Bundesgerichtshof, Entscheidung vom 01.03.2016, Az. X ZR 19/14

[X.]:[X.]:[X.]GH:2016:010316UXZR19.14.0

[X.]UN[X.]SGERICHTSHOF
IM N[X.]MEN [X.]S VOLKES
URTEIL
X ZR 19/14
Verkündet am:

1. März 2016

[X.]nderer

Justizangestellte

als Urkundsbeamtin

der Geschäftsstelle
in der [X.]atentnichtigkeitssache
-
2
-
Der X.
Zivilsenat des [X.] hat auf die mündliche Verhandlung vom 1.
März 2016 durch den Vorsitzenden Richter [X.]rof.
Dr.
Meier-[X.]eck, die Richter Gröning
und Dr.
[X.]acher sowie die Richterinnen Schuster und
Dr.
Kober-Dehm
für Recht erkannt:
[X.]uf die [X.]erufung der [X.]eklagten wird das Urteil des 4.
Senats ([X.]) des [X.] vom 30.
Januar 2014 abgeändert.
Das [X.] [X.]atent 1
583
190 wird mit Wirkung für die [X.] insoweit für nichtig erklärt, als sein Ge-genstand über folgende Fassung der [X.]atentansprüche hinaus-geht:
1.
[X.] nitride [X.], on a principal face of a ni-tride semiconductor substrate (101):
a nitride semiconductor layer (203) having [X.] conductivity type;
an active layer (205); and
a nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity type that is different from said first conductivity type, and on the sur-face of which is formed a stripe ridge (209);
wherein the said principal face of said nitride semiconductor substrate (101) has an off angle a (a) in [X.] perpendicular to the M plane (1-100) and substantially parallel to said stripe ridge (209);
characterized in that said principal face further has an [X.] (b) in [X.] parallel to the M plane (1-100) and substantially or-thogonal to said stripe ridge (209), and satisfying the relationship a

>

b

>
0,
wherein said principal face of said nitride semiconductor substrate (101) comprises [X.] region comprising the C face (0001) and a second region having at least a
crystal growth face different from that of said first region, wherein the first region and the second region have polarities separated as stripes.
-
3
-
2.
The [X.] 1, [X.] (203) hav-ing said first conductivity type
comprises a laterally grown nitride semicon-ductor layer comprising aluminum.
3.
The [X.] 1, wherein a core region (204, 205, 207) including an active layer (205) is formed between said semiconductor layer (203) having said first conductivity type and said semiconductor layer (208) having said second conductivity type, and at least one of said semiconductor layer (203) having said first conductivity type and said semiconductor layer (208) having said second conductivity type comprises su[X.]essively, [X.] nitride semiconductor layer that is closest to an outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207) and a second nitride semiconductor layer, a re-fraction differential existing between the outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207) and said first nitride semiconductor layer, and [X.] nitride semi-conductor layer.
4.
The [X.] 3, wherein said first nitride semiconductor layer has a lower refractive
index than the outermost layer of said core region (204, 205, 207).
5.
The [X.] 3, wherein said second nitride semiconductor layer has a lower refractive index than said first nitride semiconductor layer.
6.
The [X.] 3, wherein the refractive index differential ([X.]) be-tween the outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207) and said first nitride semiconductor layer and/or the refractive index differ-ential ([X.]) [X.] nitride semiconductor layer is 0.004 to 0.03.
7.
The [X.] 3, wherein
an n-type nitride semiconductor layer (203) comprises [X.] n-type nitride semiconductor layer in [X.] outermost layer (204) of the core region (204, 205,
207) and a number m of su[X.]essive n-type nitride semi-conductor layers up to an nitride semiconductor layer number m (m

2);
-
4
-
a p-type nitride semiconductor layer (208) comprises [X.] p-type nitride semiconductor layer in [X.] outermost layer (207) of the core region (204, 205, 207); and
the refractive [X.] nitride semiconductor layer number m (m

2) is greater than the refractive [X.] p-type nitride semi-conductor layer.
8.
The [X.] 3, wherein the refractive index differential (n) between the n-type nitride semiconductor layer number m (m

2) and the p-type ni-tride semiconductor layer is 0.004 to 0.03.
9.
The [X.] 3, wherein the refractive index differential (nm) be-tween the n-type nitride semiconductor layer number m (m

2) and the outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207) is 0.007 to 0.05.
Im Übrigen wird die Klage abgewiesen.
Die Kosten des Rechtsstreits werden gegeneinander aufgehoben.
Von Rechts wegen
-
5
-
Tatbestand:
Die [X.]eklagte ist Inhaberin des mit Wirkung für die [X.] erteilten [X.]n [X.]atents 1
583
190, das am 31.
März 2005 unter Inanspruchnahme zweier [X.]rioritäten vom 2.
[X.]pril und 30.
Juli 2004 ange-meldet wurde und eine [X.]
betrifft.
Die erteilte Fassung von [X.]atentanspruch
1, auf den sich zwölf weitere [X.]atentansprüche zurückbeziehen, lautet in der [X.]:
[X.] nitride [X.], on a principal face of a nitride semiconductor substrate (101):
a nitride semiconductor l

an active layer (205); and
a nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity type that is different from said first conductivity type, and on the surface of which is formed a stripe ridge (209);
wherein the said principal face of said nitride semiconductor substrate
(101) has an off angle a (a) in [X.] perpendicular to the M plane (1-100); characterized in that said principal face further has an [X.] (b) in [X.] parallel to the M plane (1-100), and satisfying the rela-tionship a

>

b

>
0.
Die Klägerin hat geltend gemacht, der Gegenstand des Streitpatents sei nicht patentfähig. Die [X.]eklagte hat das Schutzrecht mit einem Hauptantrag
und acht Hilfsanträgen in geänderter Fassung verteidigt.
Das [X.]atentgericht hat das Streitpatent für nichtig
erklärt. Mit ihrer [X.]eru-fung verteidigt die [X.]eklagte das Streitpatent zuletzt mit einem Hauptantrag
und neun Hilfsanträgen
in Fassungen, die inhaltlich weitgehend den Fassungen der erstinstanzlichen Hilfsanträge 6 bis 8 entsprechen. Die Klägerin tritt dem Rechtsmittel entgegen.
1
2
3
4
-
6
-
Entscheidungsgründe:
Die zulässige [X.]erufung hat Erfolg.
I.
[X.] betrifft einen Nitrid-Halbleiter, der als Laser einge-setzt werden kann.
1.
Nach den [X.]usführungen in der Streitpatentschrift wird das [X.] für solche Laservorrichtungen durch epitaktisches Wachstum ([X.], [X.]) hergestellt. Hierzu werde ein Substrat ein-gesetzt, auf dem sich durch Kristallwachstum eine Schicht aus [X.] bilde. Um die [X.] zu reduzieren, die kristallinen Eigenschaften zu verbessern und den Durchmesser zu vergrößern, sei im Stand der Technik ein Substrat vorgeschlagen worden, das in einer bestimmten Richtung einen Fehl-winkel (off angle) zwischen 1 Grad und 20 Grad aufweise. Wegen der [X.]reite des vorgeschlagenen [X.]ereichs komme es jedoch zu einer ungleichmäßigen Zusammensetzung bei Indium, [X.]luminium oder dergleichen und zu einer ungleichen
Verteilung von Verunreinigungen.
[X.] betrifft das technische [X.]roblem, die genannten [X.] möglichst zu vermeiden.
2.
Zur Lösung dieses [X.]roblems schlägt das Streitpatent in der mit dem zweitinstanzlichen Hauptantrag verteidigten Fassung von [X.]atentanspruch
1 eine [X.] vor, deren Merkmale sich wie folgt glie-dern lassen
(Gliederung des [X.]atentgerichts in eckigen Klammern):
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6
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-
7
-
1.
Die Vorrichtung weist eine Hauptfläche aus einem [X.] (101) auf [[X.]] und umfasst:
a)
eine erste [X.] (203) mit einem
bestimmten [X.]
[[X.].1],
b)
eine aktive Schicht (205)
[[X.].2],
c)
eine zweite Nitrid-Halbleiter-Schicht (208) mit einem anderen
[X.] als die erste Schicht [[X.].3],
d)
einen [X.] (209) auf der Oberfläche der zweiten Schicht [[X.].4].
2.
Die Hauptfläche des
Substrats (101) weist zwei Fehlwinkel a (a) und b (b) auf, und zwar
a)

