverfahren, und auf dem Gebiet der Optik das Fachwissen zur Erzeugung des Laserlichts im [X.], insbesondere die Einflüsse der einzelnen Schichten wie der aktiven Schicht und des [X.]s.

Nach dem maßgeblichen Verständnis des Fachmanns und einer am Gesamtzusammenhang orientierten [X.]etrachtung (st. Rspr., vgl. [X.], [X.]. v. 18.11.2010, [X.]/07 - Rn. 29, GRUR 2011, 129 - [X.]; [X.]. v. 3.6.2004, [X.], [X.], 845 - Drehzahlermittlung, m. w. N.) ist zu beurteilen, welche technische Lehre Gegenstand des Patentanspruchs 1 ist und welcher technische Sinngehalt den Merkmalen des jeweiligen Patentanspruchs im Einzelnen und in ihrer Gesamtheit zukommt. Da die Patentschrift im Hinblick auf die gebrauchten [X.]egriffe ihr eigenes Lexikon darstellt ([X.], [X.]. v. 02.03.1999, [X.], [X.], 909, 912 – Spannschraube; [X.]. v. 13.04.1999, [X.], [X.]. 2000, 105, 106 – Extrusionskopf) und – den Grundsätzen zu Art. 69 Abs. 1 EPÜ folgend – bei der Auslegung eines [X.] Patents der Patentanspruch in seinem technischen Sinn und nicht etwa in seiner rein philologischen [X.]edeutung aufzufassen ist, legt der Senat dem Patentanspruch 1 folgendes Verständnis zu Grunde:

1. Die [X.]chrift, welche die [X.]egriffe des „[X.]s“ und der „[X.]“ definiert (Abs. [0022] und Abs. [0023]), weist darauf hin, dass ein [X.] bewirken kann, dass die Morphologie und Zusammensetzung (z. [X.]. das Verhältnis von Indium im Mischkristall) der Oberfläche der direkt unterhalb des Grats liegenden aktiven Schicht gleichförmig gemacht wird (Abs. [0022]).

Als [X.] ist dabei gemäß Absatz [0022] der [X.]chrift, wie in den Figuren 3a, 4a auch dargestellt, ein Neigungswinkel zu verstehen, der durch die Oberfläche des Substrats in [X.]ezug auf eine vorbestimmte [X.] gebildet wird. Ein erster [X.] (a) ist in einer Richtung parallel zum [X.] ausgebildet und ein weiterer [X.] (b) in einer Richtung senkrecht zur Richtung des ersten [X.]s (a).

[X.]eabsichtigte [X.] können dabei durch verschiedene Verfahren wie Ätzen, Abrieb, Schleifen, Laser-Oberflächenbehandlung oder Schneiden erzeugt werden (vgl. [X.] [0047]-[0048]). Auf die Art und Weise des Zustandekommens der [X.] kommt es jedoch nicht an, da sie aufgrund des Vorrichtungsanspruchs lediglich vorhanden sein müssen. Das Patent unterscheidet dabei nicht zwischen beabsichtigten und unbeabsichtigten [X.]n.

_a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1-100) und der zweite [X.] b(θ_b) in im Wesentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100) aufgerichtet sein, d.h. der erste [X.] a(θ_a) verläuft im Wesentlichen in Richtung der [X.] [1-100] und der zweite [X.] b(θ_b) im Wesentlichen in Richtung der [X.] [11-20].

Die Zeichnung Fig.4a des [X.] zeigt die Ausrichtung der Winkel zu den Achsen:

_b) und [X.]/[X.] (φ) und [X.]/[X.]/Rotationswinkel (γ) aus dem Stand der Technik und der nach [X.] zu erfüllenden [X.]eziehung │θ_a │> │ θ_b │> 0 wie folgt dar:

_a, θ_b überführen. Hierbei ist der [X.]/[X.] (φ) der Winkel, um den eine Fläche geneigt ist, und die [X.]/[X.]/Rotationswinkel (γ) die Richtung des [X.]s, wobei θ_a , θ_b die jeweiligen Winkel darstellen, welche [X.] mit den Achsen einschließen.

Es gilt:

_a | > | _b | > 0 erfüllt ist.

[X.] ist danach bei [X.]en zwischen 0° und 45°erfüllt, wobei es sich auch um ein technisches – nicht nach Art. 52 Abs. 2a, Abs. 3 EPÜ ausgeschlossenes – Merkmal handelt, da hieraus folgt und gelehrt wird, dass zwei im [X.]etrag unterschiedliche [X.] vorhanden sein müssen. Allerdings folgt aus der hexagonalen Wurtzit Struktur des [X.], dass sich aus [X.] keine weiteren (engeren) [X.]edingungen ableiten lassen.

_a ) bzw. senkrechter Richtung ([X.] _b ) zum [X.] ausgebildet sein.

_a in im Wesentlichen in senkrechter Richtung zur M-Ebene (1-100), [X.] _b ([X.]) in im Wesentlichen in paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100)), folgt somit, dass der [X.] senkrecht zur M-Ebene (1-100) bzw. in der [1-100]-Richtung verläuft.

5. [X.]ezüglich des [X.]egriffs „[X.]“ (

Da die [X.]eklagte das Streitpatent ausschließlich in einer gegenüber der erteilten Fassung geänderten Fassung verteidigt hat, ist die Zulässigkeit der verteidigten Anspruchsfassung von Amts einer erweiterten Prüfung zu unterziehen, wobei der Senat vorliegend insbesondere erhebliche [X.]edenken im Hinblick auf eine unzulässige Erweiterung des Inhalts der Anmeldung hat.

So sieht der Senat gewichtige Gründe dafür vorliegen – worauf er bereits mit Verfügung vom 4. November 2013 und in der mündlichen Verhandlung hingewiesen hat – dass der Gegenstand von Patentanspruch 3 nach neuem Hauptantrag, die Patentansprüche 2 bis 12 nach Hilfsantrag 3 und Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag 6 über den Inhalt der Anmeldung in der eingereichten Fassung hinausgehen.

1. Patentanspruch 3 nach Hauptantrag

_. Deshalb erscheint es dem Senat auch unter den Anforderungen einer unmittelbaren und eindeutigen [X.] nicht ausgeschlossen, dass die unterschiedlichen Aspekte miteinander kombiniert werden können, auch wenn die danach möglichen Kombinationen nicht zusätzlich konkret als „bevorzugte“ Ausgestaltungen offenbart sind.

Die Lehre nach Patentanspruch 3 zur unterschiedlichen Dislokationsdichte der Regionen, wie sie Abschnitt [0011] der [X.]eschreibung des [X.] ([X.]) mit der [X.]ezeichnung [X.]) entspricht, findet aber in der Anmeldung keine unmittelbare [X.]. Dort befindet sich in der [X.]eschreibung ein lediglich ähnlicher Abschnitt [0012], der im Kapitel zur Zusammenfassung der Erfindung steht, und sich zwar auch mit verschiedenen Aspekten der Erfindung beschäftigt, der aber in keinem der insgesamt 9 Aspekte eine Aussage zu der niedrigen ([X.] = [X.]) bzw. hohen ([X.] = high dislocation density region) Dislokationsdichte der Regionen trifft. Insoweit offenbart Aspekt [X.]) in Abschnitt [0012] nur, dass die Hauptfläche des [X.] eine erste und eine zweite Region enthält, in denen die [X.] unterschiedlich ist.