a
in einer Richtung,
(1)
die im Wesentlichen senkrecht zur M-[X.] (1-100)
[M2]
(2)
und parallel zum [X.] (209) [[X.]] verläuft,
b)

b
in einer Richtung,
(1)
die im Wesentlichen parallel zur M-[X.] (1-100)
[M3]
(2)
und senkrecht zum [X.] (209) [M3a] verläuft.
c)
Der [X.]etrag beider Fehlwinkel ist größer als 0 und der [X.]etrag von a
ist größer als der [X.]etrag von b
[[X.]].
3.
Die Hauptfläche des [X.] (101) umfasst
a)
eine erste Region
[[X.]'], welche die [X.] (0001) umfasst
[[X.]a],
b)
eine zweite Region [[X.]'] mit mindestens einer Kristallwachs-tumsfläche [[X.]c], die von jener der ersten Region verschieden ist
[[X.]d'].

c)
Die erste Region und die zweite Region weisen als Streifen
ge-trennte [X.]olaritäten auf [[X.]'].

-
8
-
3.
Einige Merkmale bedürfen näherer Erläuterung.
a)
Halbleiterlaser sind elektronische [X.]auteile, die -
ähnlich wie eine Leuchtdiode -
Licht emittieren, wenn Strom durch das [X.]auteil fließt. [X.]eim Halb-leiterlaser geschieht dies in Form eines Laserstrahls.

Der typische [X.]ufbau besteht aus einer Schicht mit Elektronenüberschuss (n-Schicht),
einer
Schicht mit Elektronenmangel (p-Schicht) und einer dazwi-schen angeordneten
aktiven
Schicht, in der das Licht erzeugt wird. Entspre-chend dazu sieht das Streitpatent in den Merkmalen
1a, 1c und 1b eine erste Halbleiterschicht (203), eine zweite Halbleiterschicht (208) und eine dazwischen angeordnete aktive Schicht (205) vor. Nach der [X.]eschreibung können weitere Schichten vorhanden sein, zum [X.]eispiel mehrere n-Schichten ([X.]bs.
86). Nach Merkmal 1d ist auf der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (208) ferner ein [X.] (209) angeordnet. Dieser dient der Führung und [X.]ündelung des Lichts.
Ein [X.]eispiel für einen solchen [X.]ufbau ist in Figur 2a der [X.] dargestellt:

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-
9
-
b)
[X.]ls Material für den Laser sieht das Streitpatent in Merkmal 1 einen Nitrid-Halbleiter vor. In den [X.]usführungsbeispielen wird [X.] eingesetzt. Zur Herstellung wird auf einem Substrat durch epitaktisches Wachstum eine Kristallstruktur gezüchtet.
Das [X.] kann ebenfalls aus [X.] bestehen oder aus einem anderen Stoff. Im zuerst genannten Fall wird das Wachstum der Kristallstruktur als homoepitaktisch
bezeichnet, im zweiten Fall als heteroepitak-tisch.
[X.]atentanspruch
1 enthält insoweit keine Festlegung.

In der [X.]eschreibung wird ein Herstellungsvorgang geschildert, bei dem auf einem [X.] aus [X.] zunächst ein [X.]-Substrat aufge-bracht wird. In dem geschilderten [X.]eispiel wird das [X.] vor [X.]eginn der weiteren [X.] entfernt. Ergänzend wird ausgeführt, es könne alternativ erst zu einem späteren Stadium entfernt oder dauerhaft belassen werden ([X.]bs.
33).
c)
[X.]-Kristalle weisen eine Grundstruktur auf, die einem ge-raden [X.]risma mit einem gleichseitigen Sechseck als Grundfläche entspricht. Nach der kristallographischen Nomenklatur werden die Grund-
und die Deckflä-che dieses [X.]rismas als C-[X.]n bezeichnet, die Seitenflächen als M-[X.]n. Jeder einzelnen Fläche wird ferner eine aus den Zeichen 0, 1, und -1 (oder
zusammengesetzte und von runden Klammern umschlossene [X.]ezeichnung zugeordnet. Die obere C-[X.] hat etwa die [X.]ezeichnung
(0001), die M-[X.], die bei einer grundrissartigen Darstellung oben verläuft, die [X.] (1-100). Dieselbe [X.] -
von eckigen
Klammern um-schlossen -
wird der Richtung zugeordnet, die senkrecht zur jeweiligen Fläche nach außen verläuft.
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-

d)
Die Kristalle werden auf Scheiben (Wafern) hergestellt, deren Durchmesser nach der [X.]eschreibung des Streitpatents ([X.]bs.
42) vorzugsweise mindestens 1 Zoll und noch besser mindestens 2 Zoll beträgt. Die einzelnen Chips weisen nach der [X.]eschreibung des Streitpatents ([X.]bs.
77) vorzugsweise eine rechteckige Form mit einer Kantenlänge von rund 500
µm auf. [X.]us einem Wafer können mehrere Zehntausend solcher Chips hergestellt werden.
aa)
Zur [X.]eeinflussung des Kristallwachstums und der [X.] können die Wafer so ausgestaltet werden, dass ihre Oberfläche nicht parallel zu einer der Oberflächen der kristallinen Grundstruktur verläuft. Nach der [X.]eschreibung des Streitpatents kann dies dadurch geschehen, dass das in einem ersten Schritt hergestellte Substrat durch Ätzen in eine
geeignete Form gebracht wird
([X.]bs.
47). [X.]ls alternative Möglichkeiten werden andere Oberflä-chenbehandlungen wie Schleifen oder Schneiden sowie der Einsatz eines in entsprechender Weise ausgebildeten [X.]s angeführt ([X.]bs.
48).
Die [X.]usbildung von solchen Fehlwinkeln führt dazu, dass die Oberfläche des Substrats terrassenförmig ausgestaltet ist, wie dies etwa in der folgenden, dem von der [X.]eklagten eingereichten [X.]rivatgutachten von [X.]rof. Dr.