Erst Abschnitt [0036] der Anmeldung beschäftigt sich mit der unterschiedlichen Dislokationsdichte der beiden Regionen. Nur die Kombination dieser beiden Abschnitte, über deren Möglichkeit sich der Fachmann Gedanken machen müsste, führte zu Patentanspruch 3. Der Senat hat jedoch erhebliche Zweifel, ob die danach erforderliche Zusammenschau der Abschnitte [0012] und [0037] der Anmeldung sich dem Fachmann unmittelbar und eindeutig erschließt, oder ob dieser nicht vielmehr nur unter Hinzufügung weiterführender Überlegungen und des Einsatzes von Fachwissen zu einer Gesamtoffenbarung gelangen kann, die Abschnitt [0011] des [X.] bzw. der Lehre des verteidigten Patentanspruchs 3 entspricht und als erfindungsgemäß beansprucht wird, zumal Abschnitt [0037] der Anmeldung im Kontext des mit Abschnitt [0029] beginnenden „[X.]“ zu lesen ist, der in Abschnitt [0029] nur einen [X.] anspricht.

Denn die Rechtsprechung sieht zwar vor, dass der Patentinhaber sein Patent durch Aufnahme einzelner oder sämtlicher Merkmale eines in der [X.]eschreibung genannten Ausführungsbeispiels, die für sich oder auch zusammen den durch die Erfindung erreichten Erfolg fördern, beschränken kann ([X.], [X.]. v. 23.01.1990, [X.], [X.]Z 110, 123, 126 – [X.]). Die Kombination muss dann allerdings in ihrer Gesamtheit eine technische Lehre darstellen, die der Fachmann der Gesamtheit der Anmeldungsunterlagen als mögliche Ausgestaltung der Erfindung entnehmen kann ([X.], [X.]. v. 11.09.2001, [X.], [X.], 49 – Drehmomentübertragungseinrichtung; [X.]. v. 24.01.2012, [X.], [X.], 475 – Rn. 31 – [X.]; [X.]. v. 14.08.2012, [X.], [X.], 1133 – Rn. 32 – UV-unempfindliche Druckplatte).

Dies bedeutet allerdings nicht, dass der Patentinhaber beliebig unterschiedliche Abschnitte seiner [X.]sschrift kombinieren bzw. unterschiedliche Textstellen zusammenziehen kann, wenn er dazu des Einsatzes seines Fachwissens bedarf. Denn zum [X.]sgehalt einer Patentanmeldung gehört im Zusammenhang mit der Frage, ob eine unzulässige Erweiterung vorliegt, auch nur das, was den ursprünglich eingereichten Unterlagen „unmittelbar und eindeutig“ zu entnehmen ist ([X.], [X.]. v. 08.07.2010, [X.] – [X.], 910 – Rn. 46 – [X.] Dokument m. w. N.; [X.]usse/Keukenschrijver, a. a. [X.], § 38 Rn. 18). Nicht hingegen gehören dazu weitergehende Erkenntnisse, zu denen der Fachmann aufgrund seines allgemeinen Fachwissens oder durch Abwandlung der offenbarten Lehre gelangen kann. Entscheidend ist vielmehr, was der Gesamtheit der ursprünglichen Unterlagen als zur angemeldeten Erfindung gehörend zu entnehmen ist (vgl. nur [X.], [X.]. v. 22.12.2009, [X.], [X.], 513 Rn. 29 – [X.]). Nur innerhalb dieses Rahmens können die Patentansprüche bis zur Erteilung weiter gefasst werden als in der Anmeldung.

Der Senat hat daher erhebliche [X.]edenken, dass der Fachmann die Lehre nach Patentanspruch 3 den Ursprungsunterlagen „unmittelbar und eindeutig“ entnimmt und diese deshalb ursprünglich als zur Erfindung gehörend offenbart ist.

2. Patentanspruch 2 nach Hilfsantrag 3

Aufgrund der Einbeziehung von Patentanspruch 2 erteilter Fassung und der dort genannten Größe des [X.]s in Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag 3 bestehen für den Senat ebenfalls [X.]edenken hinsichtlich einer unzulässigen Erweiterung des Inhalts der Anmeldung der abhängigen Ansprüche 2 und folgende.

Die Merkmale der Patentansprüche 1 und 2 erteilter Fassung können zwar – auch wenn sie in der Anmeldung keine Entsprechung finden - grundsätzlich kombiniert werden, da das in Patentanspruch 2 erteilter Fassung angegebene Größenverhältnis des [X.]s in der Aufzählung des Abschnitt [0012] der [X.]eschreibung der Anmeldung als Aspekt (6) offenbart ist und der Senat insoweit keine individualisierte Einzelkombination als erforderlich ansieht. Problematisch erscheint jedoch der Rückbezug in Anspruch 2 nach Hilfsantrag 3 auf Patentanspruch 1, weil in der Anmeldung – wie im Übrigen auch Patentanspruch 3 erteilter Fassung – die Kombination dieser Lehre in Verbindung mit der bereits nach Patentanspruch 1 einbezogenen Lehre einer unterschiedlichen Dislokationsdichte auch aus Abschnitt [0012] – wie bereits zu Patentanspruch 3 nach Hauptantrag ausgeführt – nicht in Gesamtheit zu entnehmen ist und der Ergänzung durch Abschnitt [0037] bedarf.

3. Dieselben [X.]edenken ergeben sich damit zugleich für Patentanspruch 1 in Hilfsantrag 6, welcher ebenfalls die Kombination dieser Merkmale enthält.

4. Letztlich kann die Frage der unzulässigen Erweiterung der Anmeldung und damit die Zulässigkeit der Änderungen jedoch dahingestellt bleiben, da bereits Patentanspruch 1 weder in der Fassung des [X.] noch in derjenigen der [X.] erfinderisch ist und die [X.]eklagte ausdrücklich aufgrund ihrer Erklärung in der mündlichen Verhandlung, dass es keiner Erörterung der weiteren [X.] der jeweiligen Anspruchsfassungen bedürfe, einzelne weitere Patentansprüche der jeweiligen Fassungen nach Haupt- und [X.] nicht isoliert verteidigt hat, so dass es insoweit auch keiner eigenständigen Prüfung bedurfte (vgl. Senat [X.]. 4 Ni 13/11 [X.]. v. 15.1.2013 – Dichtungsring).

Die nach Patentanspruch 1 gemäß Haupt- und [X.] verteidigte Lehre erweist sich nicht als patentfähig i.S.v. Art. II § 6 Abs. 1 Nr. 1 [X.], Art. 138 Absatz 1 a EPÜ.

allen Merkmalen des Patentanspruchs 1 in der Fassung nach Hauptantrag, so dass die verteidigte Lehre gegenüber dem im Verfahren befindlichen Stand der Technik neu ist (Art. 54 EPÜ). So offenbart die [X.] keinen [X.], in der [X.] ist lediglich ein [X.] dargestellt und in der [X.]/[X.]c fehlt die erfindungsgemäße Orientierung der [X.] bezüglich der M-Ebene (1-100) und dem [X.].

2. Für den hier maßgeblichen Fachmann ergab sich die nach Patentanspruch 1 beanspruchte Lehre sowohl nach Hauptantrag wie auch nach sämtlichen [X.] im Anmeldezeitpunkt allerdings durch den im Verfahren befindlichen Stand der Technik in nahe liegender Weise (Art. 56 EPÜ).

2.1. Ausgangslage für die [X.]emühungen des Fachmanns um eine Problemlösung der angestrebten Verbesserung der Eigenschaften und Verlängerung der Lebensdauer einer [X.] waren die bekannten [X.], wie sie auch in den Druckschriften [X.], [X.]/[X.]b oder [X.]/[X.]c dargestellt sind.

Heterosubstrat ausgegangen wird (vgl. [X.] [0103]:

2.2. Insbesondere war der Fachmann veranlasst, die [X.] heranziehen und die dortigen Hinweise zu beachten, da diese ein verbessertes Kristallwachstum ansprechen (vgl. [X.]c Abs. [18]

M1].

Entgegen der Auffassung der [X.] ist damit eine [X.] mit [X.] offenbart, da der [X.]egriff „Substrat“ weitere Merkmale wie Verwendung und elektrische Eigenschaften nicht vorgibt.