S.

([X.]R10) entnommenen Zeichnung schematisch dargestellt wird:
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-
11
-

[X.]eim Wachstum der weiteren Kristallstrukturen auf einem solchen [X.] entstehen auf den einzelnen [X.] Schichten, die sich seitlich aneinanderfügen.
[X.])
[X.] kann angegeben werden durch eine Kom-bination aus einem Kipp
ab), die sich auf zwei senkrecht zu-einander stehende [X.]chsen beziehen.

[X.] verwendet die zweite, auf kartesischen Koordinaten be-ruhende
Terminologie und gibt in den [X.] 2a und 2b zwei Fehl-ab) vor, von denen sich der erste auf eine Richtung senkrecht zur [X.] (1-100) -
also auf die Richtung [1-100] -
bezieht und der zweite auf die Richtung parallel zu dieser [X.].
In Merkmal 2c ist festgelegt, dass die Haupt-fläche des Substrats um beide [X.]chsen gekippt a
größer b. In der anderen, auf [X.] Terminologie kann diese [X.]nforderung dahin formuliert werden, dass der [X.]etrag des Kippwinkels

oberhalb von 0 Grad und der [X.]etrag des Richtungs-winkels

-
bezogen auf die Richtung [1-100] und die Richtung des Streifen-grats
-
zwischen 0 und 45 Grad liegen muss.

Die erteilte Fassung von [X.]atentanspruch
2 und die Fassungen, die [X.]a-tentanspruch
1 nach den zweitinstanzlichen Hilfsanträgen 1, 3, 4, 6, 8 und 9 erhalten solla zwi-21
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-
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-
schen 0,1 und 0,7 Grad liegt. Nach der alternativen Terminologie bedeutet dies, dass der [X.]etrag des Kippwinkels

0 und 0,99 Grad liegt.
e)
Durch die Merkmale 2a(2) und 2b(2)
ist darüber hinaus die Richtung des [X.] (209) festgelegt. Dieser verläuft im Wesentlichen senkrecht zur [X.] (1-100), also in der Richtung [1-100].

In der [X.]eschreibung
wird dies dahin erläutert, die Hauptfläche des [X.]s sei in einer Richtung [X.] geneigt, die im Wesentlichen parallel zu dem Grat verlaufe ([X.]bs.
19
f. mit Figuren
3 und 4).
Dies steht nicht vollständig in Einklang mit dem Wortlaut von [X.]atentanspruch
1, weil die Richtung [X.] um den Winkel a
von der Richtung [1-100] abweicht. Dem ist zu entnehmen, dass eine Neigung des Grats entsprechend
dem
Winkel a
mit den Merkmalen 2a(2) und 2b(2) in Einklang steht, dass aber eine
Drehung des Grats um eine im Verhältnis zu seiner Längenerstreckung vertikale [X.]chse grundsätzlich ausgeschlossen ist.

f)
[X.] sieht in [X.] 3 ergänzend vor, dass die Hauptfläche des Substrats in streifenförmige Regionen aufgeteilt ist, die unter-schiedliche Kristallwachstumsflächen mit unterschiedlicher [X.]olarität aufweisen.
Letzteres kann dadurch erreicht werden, dass in der einen Region über-wiegend Gallium-[X.]tome an der Oberfläche liegen
und
in der anderen Region überwiegend Stickstoff-[X.]tome. Die unterschiedliche [X.]olarität führt zu unter-25
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-
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-
schiedlichen Wachstumsgeschwindigkeiten. Hierdurch bilden sich nach dem Vortrag der [X.]eklagten abwechselnd Zonen mit eher geringer und mit eher ho-her [X.], d.h. mit einem verhältnismäßig geringen bzw. einem verhältnismäßig hohen [X.]nteil an
Fehlern in der
Kristallstruktur.
Nach der [X.] des Streitpatents ([X.]bs.
37) ist es vorteilhaft, die Streifen mit geringer [X.] deutlich breiter auszugestalten als die Streifen mit hoher [X.].
In welcher Richtung die Streifen verlaufen, ist weder in den [X.]atent-ansprüchen noch in der [X.]eschreibung
näher festgelegt.
Der Fachmann muss hierzu auf sein Fachwissen zurückgreifen. Hinweise dazu kann er den [X.], [X.] und [X.] entnehmen, auf die im Zusammenhang mit der erfinderischen Tätigkeit noch näher einzugehen sein wird.
II.
Das [X.]atentgericht hat seine Entscheidung, soweit für das [X.]erufungs-verfahren noch von Interesse,
im Wesentlichen wie folgt begründet:
Der Gegenstand des Streitpatents sei dem Fachmann, einem Team aus [X.]hysikern, Chemikern und Materialwissenschaftlern mit Universitäts-
oder Hochschulabschluss und umfangreicher Erfahrung auf den Gebieten der Kris-tallzüchtung und der Halbleitersubstrate, durch den Stand der Technik nahege-legt.
Im [X.]rioritätszeitpunkt seien dem Fachmann sowohl das [X.] als auch das homoepitaktische Wachstum zur Herstellung von [X.] geläufig gewesen. Er habe sich je nach [X.]edarf für die eine oder die andere Methode entschieden.
In der [X.] Offenlegungsschrift 2001-160539 ([X.]) sei eine [X.] offenbart, bei der ein [X.]-Substrat auf ein [X.]-Substrat aufgebracht werde. Der [X.]ufbau entspreche demjenigen aus [X.]eispiel
1 des 29
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-
Streitpatents. Die Hauptfläche weise zwei Fehlwinkel auf, deren
[X.]etrag den Vorgaben des Streitpatents
entspreche und die auch die in Merkmal [X.] ange-gebene Relation erfüllten. In [X.] werde zwar darauf hingewiesen, dass zur [X.] vorteilhaft seien. Dem Fachmann sei aber bekannt gewesen, dass große Fehlwinkel die optischen Eigenschaften nachteilig beeinflussen könnten.
Wie sich exemplarisch aus der veröffentlichten [X.] 2003/0001238 ([X.]) sowie
den [X.] Offenlegungsschriften 2003-133649 ([X.]), 2003-204122 ([X.]) und 2001-144378 ([X.]) ergebe, habe der Fachmann ferner gewusst, dass ein [X.] senkrecht zur Richtung der M-[X.] [X.] vorteilhaft sei, weil die [X.] als Spaltebene eingesetzt werden könne und eine exakte Herstellung ermögliche.

In [X.] sei des Weiteren offenbart, dass die Hauptfläche des Halb-leitersubstrats eine Region mit geringer und eine Region mit großer Dislokati-onsdichte aufweise, die als Streifen mit abwechselnden [X.]olaritäten gebildet seien. Der versetzungskonzentrierte [X.]ereich weise auch eine Kristallwachs-tumsfläche auf. Der Fachmann habe [X.]nlass gehabt, solche Streifensubstrate auch in einer Vorrichtung nach der [X.] einzusetzen, um die kristallinen Eigen-schaften zu verbessern. In der Hinzufügung der Merkmale [X.] und [X.] könne ohnehin nur eine bloße [X.]ggregation gesehen werden.
III.
Diese [X.]eurteilung hält der Überprüfung im [X.]erufungsverfahren in einem
entscheidenden [X.]unkt nicht stand.
1.
Ohne Erfolg bleiben die Einwendungen der Klägerin gegen die Zu-lässigkeit der mit dem zweitinstanzlichen Hauptantrag verteidigten Fassung von [X.]atentanspruch
1.

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36
37
-
15
-
a)
[X.]us den in den ursprünglich eingereichten Unterlagen formulierten [X.]nsprüchen lässt sich die nunmehr beanspruchte Merkmalskombination [X.] nicht unmittelbar und eindeutig entnehmen.
In [X.]nspruch 1
und den darauf rückbezogenen [X.]nsprüchen 2 und 9 der [X.]nmeldung sind zwar Vorrichtungen vorgesehen, die zwei Fehlwinkel a
und b
aufweisen, von denen der erste (a) im Wesentlichen parallel zum [X.] verläuft und größer ist als der zweite (b). Dort ist aber nicht festgelegt, dass a
im Wesentlichen senkrecht zur [X.] (1-100) verläuft und dass die Vorrichtung zusätzlich eine Streifenstruktur entsprechend der [X.] 3 aufweist. Die
zuletzt genannten Merkmale sind zwar in [X.]nspruch 18 und den darauf zu-rückbezogenen [X.]nsprüchen 20 und 21 der [X.]nmeldung vorgesehen. Diese [X.]n-sprüche verhalten sich aber nicht ausdrücklich zur Richtung des [X.] und nehmen auch nicht auf die [X.]nsprüche
1 bis 17 [X.]ezug.
b)
[X.]us der [X.]eschreibung der [X.]nmeldung ergibt sich jedoch hinreichend deutlich, dass eine Kombination aller genannten Merkmale zur Erfindung ge-hört.
In den einleitenden [X.]assagen der [X.]eschreibung werden die in den [X.]n-sprüchen 1 und 18 beanspruchten Vorrichtungen zwar ebenfalls nacheinander und ohne ausdrückliche Verknüpfung
als mögliche [X.]usführungsformen der Er-findung aufgezeigt ([X.]bs.
10
f.). Schon in diesem Zusammenhang wird aber ausgeführt, dass solche Vorrichtungen zusätzliche Merkmale aufweisen [X.], zu denen Regionen mit zwei unterschiedlichen Kristallwachstumsflächen und unterschiedlicher [X.]olarität gehören können ([X.]bs.
12). In der anschließen-den [X.]eschreibung bevorzugter [X.]usführungsbeispiele wird ferner ausgeführt, der Fehlwinkel verlaufe im Wesentlichen
parallel zum [X.] und zur Rich-tung [1-100] ([X.]bs.
22). Im Zusammenhang mit diesem [X.]usführungsbeispiel wird die [X.]usbildung streifenförmiger Regionen mit unterschiedlicher Versetzungs-dichte beschrieben ([X.]bs.
37
-
43). Daraus ergibt sich unmittelbar und eindeutig, 38
39
40
41
-
16
-
dass Vorrichtungen zur Erfindung gehören, bei denen alle diese Merkmale in Kombination verwirklicht sind.
c)
Entgegen der [X.]uffassung der Klägerin ist in den ursprünglich einge-reichten Unterlagen auch das Merkmal, wonach sowohl der [X.]etrag a
als b
größer sind als 0, als zur Erfindung gehörend offenbart.
In der [X.]nmeldung ist zwar nur die [X.]nforderung
formuliert, der [X.]etrag von a
müsse b. [X.]us diesen [X.]usführungen ergibt sich aber implizit, dass hierbei b
größer sein muss als 0. So-wohl in den [X.]nsprüchen 1 und 2 als auch in der [X.]eschreibung ([X.]bs.
9 und 10) wird unterschieden zwischen Vorrichtungen, die lediglich einen Fehlwinkel a
aufweisen, und Vorrichtungen, bei denen zusätzlich ein b
vorhan-den ist. Diese Unterscheidung ist nur dann sinnvoll, wenn der [X.]etrag von b
größer ist als 0.
2.
Zu Recht hat das [X.]atentgericht den Gegenstand des Streitpatents als neu angesehen. Dies wird, soweit es um die mit der [X.]erufung noch vertei-digten Fassungen geht, auch von der Klägerin nicht in Zweifel gezogen.
3.
Entgegen der [X.]uffassung des [X.]atentgerichts beruht der Gegenstand von [X.]atentanspruch
1 in der mit dem zweitinstanzlichen Hauptantrag (und dem erstinstanzlichen Hilfsantrag
7) verteidigten Fassung auf erfinderischer Tätig-keit. Er war dem Fachmann, dessen Definition die [X.]arteien nicht in Zweifel zie-hen, insbesondere nicht durch die Entgegenhaltungen [X.], [X.] und [X.] nahege-legt.
a)
In der [X.] Offenlegungsschrift 2001-160539 ([X.], [X.]) sind
allerdings, wie auch die [X.]erufung nicht in Zweifel zieht,
die [X.] und die [X.] 2 mit [X.]usnahme der Merkmale 2a(2) und 2b(2) offenbart.
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17
-
aa)
In [X.] werden mehrere Verfahren zur Herstellung von [X.]-Halbleiterlasern offenbart.
In der [X.]eschreibung wird ausgeführt, um Schwierigkeiten bei der [X.] zu überwinden, würden [X.]-Substrate durch epitaktisches Wachstum auf einem Substrat aus [X.], Siliziumcarbid
oder Silizium herge-stellt. Wegen der unterschiedlichen Gitterkonstanten entstünden dabei [X.], die sich vom Substrat aus nach oben und unten erstreckten und eine Versetzungsdichte von etwa 109
cm-2
aufwiesen. Die Versetzungen könnten durch das epitaktische laterale Überwachsen ([X.]) verringert werden. Hierbei würden auf einer
ersten
Schicht aus
[X.] mehrere streifenförmige Schichten aus Siliziumdioxid ausgebildet. [X.]nschließend werde eine weitere Schicht aus [X.] aufgebracht. Diese wachse zunächst in
den Lücken zwischen den [X.] nach oben und anschließend auch in seit-licher Richtung. Hierdurch würden die Versetzungen in senkrechter Richtung
(c-Richtung) reduziert. Der Einsatz der [X.] führe allerdings zu [X.]ruchstellen in der zweiten [X.]-Schicht, weil die [X.] unterschiedlich seien und weil oberhalb der [X.] Hohlräume entstehen könnten.
Um die kristallinen Eigenschaften weiter zu verbessern und [X.]ruchstellen zu
vermeiden, werden in [X.] drei Verfahren vorgeschlagen, bei denen jedenfalls die oberste [X.]-Schicht ohne Einsatz von [X.] aus-gebildet wird.
[X.]ei einer als Erfindung Nr.
1 bezeichneten [X.]usführungsform ([X.]c [X.]bs.
20
ff.;
[X.]bs.
78
ff.) wird hierzu eine Schicht (4) aus [X.] in einem bestimmten Winkel angeschliffen, so dass eine in bestimmter Richtung und in festgelegtem Winkel [X.] geneigte Fläche entsteht, die in [X.] auch als [X.] bezeichnet wird. Diese Fläche weist eine stufenförmige Struktur auf
([X.]c Figu-ren
1
b und 1
c).
47
48
49
50
-
18
-