Auch entspricht der in der [X.] verwendete Aufbau auf dem [X.] dem angegebenen [X.]eispiel 1 nach dem Streitpatent (vgl. [X.]chrift Abs. [0103]-[0107]:

Nach der [X.] werden auf einer Hauptfläche (Hauptfläche der [X.] 4) des [X.]s ([X.]) folgende Schichten gebildet:

M1.1],

[X.]], und

M1.3]

(vgl. [X.]c Abs. [0195]:

M1.4]. Die Figur 11 zeigt diesen Schichtaufbau mit [X.]:

Auf der Hauptfläche (vgl. die Absätze [0088] bis [0091]) (Off-Fläche) des [X.] befinden sich zwei [X.] ([X.] der Off-Fläche, Neigungsrichtung der Off-Fläche), welche den beanspruchten beiden [X.]n nach den Merkmalen [X.] und [X.] sowie der in [X.] beanspruchten Relation zwischen den beiden [X.]n entsprechen:

So weist die erste [X.] 4 sowohl einen [X.]/[X.] φ ([X.] [X.]) als auch eine [X.] γ ([X.]) auf (vgl. [X.]c Abs. [0081]:

In der [X.] werden auch [X.]eispiele für mögliche [X.]en angegeben. So ist als [X.] φ ([X.] [X.]) ein [X.]ereich von 0,02° bis 5° angeben (vgl. [X.]c Abs. [0089]:

Dabei sind die genannten [X.] entgegen der Auffassung der [X.] nicht als „Testreihen“ zu verstehen, die der Fachmann nicht in [X.]etracht ziehen würde. Die genannten [X.] entsprechen den Größenordnungen, die dem Fachmann für [X.] geläufig sind. Sie sind daher als [X.]eispiele für [X.] anzusehen, die einen realistischen [X.]ereich an [X.]größen definieren.

Exemplarisch wird insoweit auch auf die [X.] bis [X.] verwiesen, die ebenfalls [X.] in den genannten Größenordnungen offenbaren. Die [X.] zeigt in ihrer Zusammenfassung eine [X.] γ kleiner als 7° und einen [X.] φ von 0,02° bis 6°, die [X.] lehrt einen [X.] φ von 0,2° bis 1° (vgl. [X.] Abs. [0005], [0010], [0011]) bzw. von 1° bis 10° (vgl. [X.] Abs. [0033], [0047]), die [X.] offenbart [X.] von 0,2° bis 1° (vgl. [X.]c Abs. {0037]). Im Übrigen ist in der [X.] angegeben, dass die [X.] [X.] der [X.] nicht in besonderer Weise eingeschränkt sind (vgl. [X.]c Abs. [0088]).

_a und θ_b überführen (siehe Auslegung Abschnitt [X.]), d.h. in einen [X.] a(θ_a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1-100) und einen [X.] b(θ_b) in im Wesentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100), da die [X.] relativ zur [X.] M-Ebene definiert sind [= Merkmale [X.] und [X.]].

_a)| zu 0,492° und |b(θ_b)| zu 0,087°. Damit ist auch die in Merkmal [X.] angegebene Relation erfüllt, wonach │θ_a│> │θ_b│ > 0 ist.

Die [X.] γund der [X.] φ ([X.]) nach der [X.] sind in den Absätzen [0091] und [0089] unabhängig vom [X.] beschrieben. Weiter ist in Absatz [0196] für eine bevorzugte Ausführung eine [X.] γ zum [X.] von 90° angesprochen. Dies schränkt den [X.]sgehalt der [X.] jedoch nicht ein, vielmehr erkannte der Fachmann ohne weiteres, dass weitere Ausbildungen der [X.] bzw. [X.]en bezüglich des [X.]s möglich sind.