Hierdurch wird ein laterales Wachstum der darauf aufgebrachten zweiten Schicht aus [X.] ermöglicht. Damit werden Versetzungen, die sich in
c-Richtung ausbreiten, reduziert und das Entstehen von [X.]ruchstellen [X.]. [X.]ls mögliche Werte für den Fehlwinkel werden 0,05, 0,1, 0,2, 0,5, 1, 2 und 5 Grad angegeben. In diesem Zusammenhang wird ausgeführt, die Kristallinität nehme zu, je größer der Fehlwinkel sei ([X.]c [X.]bs.
89). [X.]ls mögliche Werte für die [X.] werden die Richtung [1-100] und drei jeweils um 10 Grad hier-von abweichende Richtungen genannt. Hierzu wird ausgeführt, die Kristallinität nehme ab, je näher die [X.] an der Richtung [1-100] sei ([X.]c [X.]bs.
91).
[X.]ls weiteres [X.]usführungsbeispiel wird ein Verfahren geschildert, bei dem auf eine erste Schicht (3) aus [X.] eine relativ geringe [X.]nzahl von [X.] (15) aufgebracht
und sodann in der aus dem Stand der Technik bekannten Weise eine weitere [X.]-Schicht (4) ausgebildet wird. [X.]uf dieser zweiten Schicht wird eine [X.] ausgebildet und eine dritte [X.]-Schicht (5) aufgebracht, deren Kristallinität als noch besser einge-schätzt wird ([X.]c [X.]bs.
108
mit Figuren
3
c und 3
d).

51
52
-
19
-
Zur weiteren Steigerung der Kristallinität wird vorgeschlagen, das [X.] nicht durch selektives Wachstum herzustellen, sondern durch [X.]bschleifen eines [X.]ulk-[X.]-Substrats mit wenig Versetzungen ([X.]c [X.]bs.
114). [X.]ußerdem wird es als selbstverständlich möglich bezeichnet, das [X.]-Substrat vor der [X.]usbildung des [X.] zu entfernen ([X.] [X.]bs.
115).
[X.]ei einer als Erfindung Nr.
2 bezeichneten [X.]usführungsform ([X.]c [X.]bs.
26
ff.; [X.]bs.
116
ff.) werden auf dem [X.]-Substrat streifenförmige Vertie-fungen erzeugt. Hinsichtlich der Richtung dieser Streifen wird ausgeführt, diese sei nicht in besonderer Weise eingeschränkt; im geschilderten [X.]eispiel verlaufe sie in [1-100]-Richtung, sie könne aber zum [X.]eispiel auch in [11-20]-Richtung verlaufen ([X.]c [X.]bs.
120). [X.]uf dieses Substrat wird eine [X.]-Schicht (13) aufgebracht, die aufgrund der Streifen zunächst in vertikaler und danach auch in lateraler Richtung wächst
([X.]c [X.]bs.
121 mit Figuren
5
c bis 5
e).

[X.]ls Vorteil dieses Verfahrens wird angeführt, mit ihm könne schon durch einmaliges [X.]ufwachsen eine [X.]-Schicht mit weniger Versetzungen erlangt werden ([X.]c [X.]bs.
127). [X.]llerdings bildeten sich in der Mitte über den Vertiefungen auf dem [X.]-Substrat Regionen mit einer vergleichsweise hohen
Versetzungsdichte. Deshalb wird es als vorzugswürdig angesehen, die Halbleiter-[X.]auelemente zwar im [X.]ereich der Vertiefungen, aber außerhalb von deren Mitte auszubilden ([X.]c [X.]bs.
130).
[X.]ls abgewandelte [X.]usführungsformen werden unter anderem der [X.] anderer Materialien für das Substrat und die [X.]usbildung von Vertiefungen 53
54
55
56
-
20
-
in einem wabenförmigen Muster vorgeschlagen. [X.]ls weitere [X.]bwandlung wird vorgeschlagen, auf dem [X.]-Substrat eine [X.] mit treppenförmigen [X.]bstufungen auszubilden und darauf zunächst eine [X.]ufferschicht und danach eine [X.]-Schicht aufzubringen.
[X.]ei einer als Erfindung Nr.
3 bezeichneten [X.]usführungsform ([X.]c [X.]bs.
39
ff.; [X.]bs.
168
ff.) wird auf dem [X.]-Substrat zunächst
eine [X.]uffer-schicht aus [X.]luminiumgalliumnitrid aufgebracht
und durch anschließendes Ät-zen in eine streifenförmige Struktur gebracht. Darauf wird eine Schicht (53) aus [X.] ausgebildet. Dabei
bilden sich aufgrund der unterschiedlichen Git-terkonstanten zunächst einzelne Streifen im [X.]ereich der [X.]ufferschicht, die im weiteren Verlauf lateral zusammenwachsen
([X.]c [X.]bs.
173
mit Figuren
9
c bis
e).

[X.]uch für diese [X.]usführungsform wird es als vorzugswürdig bezeichnet, das Halbleiter-[X.]auelement zwar im [X.]ereich der freiliegenden Region des Sa-phir-Substrats, aber außerhalb von deren Zentrum auszubilden ([X.]c [X.]bs.
180).
[X.]ls Erfindungen Nr.
4 bis 6 werden Verfahren geschildert, mit denen auf den entsprechend den Erfindungen Nr.
1 bis 3 hergestellten Strukturen die wei-teren Schichten für den Halbleiterlaser aufgebracht werden. In Zusammenhang mit der Erfindung Nr.
4 wird hierbei ausgeführt, der [X.] der [X.] (110) breite sich vorzugsweise senkrecht zur [X.] der ersten [X.]-Schicht aus ([X.]c [X.]bs.
196
mit Figur
11).
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-
21
-

[X.])
Damit ist eine Vorrichtung offenbart, deren Schichtaufbau der [X.] entspricht und bei der die in [X.] 2 definierten [X.]nfor-derungen an die beiden Fehlwinkel im Verhältnis zur [X.] [1-100] eingehalten