Weiter wird in der [X.] darauf hingewiesen, dass zur Verbesserung des Kristallwachstums große [X.] [X.] vorteilhaft sind (vgl. [X.]c Abs. [0089]:

Jedoch wusste der Fachmann andererseits aus dem Stand der Technik, dass bei großen [X.]n die optischen Eigenschaften Nachteile hinsichtlich der [X.] nach sich ziehen können. Hierauf weist auch das Streitpatent zum Stand der Technik in den Absätzen Abs. [0006 und 0007]) hin. Der Fachmann zog daher insbesondere auch kleine [X.] in [X.]etracht. Für diese kleinen [X.] stellte sich ihm die Frage der Ausrichtung des [X.]s neu, insbesondere da die Aufbringung des [X.]s keine Auswirkung auf das zuvor erfolgte Kristallwachstum bewirkt.

Aufgrund seines Fachwissens wußte der Fachmann, dass ein [X.] senkrecht zur Richtung der M-Ebene besonders vorteilhaft ist, da der [X.] exakter herstellbar ist, wobei die [X.] als Spaltebene in der Herstellung des [X.]s verwendbar ist. Die Ausbildung des [X.]s senkrecht zur Richtung der M-Ebene gehörte daher zur fachmännischen Routine.

Zu dieser Ausrichtung des [X.]s zur M-Ebene und dem insoweit bestehenden Fachwissen im Prioritätszeitpunkt wird exemplarisch auf die [X.] verwiesen, die in Fig.4 einen [X.] senkrecht zur M-Ebene (1-100) zeigt:

Gleiches zeigen auch die Druckschriften [X.] bis D5 (vgl. [X.]b Abs. [0077], [X.] [0098], [X.] Abs. [0044], [163]), insbesondere zeigt die [X.] die Verwendung eines kleinen [X.]s (0,2° bis 1°) in Verbindung mit einem [X.] senkrecht zur M-Ebene (vgl. [X.]b vgl. [X.]b Abs. [0037], [0077]).

[X.]a und [X.]a.

Damit gelangte der Fachmann in nahe liegender Weise aus dem Stand der Technik zu der Vorrichtung nach Anspruch 1 in der Fassung des Hauptantrags.

Hilfsanträgen 1 bis 8 beruhen ebenfalls nicht auf erfinderischer Tätigkeit.

Hilfsanträgen 1 und 2 verteidigten Fassung entspricht dem Patentanspruch 1 nach Hauptantrag. Die Ausführungen zur mangelnden erfinderischen Tätigkeit zum Patentanspruch 1 nach Hauptantrag treffen damit auch auf den Patentanspruch 1 in der Fassung der Hilfsanträge 1 und 2 zu.

Hilfsanträgen 3 bis 5 verteidigten Fassung ist gegenüber dem Hauptantrag das Merkmal [X.] hinzugefügt, wonach 0,1° ≤ │θ_a│ ≤ 0,7° erfüllt sein soll. Diese [X.] sind bereits in der [X.] offenbart, wenn φ =0,2° oder φ =0,5° gewählt wird. Damit ergibt sich mit den genannten [X.] 10°, 20° oder 30° ein [X.] θ_a zwischen 0,173° (φ =0,2°, γ=30°) und 0,492° (φ =0,5°, γ=10°). Der Fachmann gelangte damit auf naheliegende Weise auch zu den Ansprüchen 1 nach den Hilfsanträgen 3 bis 5.

[X.] vorgeschlagene Lösung, welche zusätzlich mit den Merkmalen [X.] und [X.] auf die unterschiedlichen [X.] der als Streifen mit abwechselnden Polaritäten ausgebildeten Regionen abstellt, lag für den Fachmann nahe, weil es im Stand der Technik hinreichend konkrete Anregungen dafür gab, diesen Weg zu beschreiten.

[X.], [X.]a, [X.]b, [X.]d und [X.]]. Eine Orientierung der [X.]-/[X.]-Streifen wird durch diese Merkmale nicht vorgegeben.

[X.]c]. Dem steht auch nicht entgegen, dass das Kristallwachstum auf dem versetzungskonzentrierten [X.]ereich durch die [X.] reguliert wird (vgl. [X.]c Abs. [0010]:

Im Übrigen ist in der [X.] auch ein Ausführungsbeispiel angegeben, bei dem nicht der gesamte versetzungskonzentrierte [X.]ereich (11) durch die [X.] (301) abgedeckt ist (vgl. [X.]c Abs. [0087]-[0092], Fig.6a).