[X.])
Nicht offenbart
ist demgegenüber die [X.]usrichtung des [X.] senkrecht zur M-[X.] (1-100), also parallel zur Richtung [1-100].
Wie bereits oben aufgezeigt wurde, wird in [X.] eine [X.]usrichtung parallel zur [X.] (1-100) als vorzugswürdig bezeichnet. Diesen [X.]usführungen lässt sich zwar nicht entnehmen, dass eine abweichende [X.]nordnung ausscheidet. Sie geben aber keinen unmittelbaren und eindeutigen Hinweis darauf, wie eine der in [X.] offenbarten Lehre entsprechende Vorrichtung ausgestaltet werden könnte, bei der der [X.] um 90 Grad gedreht angeordnet ist.
[X.])
Ebenfalls nicht offenbart ist die Kombination mit der Merkmalsgrup-pe
3.
60
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63
-
22
-
In [X.] wird als Erfindung Nr.
2 zwar eine Vorrichtung beschrieben, die ein streifenförmiges Muster aus Zonen mit geringer und hoher Versetzungsdichte aufweist. Nicht offenbart ist aber eine [X.]usführungsform, bei der diese [X.]usge-staltung mit der als Erfindung Nr.
1 offenbarten [X.]usgestaltung einer terrassen-förmigen [X.] kombiniert ist. In einem abgewandelten [X.]eispiel der Erfin-dung Nr.
2 wird das streifenförmige Muster zwar auf ein mit einer [X.] versehenes Grundsubstrat aus Graphit aufgebracht. Daraus lässt sich aber nicht entnehmen, dass auch das
darauf ausgebildete Substrat aus [X.] eine solche [X.] aufweist, wie dies nach der Erfindung Nr.
1 und nach dem Streitpatent vorgesehen ist.
Darüber hinaus finden sich in [X.] keine Hinweise auf unterschiedliche [X.]olaritäten und Wachstumsflächen.
b)
Für den Fachmann ergaben sich allerdings schon aus [X.] gewisse Hinweise darauf, dass eine [X.] gemäß Erfindung Nr.
1 mit
einer Strei-fenstruktur gemäß Erfindung Nr.
2 kombiniert werden kann.
Entgegen der [X.]uffassung der [X.]erufung stehen die einzelnen [X.]usfüh-rungsformen in [X.] -
trotz ihrer [X.]ezeichnung als "Erfindungen" -
nicht isoliert
nebeneinander. [X.] enthält im Zusammenhang mit den Erfindungen Nr.
1 und 2 vielmehr konkrete
Hinweise auf die Kombination der dort jeweils im Mittelpunkt stehenden Verfahrensweise mit anderen Methoden. So wird wie bereits [X.] vorgeschlagen, die Streifenstruktur gemäß Erfindung Nr.
2 auf ein Sa-phir-Substrat aufzubringen, das eine [X.] aufweist. [X.]ls ergänzende Maß-nahme zu der [X.]usbildung einer [X.] auf einem [X.]-Substrat gemäß Erfindung Nr.
1 wird vorgeschlagen, zunächst mit Hilfe von [X.] eine erste [X.]-Schicht herzustellen, wie sie im Stand der Technik grundsätzlich bekannt war, und erst auf dieser eine [X.] als Grundlage für die nächste [X.]-Schicht auszubilden.
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67
-
23
-
[X.]us diesen Hinweisen ergaben
sich für den Fachmann [X.]nhaltspunkte
für die Suche nach weiteren Kombinationsmöglichkeiten, um die Eigenschaften der Vorrichtung weiter zu verbessern. Im Hinblick auf die in [X.] offenbarte [X.] einer Streifenstruktur mit einem geneigten [X.]-Substrat kam hierbei ins-besondere in [X.]etracht, eine Streifenstruktur mit dem bei Erfindung Nr.
1 [X.] geneigten [X.]-Substrat zu kombinieren.

Entgegen der [X.]uffassung der [X.]erufung stand solchen Überlegungen nicht zwingend der Umstand entgegen, dass die streifenförmige Struktur bei Erfindung Nr.
2 zu einer anisotropen Kristallanordnung führt. In [X.] wird aufge-zeigt, dass die Streifen mit hoher Versetzungsdichte hingenommen werden können, sofern die einzelnen [X.]auelemente in geeigneter Weise auf dem Wafer angeordnet werden. Daraus ergab sich für den Fachmann, dass es nicht zwin-gend erforderlich ist, über die gesamte Fläche hinweg eine einheitliche Kristall-struktur zu erzeugen, sondern dass es ausreicht, wenn die [X.]ereiche mit mög-lichst niedriger Versetzungsdichte so groß sind, dass dort mindestens jeweils ein [X.]auelement [X.]latz findet, ohne dass dessen Funktion durch die [X.]ereiche
mit hoher Versetzungsdichte in nennenswertem Umfang beeinträchtigt wird.
c)
Vor diesem Hintergrund hatte der Fachmann [X.]nlass, nach weiteren Methoden zur Verbesserung der [X.]rodukteigenschaften zu suchen. Diese erga-ben sich aus der [X.]
Offenlegungsschrift 2003-133649 ([X.], [X.]) und der
internationalen
[X.]atentanmeldung
WO
03/38957 ([X.], [X.] und Sumito-mo).
aa)
In [X.] wird ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung von [X.] offenbart.
In der [X.]eschreibung wird ähnlich wie in [X.] das epitaktische laterale Überwachsen ([X.]) als Stand der Technik dargestellt. [X.]ls nachteilig wird [X.], dass drei unterschiedliche Verfahrensschritte mit Kristallwachstum 68
69
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72
-
24
-
erforderlich seien, dass die Lebensdauer insbesondere bei höheren Temperatu-ren und Leistungen unzureichend sei und dass es wegen [X.]ruchstellen zu einer verschlechterten [X.]usbeute komme. [X.]ls Grund für diese [X.]robleme werden Kris-tallgitterdefekte benannt, deren Dichte mit 5107
cm-2
angegeben wird.
Zur Überwindung dieser [X.]robleme wird in [X.] vorgeschlagen, Substrat aus [X.] einzusetzen, das in streifenförmige [X.]ereiche
eingeteilt ist, die abwechselnd eine hohe und eine niedrige Versetzungsdichte aufweisen. Hierzu wird auf einer
Grundplatte, die bevorzugt aus [X.] besteht, eine strei-fenförmige Struktur aus Siliziumdioxid als so genannte Wachstumsmaske auf-gebracht und anschließend eine 30
mm hohe [X.]-Schicht ausgebildet, die in Scheiben mit einem Durchmesser von zwei Zoll und einer Dicke von 350
µm geschnitten wird. Um dieses Substrat in einen nutzbaren Zustand zu bringen, wird
es durch [X.]olieren und Schleifen geebnet ([X.]b [X.]bs.
36). Hierbei wird es als günstig angesehen, im Verhältnis zur (0001)-Fläche einen Fehlwin-kel von 0,4 bis 0,8 Grad vorzusehen ([X.]b [X.]bs.
37).
Die so hergestellten Scheiben weisen in den [X.]ereichen
(24), die ober-halb der Siliziumdioxid-Schichten gewachsen sind, eine hohe und in den [X.]erei-chen dazwischen eine niedrige Versetzungsdichte auf
([X.]b [X.]bs.
40 mit Figu-ren
1
b und 1
d).
Die [X.]ereiche (25), in denen die einzelnen (001)-[X.]n aufeinander ge-wachsen sind, zeichnen sich durch besonders helle Lichtemission aus ([X.] [X.]bs.
43).