Auch die [X.]8 zeigt, dass der Fachmann verschiedene Möglichkeiten in [X.]etracht zog, nämlich sowohl die [X.]-Streifen mit einer Wachstumskontrollschicht (301) abzudecken (vgl. [X.]8c [X.]-24, Fig.6a-c), als auch keine Wachstumskontrollschicht aufzubringen (vgl. [X.]8c S.25 , Fig.7).

Der Einsatz eines Substrats mit [X.] (high dislocation density region) und [X.] ([X.]) - Streifen unterschiedlicher Polarität war dem Fachmann aufgrund seines Fachwissens geläufig, da die Verwendung eines solchen Substrats Spannungen innerhalb des Substrats mildert und die Oberflächeneigenschaften verbessert sind. Aus fachmännischer Sicht war der Fachmann vor diesem Hintergrund auch veranlasst, die Streifensubstrate – wie in der [X.] – auch in einer [X.] nach der [X.] einzusetzen, sofern er die kristallinen Eigenschaften der [X.] verbessern wollte.

Die Lehre nach Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag 6 war deshalb auch im Hinblick auf die Hinzufügung des Merkmalskomplexes [X.]-[X.]d und [X.] dem Fachmann insgesamt nahegelegt.

Insoweit ist auch darauf hinzuweisen, dass der Senat weder aufgrund der [X.] des [X.] noch der eingehenden Erörterung mit den [X.]en im Hinblick auf die aufgenommenen Merkmale [X.]-[X.] in der danach maßgeblichen Gesamtheit aller Merkmale mehr als eine bloße Aggregation von Merkmalen erkennen kann und keine für eine erfinderische Qualität sprechende Kombinationseffekte bzw. synergistischen Effekte ([X.] [X.]. v. 10.12.2002 – [X.], [X.], 317, 320 - [X.]), d.h. eine Lehre bei welcher die [X.] sich gegenseitig beeinflussen, fördern und ergänzen auf das Ziel hin wirken und durch das funktionale Zusammenwirken sich eine über die bloße Addition hinausgehende Wirkung einstellt (hierzu Senat [X.], [X.]. v. 1.12.2010 – 4 Ni 60/09 ([X.])). Selbst hierauf kommt es aber letztlich nicht an, da selbst ein unterstellter zusätzlicher, unerwarteter und überraschender Effekt die erfinderische Leistung einer Kombination nicht zu begründen vermag, wenn die [X.]ereitstellung der Kombination dem Fachmann durch den Stand der Technik aus anderen Gründen – wie dargelegt – bereits nahegelegt war (st. Rspr., [X.] [X.]. v. 15.4.2010, [X.] = [X.], 607 – [X.]; [X.]. v. 10.12.2002 – [X.], [X.], 317, 320 - [X.]; [X.]. v. 10.9.2009 – Xa ZR 130/07, [X.], 123 - Escitalopram).

Hilfsanträge 7 und 8 umfasst einen Gegenstand der über denjenigen des Patentanspruchs 1 nach Hilfsantrag 6 hinausgeht, da das Merkmal [X.] gestrichen und in den Merkmalen [X.]', [X.]b', [X.]d' und [X.]‘ die Regionen gegenüber den Angaben nach den Merkmalen [X.], [X.]b, [X.]d und [X.] verallgemeinert wurden. Damit ergibt sich zugleich, dass auch dieser jeweilige Gegenstand aus den bereits zu Hilfsantrag 6 genannten Gründen für den Fachmann nahelag.

Als Unterlegene hat die [X.]eklagte die Kosten des Rechtsstreits gemäß §§ 84 Abs. 2 [X.] i. V. m § 91 Abs. 1 Satz 1 ZPO zu tragen. Die Entscheidung über die vorläufige Vollstreckbarkeit beruht auf §§ 99 Abs. 1 [X.], 709 ZP[X.]