73
74
75
-
25
-
[X.]ls Ergebnis von Untersuchungen wird berichtet, die [X.]ereiche mit hoher Versetzungsdichte hätten mitunter ihre [X.]olarität umgekehrt, weil in diesem [X.]e-reich Stickstoff freiliege, während in den anderen [X.]ereichen Gallium freiliege ([X.]b [X.]bs.
41).
[X.]uf das so hergestellte Substrat wird eine [X.] aus Siliziumdioxid aufgebracht. [X.]ei einem ersten [X.]usführungsbeispiel sind die [X.]ereiche mit hoher Versetzungsdichte jeweils vollständig durch eine solche Membran überdeckt ([X.]b [X.]bs.
50). [X.]ei einem zweiten [X.]usführungsbeispiel sind in diesen [X.]ereichen jeweils drei solcher Membranen mit [X.]bstand zueinander angeordnet, so dass es nicht zu einer vollständigen [X.]bdeckung kommt ([X.]b [X.]bs.
88 mit Figur
6
a).

[X.]uf das mit den Membranen versehene Substrat werden nacheinander die für den Halbleiterlaser benötigten Schichten aufgebracht. Die so entstande-nen Wafer weisen lediglich im [X.]ereich der Membranen [X.]ruchstellen auf ([X.]b [X.]bs.
69). [X.]n der Oberseite der Wafer werden in der Schicht (109) [X.]
([X.]e) zum [X.] in senkrechter Richtung zum Substrat angebracht ([X.]b [X.]bs.
72
mit Figur
2).
76
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78
-
26
-

Nach [X.]ufbringen aller Elemente wird der
Wafer senkrecht zur Richtung der [X.]e in [X.]arren aufgeteilt, in denen die einzelnen [X.]auelemente seit-lich angeordnet sind ([X.]b [X.]bs.
77). Zwischen diesen [X.]auteilen liegen die [X.]ruchstellen, deren [X.]reite und Form von der Dicke der Wachstumskontroll-membran abhängt ([X.]b [X.]bs.
79 mit Figuren
3 bis 5).

[X.])
In der [X.]nmeldung [X.], die
die [X.]riorität der [X.]nmeldung [X.] bean-sprucht, sind acht [X.]bwandlungen einer
weiteren
[X.]usführungsform offenbart, bei denen keine [X.] (in [X.]a als wachstumshemmende Schicht bezeichnet) zum
Einsatz kommt. Um negative [X.]uswirkungen der [X.]erei-che mit hoher Versetzungsdichte auf die [X.] zu vermei-79
80
-
27
-
den, werden die genannten Komponenten relativ zueinander in bestimmten [X.]o-sitionen angeordnet ([X.]a S.
24 unten).
[X.]ei der ersten dieser zusätzlichen [X.]usführungsformen (in [X.]a als dritte [X.]usführungsform bezeichnet) werden hierzu Festlegungen für den [X.]bstand d getroffen, den der [X.] (14) von dem eine hohe [X.] aufweisenden [X.]ereich (11) aufweisen soll ([X.]a S.
25 mit Figur
7).

In dem [X.]usführungsbeispiel, bei dem der [X.]bstand zwischen zwei [X.]erei-chen (11) 400
µm beträgt und jeweils in der Mitte ein [X.]ereich (25) mit hoher Lumineszenz angeordnet ist ([X.]a S.
25), wird für den [X.]bstand d
ein Mindest-maß von 40
µm, vorzugsweise von 60
µm angegeben ([X.]a S.
29). Für den [X.]bstand [X.] zwischen zwei [X.]ereichen (11) werden ein Mindestwert von 300
µm und ein Höchstwert von 1000
µm genannt ([X.]a S.
30).
In drei weiteren [X.]ei-spielen (vierte, fünfte und sechste [X.]usführungsform) wird der [X.]bstand [X.] abge-wandelt. [X.]ei der vierten [X.]usführungsform ([X.]a Figur
11) ist [X.] so festgelegt, dass jeweils zwei [X.]auelemente darin [X.]latz finden, bei der fünften [X.]usführungs-form ([X.]a Figur
12) sind es vier [X.]auelemente. [X.]ei der sechsten [X.]usführungs-81
82
-
28
-
form ([X.]a Figur
13) ist [X.] demgegenüber kleiner als die [X.]reite des [X.]ereichs für ein einzelnes
[X.]auelement.

[X.])
Daraus ergaben
sich Hinweise darauf, dass die Entstehung
des Streifenmusters durch zweckentsprechende [X.]usgestaltung der darunter liegen-den Schicht gefördert
und positiv beeinflusst werden kann. [X.]us [X.] ergab sich ferner
der Hinweis, dass es hierzu nicht zwingend der in [X.] eingesetzten
[X.] bedarf, sofern die einzelnen [X.]auelemente -
ein-schließlich des [X.] -
in zweckmäßiger Weise zwischen zwei Streifen mit hoher Versetzungsdichte angeordnet werden.
[X.])
[X.]us beiden Entgegenhaltungen konnte der Fachmann zudem
Hin-weise darauf entnehmen, dass die [X.]usbildung von Streifen in Zusammenhang steht mit der [X.]olarität der jeweiligen Schichten.
Der Fachmann hatte vor diesem Hintergrund Veranlassung, nach ande-ren im Stand der Technik geläufigen Methoden zur Erreichung dieses Ziels zu suchen. Nach den Feststellungen des [X.]atentgerichts konnte er hierzu auf all-gemeines Fachwissen zurückgreifen, wonach der Einsatz eines Substrats mit 83
84
85
-
29
-
Streifen unterschiedlicher
[X.]olarität und Versetzungsdichte Spannungen inner-halb des Substrats mildert und die Oberflächeneigenschaften verbessert.
d)
Entgegen der [X.]uffassung des [X.]atentgerichts ergab sich aus alldem jedoch nicht die [X.]nregung, auf einem Substrat, das sowohl eine [X.] im Sinne der [X.] 2 als auch ein Streifenmuster im Sinne der [X.] aufweist, den [X.] im Wesentlichen parallel zu der Fehl-richtung [X.] und damit im Wesentlichen parallel zur Richtung [1-100] anzuordnen.
Hierbei kann dahingestellt bleiben, ob der Fachmann schon durch den bereits erwähnten Hinweis in [X.], wonach sich der [X.] vorzugsweise senkrecht zur [X.] der ersten [X.]-Schicht ausbreitet, davon abgehalten wurde, eine hiervon diametral abweichende [X.]usrichtung in [X.]etracht zu ziehen,
oder ob der
vom [X.]atentgericht in Zusammenhang mit dem erst-instanzlichen Hauptantrag erörterte Gesichtspunkt der leichteren Spaltbarkeit [X.]nlass gab, über [X.]lternativen nachzudenken. Jedenfalls für ein Substrat, das streifenförmige Regionen mit abwechselnder Versetzungsdichte aufweist, erga-ben sich nämlich auch aus [X.] und [X.] deutliche Hinweise darauf, dass der [X.] grundsätzlich parallel zu diesen Streifen anzuordnen
ist. [X.]ei dieser [X.]usgangslage hatte der Fachmann jedenfalls keine Veranlassung, von der in [X.] als vorzugswürdig bezeichneten [X.]nordnung in erheblichem [X.]usmaß abzu-weichen.
aa)
Wie bereits oben aufgezeigt wurde, wird bei dem in [X.] offenbarten Verfahren der Wafer nach [X.]ufbringen aller Elemente senkrecht zur Richtung der [X.]e in [X.]arren aufgeteilt, in denen die einzelnen [X.]auelemente seit-lich angeordnet sind ([X.]b [X.]bs.
77). Zwischen diesen [X.]auteilen liegen die [X.]ruchstellen, deren [X.]reite und Form von der Dicke der Wachstumskontroll-membran abhängt ([X.]b [X.]bs.
79 mit Figuren
3 bis 5).

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-
30
-
Daraus ist zu entnehmen, dass die [X.]e parallel zu den [X.]ruch-stellen und damit parallel zu den Streifen mit unterschiedlicher Versetzungs-dichte ausgerichtet sind.
[X.])
Eine zusätzliche [X.]estätigung dafür ergibt sich aus der [X.]eschreibung zu den weiteren [X.]usführungsbeispielen in [X.] und den dazu gehörenden, oben wiedergegebenen Figuren 11 bis 13. In allen drei Figuren erstreckt sich der [X.]e-reich für ein einzelnes [X.]auelement über eine Region (11) mit erhöhter [X.] hinweg.
Da diese Regionen als nachteilig eingestuft werden, während den dazwi-schen liegenden Regionen (25) hohe Luminiszenz bescheinigt wird, spricht [X.] dafür, den [X.] auch bei dieser [X.]usführungsform parallel zum Strei-fenmuster des Substrats auszurichten.
[X.])
Dies deckt sich, wie die [X.]erufung zu Recht geltend macht, mit den [X.]usführungen in [X.], wonach der [X.] bei einem Substrat gemäß der Erfindung Nr.
1 vorzugsweise senkrecht zur [X.] anzuordnen ist.
[X.] lassen sich zwar keine ausdrücklichen Hinweise dazu entnehmen, wie der [X.] in [X.]ezug auf ein streifenförmiges Muster aus Regionen mit geringer und hoher Versetzungsdichte angeordnet werden soll. [X.]ei dem zwei-ten [X.]usführungsbeispiel von Erfindung Nr.
1, bei dem die [X.] auf einer [X.]-Schicht ausgebildet wird, die unter Einsatz von [X.] hergestellt wurde und deshalb ein Streifenmuster aufweist, wird in den oben wiedergegebenen Figuren 3c und 3d aber eine [X.]usgestaltung gezeigt, bei der das Streifenmuster parallel zu den aufgrund der [X.] entstandenen [X.] verläuft. Dies wiederum steht in Einklang mit dem erwähnten Hinweis, den [X.] senkrecht zur [X.] anzuordnen. [X.]n anderer Stelle der [X.]eschreibung wird zwar ausgeführt, die [X.] könne auch um 10, 20 oder 30 Grad von einer [X.] abweichen. Ein ausdrücklicher Hin-89
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-
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-
weis darauf, wie solche [X.]usgestaltungen mit einem zusätzlichen Streifenmuster zu kombinieren sind, ist der [X.]eschreibung aber nicht zu entnehmen. Selbst wenn die genannten [X.]usführungen und der Umstand, dass die [X.]usrichtung des [X.] in [X.] nicht zwingend vorgegeben ist, dem Fachmann [X.]nlass ge-geben
hätten, eine abweichende [X.]usrichtung des [X.] in Erwägung zu ziehen, hätte sich daraus jedenfalls nicht die [X.]nregung ergeben, von dem in [X.] durch zwei Gesichtspunkte nahegelegten Wert über die dort genannte Grenze von 30 Grad hinaus abzuweichen.
[X.])
Vor diesem Hintergrund ergab sich für den Fachmann weder aus [X.] noch aus [X.] oder [X.] eine [X.]nregung, von einer parallelen [X.]nordnung der streifenförmigen Regionen und der [X.] grundlegend abzurücken und stattdessen den [X.] im Wesentlichen parallel zur Richtung [1-100] auszurichten.
Hierbei kann dahingestellt bleiben, ob diese Kombination ohne weiteres oder zumindest unter bestimmten Voraussetzungen zu den von der [X.]eklagten postulierten Vorteilen hinsichtlich der Oberflächenstruktur und der optischen Eigenschaften führt. Selbst wenn dies zu verneinen wäre, ist nicht zu erkennen, dass die mit [X.]atentanspruch
1 beanspruchte Kombination eine bloße [X.]ggrega-tion inhaltlich nicht zusammenhängender Merkmale oder eine willkürliche [X.]us-wahl unter mehreren im Stand der Technik bekannten und gleichermaßen na-heliegenden Möglichkeiten darstellt. Die [X.]nordnung des [X.] mag zwar keine [X.]uswirkungen auf die kristallinen Eigenschaften der darunter liegenden Kristallschichten haben. Sie ist dennoch nicht beliebig, weil die [X.]eschaffenheit dieser Schichten nach den [X.]usführungen in [X.], [X.] und [X.] [X.]uswirkungen auf die optischen Eigenschaften des
Laserelements hat und diese durch den [X.] ebenfalls maßgeblich beeinflusst werden. Dieser Einfluss ist nach den Feststellungen des [X.]atentgerichts zwar umso geringer, je kleiner der Fehlwinkel ist. Daraus ergab sich für den Fachmann aber nicht die Schlussfolgerung, dass er bei einer Vorrichtung, die neben einem Fehlwinkel auch eine Struktur aus 94
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-
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-
Streifen mit unterschiedlicher Versetzungsdichte aufweist, über die [X.]nordnung des [X.] unabhängig
von allen übrigen [X.]arametern frei entscheiden kann. Er hatte deshalb keine Veranlassung, insoweit substantiell von den im Stand der Technik offenbarten [X.]nsätzen
abzuweichen.
IV.
Die Kostenentscheidung beruht auf §
121 [X.]bs.
2 [X.]atG und §
92 [X.]bs.
1 Z[X.]O.

Meier-[X.]eck
Gröning
[X.]acher

Schuster
Kober-Dehm
Vorinstanz:
[X.]undespatentgericht, Entscheidung vom 30.01.2014 -
4 Ni 38/11 (E[X.]) -

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